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关于MOS管的一些疑问

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混子黄|  楼主 | 2017-11-2 15:12 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS管, 电位, 电压, 输出电压
遇到图中的这种情况，当Q2的G级输入-12时，Q2的D级的电位如何确定，如果不能确定，Q1是否导通与Q2的D级有关，还有这个输出电压是如何得到的？

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沙发
混子黄|  楼主 | 2017-11-2 15:13 | 只看该作者
请大家帮忙分析一下这几幅图

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板凳
混子黄|  楼主 | 2017-11-2 15:13 | 只看该作者
最后一幅就不用了。

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地板
maychang| | 2017-11-2 15:43 | 只看该作者
“当Q2的G级输入-12时，Q2的D级的电位如何确定”
此时Q2的DS之间彻底关断。
不过Q1也关断，故Q2漏极电位不定(由两支管子漏电流决定)。

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5楼
混子黄|  楼主 | 2017-11-2 16:59 | 只看该作者
maychang 发表于 2017-11-2 15:43
“当Q2的G级输入-12时，Q2的D级的电位如何确定”
此时Q2的DS之间彻底关断。
不过Q1也关断，故Q2漏极电位不 ...

我将2个MOS断开，测得Q2的D级电位为0V，Q1的S级电位为6.94V.
我能否这样理解，将他们连接后得到的电位为均值。
仿真得到的结果好像确实是这样。

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6楼
混子黄|  楼主 | 2017-11-2 17:04 | 只看该作者
还有个问题，为什么不导通时，Vd约等于Vs。

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7楼
混子黄|  楼主 | 2017-11-2 17:06 | 只看该作者
1

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8楼
maychang| | 2017-11-2 17:12 | 只看该作者
混子黄 发表于 2017-11-2 16:59
我将2个MOS断开，测得Q2的D级电位为0V，Q1的S级电位为6.94V.
我能否这样理解，将他们连接后得到的电位为 ...

你的测量很成问题。
用数字万用表测量的吧？数字万用表直流电压档输入电阻比MOS管关断时的电阻小得多。

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9楼
maychang| | 2017-11-2 17:13 | 只看该作者
混子黄 发表于 2017-11-2 17:06
1

仿真里面的测量结果，比实际数字万用表要强。但这样断开测量，并无意义。

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10楼
混子黄|  楼主 | 2017-11-3 08:53 | 只看该作者
maychang 发表于 2017-11-2 15:43
“当Q2的G级输入-12时，Q2的D级的电位如何确定”
此时Q2的DS之间彻底关断。
不过Q1也关断，故Q2漏极电位不 ...

谢谢堂主的解答，你说的
“故Q2漏极电位不定(由两支管子漏电流决定)。”
因为2个管子型号相同，所以截止时Rds相同，漏电流相同，所以相当于2个电阻串联在两端加一个6.5V的电压，所以Q2的漏极电位也就等于一半的电源，这样理解是否有问题。

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11楼
gx_huang| | 2017-11-3 09:16 | 只看该作者
测量是一门学问，万用表去测量高阻的点，大部分场合没有意义，特殊场合有意义，比如GPIO高阻输入模式，万用表测量该点电压，和GND之间是0V，和VCC之间也是0V。

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12楼
maychang| | 2017-11-3 09:22 | 只看该作者
混子黄 发表于 2017-11-3 08:53
谢谢堂主的解答，你说的
“故Q2漏极电位不定(由两支管子漏电流决定)。”
因为2个管子型号相同，所以截止 ...

两支管子型号相同，参数也存在差异。你看看MOS管datasheet中对漏电流只规定了一个最大值，若在规定的测试条件下管子的漏电流大于此值则管子不合格，小于此值(不论多么小)则判定为合格，就知道此参数的分散性一定相当大了。MOS管的其它参数也是一样。

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13楼
maychang| | 2017-11-3 09:26 | 只看该作者
混子黄 发表于 2017-11-3 08:53
谢谢堂主的解答，你说的
“故Q2漏极电位不定(由两支管子漏电流决定)。”
因为2个管子型号相同，所以截止 ...

一定要测量两支MOS管联接处的电压，不是不能测量，而是须采用某些特殊的方法。采用这些特殊方法测量，你就会观察到：该点电压很不稳定，总是在变化，这是由于温度变化而引起的。

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14楼
混子黄|  楼主 | 2017-11-3 10:44 | 只看该作者
gx_huang 发表于 2017-11-3 09:16
测量是一门学问，万用表去测量高阻的点，大部分场合没有意义，特殊场合有意义，比如GPIO高阻输入模式，万用 ...

受教了。

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15楼
混子黄|  楼主 | 2017-11-3 10:46 | 只看该作者
maychang 发表于 2017-11-3 09:22
两支管子型号相同，参数也存在差异。你看看MOS管datasheet中对漏电流只规定了一个最大值，若在规定的测试 ...

我在琢磨一下。

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16楼
delin17| | 2017-11-3 12:54 | 只看该作者
两个MOS管都截止的情况，用万用表量，中间电压是1/2 *VDD；但是这个电压基本是没有驱动能力的，随便接过负载到地，他就变0了。

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17楼
混子黄|  楼主 | 2017-11-3 13:09 | 只看该作者
delin17 发表于 2017-11-3 12:54
两个MOS管都截止的情况，用万用表量，中间电压是1/2 *VDD；但是这个电压基本是没有驱动能力的，随便接过负 ...

这个电压直接接下一个MOS管的漏极，顺便能不能给我解释一下这个图的作用，EN4高电平光耦不导通，低电平导通，还有图中的三极管的作用能不能解释一下

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18楼
maychang| | 2017-11-3 13:31 | 只看该作者
delin17 发表于 2017-11-3 12:54
两个MOS管都截止的情况，用万用表量，中间电压是1/2 *VDD；但是这个电压基本是没有驱动能力的，随便接过负 ...

万用表本身就是负载，用万用表测量的同时，已经改变了电路状态。

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19楼
delin17| | 2017-11-3 13:44 | 只看该作者
maychang 发表于 2017-11-3 13:31
万用表本身就是负载，用万用表测量的同时，已经改变了电路状态。

万用表的负载有时会小于MOS管及其内部阻尼管的漏电流所能驱动的负载， 不知道这样说对不对

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20楼
delin17| | 2017-11-3 13:46 | 只看该作者
混子黄 发表于 2017-11-3 13:09
这个电压直接接下一个MOS管的漏极，顺便能不能给我解释一下这个图的作用，EN4高电平光耦不导通，低电平导 ...

没分析出来，是不是你抄图的时候少了东西了。

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