芯闻速递 | 英飞凌推出新型CoolSiC™ JFET技术；英飞凌SiC超结技术树立新标准，加速电动汽...
英飞凌推出新型CoolSiC™ JFET技术，实现更加智能、快速的固态配电为推动下一代固态配电系统的发展，英飞凌正在扩展其碳化硅（SiC）产品组合，推出了新型CoolSiC™ JFET产品系列。新系列产品拥有极低的导通损耗、出色的关断能力和高可靠性，使其成为先进固态保护与配电系统的理想之选。凭借强大的短路能力、线性模式下的热稳定性以及精确的过压控制，CoolSiC™ JFET可在各种工业和汽车应用中实现可靠且高效的系统性能，包括固态断路器（SSCB）、AI数据中心热插拔模块、电子熔断器、电机软启动器、工业安全继电器以及汽车电池隔离开关等。第一代CoolSiC™ JFET拥有最低值为1.5 mΩ（750 VBDss）/2.3 mΩ（1200 VBDss ）的超低RDS(ON)，能够大幅减少导通损耗。沟道经过优化过的SiC JFET在短路和雪崩故障条件下具有高度的可靠性。该产品采用Q-DPAK顶部散热封装，便于并联，并具备可扩展的电流处理能力，能够为紧凑型高功率系统提供灵活的布局和集成选项。其在热应力、过载和故障条件下拥有可预测的开关能力，能够在连续运行中长期保持极高的可靠性。
为应对严苛应用环境中的散热和机械问题，CoolSiC™ JFET采用英飞凌先进的.XT互连技术与扩散焊接工艺，从而显著降低了器件在工业电力系统中常见的脉冲与循环负载下的瞬态热阻抗，并大幅提升了其可靠性。该器件基于固态功率开关的实际工况测试和验证，并采用符合行业标准的Q-DPAK封装，可在工业与汽车应用中实现快速、无缝的设计集成。
供货情况
新型CoolSiC™ JFET 系列的工程样品将于2025年推出，并于2026年开始量产，后续还将加入多种封装和模块。该产品系列将在纽伦堡 PCIM Europe 2025的英飞凌展台进行展示。点击此处，了解更多信息。
英飞凌SiC超结技术树立新标准，
加速电动汽车普及与工业效率提升
目前，CoolSiC™产品系列覆盖了400 V至3.3 kV的电压范围，应用领域包括汽车动力传动系统、电动汽车充电、光伏系统、储能及高功率牵引逆变器等。现在，英飞凌又凭借丰富的SiC业务开发经验以及在硅基电荷补偿器件（CoolMOS™）领域的创新优势，推出了SiC沟槽型超结（TSJ）技术。
英飞凌致力于通过SiC TSJ技术逐步扩展CoolSiC™产品组合。此次扩展涵盖多种封装形式，包括分立器件、模塑和框架封装模块，以及裸晶圆。扩展后的产品组合能够满足汽车和工业领域的广泛应用需求。
首批基于这项新技术的产品是适用于汽车牵引逆变器的英飞凌ID-PAK封装1200 V功率器件。产品充分利用英飞凌在SiC及硅基超结技术（CoolMOS™）领域25年多的经验，集沟槽栅技术与超结设计优势于一身。该可扩展封装平台支持最高800 kW功率，可实现高度灵活的系统配置。这项技术的主要优势之一是通过将Ron*A降低多达40%以获得更高的功率密度，从而在相同功率等级下实现更紧凑的设计。此外，ID-PAK封装1200 V SiC TSJ功率器件可在不牺牲短路能力的前提下，将主逆变器电流承载能力提升多达25%。
这一技术进步还为要求严苛的汽车和工业应用带来了整体系统性能提升，包括更低的能耗和散热要求，以及更高的可靠性。此外，该系统还降低了并联要求，从而简化了设计流程并降低了整体系统成本。凭借这些创新优势，基于英飞凌ID-PAK封装的SiC TSJ功率器件将助力汽车应用领域设计出更高效、更具成本效益的牵引逆变器。
现代汽车公司开发团队是英飞凌TSJ技术的首批客户之一，他们将充分利用这项技术的优势提升其电动汽车产品性能。该合作能够帮助现代汽车开发出更加高效、紧凑的电动汽车动力传动系统。
供货情况
首批ID-PAK封装1200 V功率器件样品现已向部分汽车动力传动系统客户开放。ID-PAK封装1200 V SiC TSJ功率器件预计将于2027年实现量产。
英飞凌将参加PCIM Europe 2025
欧洲电力电子系统及元器件展（PCIM Europe）将于2025年5月6~8日在德国纽伦堡举行。英飞凌将在7号展厅470号展台展示低碳化和数字化产品和解决方案。公司代表还将在PCIM展会舞台和同期举办的PCIM会议上发表多场演讲。
点击此处，了解英飞凌在PCIM 2025展会上的更多亮点。
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