H桥，P-Nmos，占空比100%，桥臂可能直通

只看该作者 · 2019-2-22 11:02

本帖最后由 tyw 于 2019-2-22 11:05 编辑

上次我个大家请教，驱动电机用mos管，大家建议用MOS搭H桥。一般四个nmos，驱动需要自举升压，但是我要求占空比100%，这个就不适用了。
我就想用P-Nmos弄一个电路，但是切换瞬间我怕会有一个短路的过程，能不能防止这个过程，或者有没有什么驱动芯片可以用。

如图，我的电流10A的，供电24V。串电阻保护肯定不可以。

只看该作者 · 2019-2-22 11:11

本帖最后由 tianxj01 于 2019-2-22 11:14 编辑

你这个是2边驱动，肯定会有转换时间影响，直通时间肯定存在，但是，换一个思路，对角驱动，N沟道+P沟道，纯直流耦合，可以不必考虑100%占空比，同时2边驱动时间建立合适死区，就可以完全避免。

只看该作者 · 2019-2-22 11:24

tianxj01 发表于 2019-2-22 11:11
你这个是2边驱动，肯定会有转换时间影响，直通时间肯定存在，但是，换一个思路，对角驱动，N沟道+P沟道，纯 ...

我明白了，是不是说，直接控制对角的，相当于直接控制的正反转，就是1路控制正反，一路控制使能？那我切换的瞬间也会出问题吧

只看该作者 · 2019-2-22 15:37

本帖最后由 tianxj01 于 2019-2-22 15:38 编辑

likun123 发表于 2019-2-22 11:24
我明白了，是不是说，直接控制对角的，相当于直接控制的正反转，就是1路控制正反，一路控制使能？那我切 ...

对角控制，正反转有了，如果驱动做的够高速，PWM调速也不是问题啊。
比如停止，那么2对角都是0。
比如反转，A对角0，B对角PWM。
比如正转，则A对角PWM，B对角0。
控制只需要A对角PWM--0，然后B对角再PWM，就所谓的死区了时间，

只看该作者 · 2019-2-22 17:07

1、大电流不适合使用P-MOS，而且大电流的P-MOS管也不多。
2、VBUS是24V，你这个电路需要注意VGS电压，一般管子的VGS都是12V居多。
3、集成的电机驱动芯片那么多，块把钱的事，可靠性比这个好多了，死区也不容自己考虑，自己玩玩无所谓，做产品很少自己直接驱动。
4、如果要实现100%占空比，可以是考虑电荷泵替代自举升压。

H桥，P-Nmos，占空比100%，桥臂可能直通

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