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模拟一小问（附图）

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楼主
hsw_21|  楼主 | 2007-9-12 15:50 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
模拟, 电路
图中R2/5k为什么能够提高电路工作速度？谢谢！

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沙发
maychang| | 2007-9-12 16:12 | 只看该作者

回

在Q1关断时向Q1基极存储电荷提供放电回路。
这仅在D3D4关断比Q1快得多情况下有用。

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板凳
awey| | 2007-9-12 16:13 | 只看该作者

分流Ib，减小Q1的饱和深度，并提供Cbe的放电通路

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地板
pengjianxue| | 2007-9-12 16:47 | 只看该作者

分析

1，无R2时，设D3,D4,DBE总压降2.0V,IB=1.5mA,因R3=6K,故IC最大电流0.833mA,
  1.5*放大倍数>0.833,管子深度饱和，存储大量电荷，故导通快，截止慢。
2，有R2,R2分流约0.14mA，管子饱和深度比前减小一点，截止快一点
3，加快速度，最好在基极与集电极间并一个开关二极管（1N4148),负极向集电集，速度更快（R2可去）。
 彭建学  上海

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5楼
iC921| | 2007-9-12 21:13 | 只看该作者

被解答得很完美了

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6楼
hsw_21|  楼主 | 2007-9-13 11:16 | 只看该作者

TO:4楼

“基极与集电极间并一个开关二极管（1N4148),负极向集电集，速度更快（R2可去）。”

这个怎么理解？

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7楼
awey| | 2007-9-13 11:24 | 只看该作者

这个怎么理解？ 答：查一下什么叫抗饱和电路

基极加效果不是很好，最好在D4前加。

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8楼
ic921| | 2007-9-13 18:35 | 只看该作者

所谓的抗饱和，其原理是

该二极管可以限制三极管的最大输入电流，因而饱和度降低。

但这样做在某些场合不一定是明智之举，因为饱和程度不够，三极管的C-E极压降或者输出电阻也偏高。这样，如果是用于开关电源，管子的功耗增加，效率受到影响。如果是一般的电平输出，负载能力也变低的。应用时，要注意考虑这些因素。

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9楼
杨小照| | 2007-9-21 11:10 | 只看该作者

又学到了

学名叫贝克箝位电路

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10楼
iC921| | 2007-9-21 19:44 | 只看该作者

学名叫贝克箝位电路

在哪看到的？指电路中的那些部分？

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11楼
awey| | 2007-9-21 22:37 | 只看该作者

影响三极管速度最主要的是存储时间

而存储时间取决与三极管的饱和深度，如果让三极管导通时不饱和或浅饱和，会大大提高三极管的开关速度。

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12楼
w00m| | 2007-9-22 12:50 | 只看该作者

.....

谢谢,学习了

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