dycheng 发表于 2013-3-1 13:41

GB4706-1中非正常工作打2000V浪涌不合格，求助

我有一个产品在做GB4706-1第19章非正常工作的2000V浪涌测试（依据GB17626.5）时发现双向可控硅损坏，因为标准要求测试前先去除压敏电阻等浪涌保护器件，所以测试的时候没有带压敏电阻。电路很简单，我就不张贴了，就是在L线、N线之间用双向可控硅控制一个PTC加热块的加热，加热块 室温电阻300欧姆左右。测试时在待机状态下测试（即不加热）
测试合格要求测试过程或测试过后PTC不加热。而我目前测试下来是可控硅会被击穿，输入输出短路从而给加热块加热，故测试不合格。




我目前的解决方案是期望能找到一款合格的可控硅能直接耐2000V浪涌。目前采用的是国产可控硅（参数类似BT138-600E），不知类似NXP、ST等厂家的原厂可控硅是否可以不带压敏过测试。或者大家有什么好的其他方案，可以使测试过程避免出现可控硅短路的故障



skm2008 发表于 2013-3-2 00:00

去掉保护器件不用测试这么高吧，一般可能是500V左右

skm2008 发表于 2013-3-2 00:02

2000v像是正常测试时的电压

skm2008 发表于 2013-3-2 11:56

可能测试方法有问题，浪涌测试一般是正常情况下进行，不去保护器件

kingguans 发表于 2013-3-3 21:53

2000V浪涌啊，还不带保护！可控硅串联吧，呵呵！好像有1100的，串2个3个看看！

skm2008 发表于 2013-3-4 00:07

2KV浪涌，不加防护，很容易打坏器件

dycheng 发表于 2013-3-4 11:49

skm2008 发表于 2013-3-2 00:00 static/image/common/back.gif
去掉保护器件不用测试这么高吧，一般可能是500V左右

去掉保护器件2kV，加保护器件1kV。虽然看起来是矛盾的，其实两者最后的判决标准不一样。带保护器件的1kV浪涌过后要求系统能正常工作一点都不能损坏。2kV去掉保护器件浪涌是系统可以损坏但不能出现类似短路等非安全状态（允许开路）

skm2008 发表于 2013-3-4 11:58

dycheng 发表于 2013-3-4 11:49 static/image/common/back.gif
去掉保护器件2kV，加保护器件1kV。虽然看起来是矛盾的，其实两者最后的判决标准不一样。带保护器件的1kV ...

只能选择耐压高一些的可控硅或带保护的可控硅

skm2008 发表于 2013-3-4 12:47

浪涌测试一般按正常防护的条件测试多一些，系统一般是在正常情况下工作，去掉防雷可以测试出系统没有防护时的抗浪涌能力

skm2008 发表于 2013-6-27 12:53

可以通过内部加保护器件处理，标准中去掉的是外部加的

acute1110 发表于 2013-7-1 08:41

先加一级GDT防护，然后再加TVS，为了防止TVS先工作，需要GDT放在靠近入口，TVS靠近器件，然后线的中间可以串接1~5ohm的大功率电阻，确保GDT先动作，TVS防护GTD的残压。

HORSE7812 发表于 2013-7-9 15:36

学习

光晔秋秋 发表于 2013-8-23 16:05

这么严格的测试， 不知过了没有，拿出来分享下

yewuyi 发表于 2013-8-26 16:32

错误解读标准而已。

标准怎么会要求你阉割设计后再测试呢？

skm2008 发表于 2013-8-26 23:52

有些特殊行业要求这样测试，加了防护一个标准，不加防护另一个标准

dycheng 发表于 2013-11-23 10:32

测试通过了，在输入口加了一个铁粉芯的环形电感就OK了
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