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janewood

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【银杏科技ARM+FPGA双核心应用】GD32F4系列五——UART通信实验
2025-6-16 21:25
  • GigaDevice GD32 MCU
  • 224
  • 19834
  根据数据量选择合适的收发方式,避免缓冲区溢出。  
【银杏科技ARM+FPGA双核心应用】GD32F4系列三十二——FSMC实验
2025-9-4 09:52
  • GigaDevice GD32 MCU
  • 272
  • 34406
  用示波器测量关键信号(NWE、NOE、NE、地址、数据)的时序,对比数据手册要求。 ...  
对比了一下AT32和GD32, 外设功耗差距有点大呢
2025-6-10 17:06
  • 雅特力AT32 MCU
  • 22
  • 5930
  不同的MCU可能提供不同的低功耗模式,如睡眠模式、待机模式和关断模式,这些模式下的功耗会有很大差异。 ...  
电容选择、电路分析
2025-7-15 11:28
  • Megawin(笙泉)单片机
  • 67
  • 5598
  影响:ESR过高会导致电容发热,降低效率,甚至损坏。 选择:低ESR电容适用于高频应用,如陶瓷电容、钽电容 ...  
C语言的局部与全局与变量存储类别
2025-9-30 23:34
  • 英飞凌MCU论坛
  • 105
  • 2445
  局部变量包括自动变量、寄存器变量和静态局部变量,而全局变量包括外部变量和静态全局变量。 ...  
内存函数
2025-9-9 13:51
  • 凌鸥LKS MCU
  • 92
  • 3201
  当动态分配的内存被释放后,指向该内存的指针变为悬空指针。继续使用这样的指针会导致未定义行为。因此,在 ...  
GD32F103C8T6多串口DMA空闲中断通信程序
2025-6-17 12:17
  • GigaDevice GD32 MCU
  • 37
  • 2556
  合理设置中断优先级,确保高优先级的中断能够及时响应,同时不影响其他关键任务。 ...  
用ADC连续转换时值老跳动,这正常吗?
2025-6-25 07:42
  • ST MCU
  • 51
  • 2918
  在VREF引脚与地之间并联10μF电解电容+0.1μF陶瓷电容,滤除高频噪声。  
应用开发技巧
2025-7-15 11:39
  • Megawin(笙泉)单片机
  • 90
  • 5705
  晶振靠近单片机,时钟线短且粗,远离I/O口。  
如何采集1000V的电压?
2025-8-28 12:18
  • 新唐MCU
  • 52
  • 3611
  单片机IO口绝对禁止直接接触高压!  
L412的RTC掉电后时间会乱跳吗?
2025-6-25 07:33
  • ST MCU
  • 34
  • 1296
  VBAT稳定性、LSE配置、负载电容匹配。  
自举电容和mos管发热
2025-9-30 23:37
  • 英飞凌MCU论坛
  • 80
  • 2330
  驱动芯片需提供足够的瞬态电流(峰值电流),快速充放电栅极电容,缩短开关过渡时间。 ...  
  上下管同时导通导致直通损耗。  
5种浪涌防护方法
2025-9-10 13:24
  • 芯圣MCU
  • 62
  • 10121
  串联在电路中,防止浪涌过后持续过流损坏器件。  
电流采样rc滤波应用
2025-6-8 23:43
  • 国民技术MCU
  • 19
  • 759
  对于 SAR 型 ADC,需确保 RC 滤波后的信号在采样保持阶段稳定  
一阶互补滤波
2025-9-29 15:16
  • 国民技术MCU
  • 62
  • 3137
  在整数运算中,检查溢出和下溢情况,确保数值稳定性。  
C程序设计语言
2025-6-17 12:05
  • 小华半导体
  • 31
  • 2257
  对于初学者来说,这种简洁的编排有助于快速掌握语言的基础。  
LKS有四轴飞行器的控制方案吗,求分享
2025-6-23 20:29
  • 凌鸥LKS MCU
  • 21
  • 774
  可以参考其他流行的开源飞控项目  
N32G0系列MCU有哪些应用场景?
2025-6-10 11:53
  • 国民技术MCU
  • 23
  • 1018
  医疗器械  
为什么zigbee用户很少
2025-9-26 15:58
  • Microchip
  • 48
  • 4395
  Wi-Fi 6/6E与蓝牙的普及  
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