使用具有内部LDO的MCU的注意事项
2025-4-26 20:20
- 极海MCU
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LDO 在工作时会有一定的功率损耗，特别是在输出电流较大或输入输出电压差较大的情况下，会产生较多的热量。 ...
为了保证 LDO 的正常工作，PCB 布局布线也很关键。输入输出引脚的布线要尽量短而粗，以减小线路电阻和电感 ...
基于STM32 HAL库的串口（USART）使用详解
2025-4-20 22:17
- ST MCU
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- 2678
USART的TX引脚无需上拉，RX引脚建议接4.7kΩ上拉电阻
【银杏科技ARM+FPGA双核心应用】STM32H7系列37——USB_HID_FS
2025-4-20 22:00
- ST MCU
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- 11844
确保堆栈和SRAM有足够空间，避免缓冲区溢出。
浮点数性能和一致性
2025-5-19 12:50
- Megawin(笙泉)单片机
- 67
- 3830
可以自动向量化循环，但需要手动编写优化代码以获得最佳性能。
ESD防护相关注意事项
2025-8-7 11:55
- 芯圣MCU
- 67
- 9107
在静电敏感元器件上设置防静电电路。
C51 的printf
2025-6-17 17:28
- 新唐MCU
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- 3806
#include
#include
// 假设串口初始化函数
void UART_Init() {
// 初始化串口代码
}
// 自定义的pu ...
函数返回值解析
2025-5-19 12:41
- Megawin(笙泉)单片机
- 45
- 3440
处理空值和异常情况
PA0输入电平影响ADC采样偏移问题
2025-4-19 13:28
- 雅特力AT32 MCU
- 52
- 5063
如果PA0引脚附近存在干扰源，如高频信号线、电源线等，这些干扰信号可能会通过电磁感应或电容耦合等方式进 ...
单片机遇到EMI干扰，如何储存重要参数？
2025-7-8 11:21
- 国民技术MCU
- 67
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使用 LDO 稳压器代替开关电源，降低电源噪声。
合理规划地线布局，确保地线回路面积最小，减少电磁干扰的产生。
电平转换电路
2025-5-18 11:48
- 新唐MCU
- 68
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输入端为高电平时，三极管截止，输出端通过上拉电阻被拉高到电源电压。
在输入端添加TVS二极管或齐纳二极管，防止过电压损坏。
测量结果偏差较大，如何优化？
2025-4-30 23:31
- ST MCU
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仅记录时间戳和溢出计数，避免复杂计算或函数调用。
是不是risc-v支持5V的话功耗要比3.3V的高呢？
2025-5-22 19:56
- RISC-V
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在相同负载下，5V处理器的功耗会比3.3V处理器高。
VCC、VDD、VEE、VSS、VBAT各表示什么意思
2025-7-8 11:21
- 国民技术MCU
- 67
- 3874
标识符 主要用途 典型场景 是否可与其他电源复用？
VCC 数字或模拟电路的核心供电 运放、MCU内核 ...
使用硬件比较器设计过压保护电路时，如何消除比较器迟滞导致的误触发？
2025-4-29 11:49
- 英飞凌MCU论坛
- 38
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加入适当的延时，以防止因瞬时的误触发
【银杏科技ARM+FPGA双核心应用】GD32F4系列十八——SDRAM实验
2025-8-4 20:54
- GigaDevice GD32 MCU
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SDRAM 的数据线、地址线和控制信号的布线应尽量短且等长，以减少信号传输延迟和干扰。同时，要注意信号线之 ...
RAM在单片机里究竟有什么用？
2025-7-15 11:07
- 新唐MCU
- 89
- 6115
在处理数据时，单片机会将中间结果和最终结果存储在RAM中。例如，在测温系统中，传感器采集的温度数据会先 ...
常见语法错误
2025-4-14 07:59
- 新定义&赛元MCU
- 23
- 1097
调用了未定义的函数，检查函数是否已声明和定义，以及拼写是否正确。
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