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选择适合MEMS麦克风前置放大应用的运算放大器

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FCCdsp|  楼主 | 2019-9-17 23:22 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本帖最后由 FCCdsp 于 2019-9-17 23:27 编辑

选择适合MEMS麦克风前置放大应用的运算放大器

     麦克风前置放大器电路用于放大麦克风的输出信号来匹配信号链路中后续设备的输入电平。将麦克风信号电平的峰值与ADC的满量程输入电压匹配能够最大程度地使用ADC的动态范围,降低后续处理可能带来的信号噪声。

    单个运算放大器可以简单地作为MEMS麦克风输出的前置放大器应用于电路中。MEMS麦克风是一个单端输出设备,因此单个运算放大器级可用于为麦克风信号增加增益或仅用于缓冲输出。

该应用笔记包含了设计前置放大器时需要考虑的有关运算放大器规格的关键内容,展示了部分基础电路,此应用笔记采用ADMP504 MEMS麦克风为例,阐述了不同的设计选择。该麦克风为模拟麦克风,信噪比(SNR)为65dB。采用不同的麦克风设计时,要求可能与该应用笔记中所述不同,需要根据麦克风的噪声、敏感度、最大声学输入和其他规格进行调整。


运算放大器规格

    运算放大器有许多不同的规格和性能曲线,因此从中找出与您应用相关的规格可能是件非常繁琐的任务。对于麦克风前置放大器设计来说,部分规格比其他更重要;该应用笔记简述了此部分规格。

噪声

    运算放大器的噪声值分为电压噪声和电流噪声。通常,在前置放大器的设计中您仅需要考虑运算放大器的电压噪声。只有在使用高值(即高噪声)电阻时,设计中才需要考虑电流噪声。为了将电路的整体噪声维持在低水平,通常采用低于10 kΩ的电阻。

运算放大器的电压噪声采用噪声密度单位nV/√Hz定义。与电路带宽相关的器件噪声,您需要将此噪声密度乘上带宽的平方根。请注意该简易公式仅适用于在频率范围内统一的噪声频谱,如图1所示。


对于20kHz的带宽,该乘数因子为141。举ADA4075-2为例,其噪声密度为2.8 nV/√Hz乘以141,因此噪声电平为0.395μV或-128 dBV。运算放大器的噪声密度通常在数据手册的典型特性部分的表格中显示,且通常显示其整个频率范围内的曲线。该图表可用于查看在何频率下运算放大器噪声将取决于1/f噪声。对于许多运算放大器来说,这个点通常低于音频频带(20Hz)低端,但是噪声密度的曲线仍然值得一看,且不能仅参考噪声密度指数来完全描述噪声性能。图1为ADA4075-2数据手册中的噪声密度图实例。请注意图1中1/f转折点约为10Hz,远低于MEMS麦克风前置放大器电路的目标频带。

图1. ADA4075-2电压噪声密度

ADMP504模拟MEMS麦克风的SNR(A加权)为65 dB ,敏感度为-38 dBV。因此,在20 kHz带宽内本底噪声为-103 dBV。这相当于50 nV/√Hz的噪声密度,约与150 kΩ电阻的热噪声相同。

对于运算放大器来说,比麦克风更加低噪非常重要,因此从噪声方面考虑,前置放大器电路要尽量的透明性。一个非常好的做法是运算放大器的噪声比麦克风本身低至少10dB,以将其对于全局噪声的影响最小化。为了使用ADMP504前置放大器实现该目的,运算放大器的最高本底噪声为-113 dBV或15.9 nV/√Hz。表1中的大部分运算放大器都远低于该限值,其中不低于该限值的运算放大器仍被列出因为它们具有其他可能在某些特殊设计中非常重要的参数,例如用于低功耗设计的工作电流。请注意电路的总输出噪声电平将受所施加增益和电路中电阻的影响,而不仅仅取决于运算放大器。可以通过选择足够小的电阻来使其对总电路噪声的影响最小。


压摆率

运算放大器的压摆率指其输出电压从一个电压值到另一个值的改变(或摆动)速度有多快。该参数的单位通常为V/μs。前置放大器电路必须支持的最高压摆率为

SR = 2 &TImes;π&TImes; fMAX&TImes; VP

其中fMAX为前置放大器需要支持的最高频率(音频通常为20kHz),VP为运算放大器输出的峰值电压电平。如果峰值输出电压为+12 V (8.5 VRMS),则运算放大器的压摆率最低为1.5 V/μs。

事实上,大部分音频信号在高频率区不会达到满程电压,但是设计前置放大器时还是应该考虑到此种可能性。通常电路设计中压摆率指数不应该设计过高。在设计中您可以使用一个压摆率足够快的运算放大器来处理最高目标频率,但是无需高出该限值太多。

总谐波失真加噪声(THD + N)

关于运算放大器电路中总谐波失真加噪声(THD + N)的讨论很容易变成一个复杂的讨论。许多原因都可能导致失真,包括压摆率限制、输出负载以及运算放大器的内部失真特性。THD通常定义为一个比例,表示为一个百分比或者用dB值表示。该比例为信函谐波失真部分的幅度与输入基频幅度的比值,因此数值越小(小百分比值或负dB值)表示其THD + N性能越好。

THD + N参数为指定带宽噪声与THD之和。并非所有运算放大器数据手册的规格表格中都会包含该值,即便没有改值,通常数据手册中会包含一张THD(或THD+N)与频率的曲线图。图2显示了ADA4075-2数据手册中该值的实例。

图2. ADA4075-2 THD + N与频率的关系



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cqpudian 2022-12-7 09:45 回复TA
重庆东微电子股份有限公司推出EMT6910后,现推出最新的模拟MEMES麦克风前置IC EMT6913,具备业内领先的抵抗射频与电磁波干扰的能力,藉以提供更完整的产品线供客户选择。东微电子对高信噪比麦克风的MEMS芯片以及ASIC处理电路进行了系统级的协同优化,在同比EMT6910 MEMS芯片尺寸面积优化30% (0.53*0.47mm^2),保持高信噪比的情况下,使芯片的抵抗射频与电磁波干扰的能力得到极大提升。  

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FCCdsp|  楼主 | 2019-9-17 23:28 | 只看该作者
选择适合MEMS麦克风前置放大应用的运算放大器

选择适合MEMS麦克风前置放大应用的运算放大器.pdf

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pixhw| | 2019-9-18 20:44 | 只看该作者
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