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三星S3C2410，主频200MHz<br /> <br />但是我测的结果是片内sram是1.25us，片外sdram是1.00us，感觉指令周期不应该这么低。<br />是不是我测试的程序不合理呀？？<br /><br />我的程序是：<br /><br />#define rGPECON (*(volatile unsigned *)0x56000040) //Port E control<br />#define rGPEDAT (*(volatile unsigned *)0x56000044) //Port E data<br />#define rGPEUP (*(volatile unsigned *)0x56000048) //Pull-up control E<br /><br /><br />int Main()<br /><br />{ rGPECON=0x04000000; /*设置I/O口GPE13为输出属性*/<br /> rGPEUP=0xffff; /*禁止GPE端口的上拉*/<br /> while(1)<br /> {<br /> rGPEDAT=0xffff; /*输出高电平，*/<br /> rGPEDAT=0x0; /*输出低电平, */<br /> rGPEDAT=0xffff; /*输出高电平，*/<br /> rGPEDAT=0x0; /*输出低电平, */<br /> rGPEDAT=0xffff; /*输出高电平，*/<br /> rGPEDAT=0x0; /*输出低电平, */<br /> rGPEDAT=0xffff; /*输出高电平，*/<br /> rGPEDAT=0x0; /*输出低电平, */<br /> rGPEDAT=0xffff; /*输出高电平，*/<br /> rGPEDAT=0x0; /*输出低电平, */<br /> <br /> }<br />}<br /><br /> |
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