芯控源 AGM311MAP 是一款 30V 25A N 沟道 MOS 管，为同步降压转换器等场景定制。规格相关情况如下：
芯控源 AGM311MAP 技术参数：
- 耐压 (V)：30
- 连续漏极电流 (A)：25（Tc=25℃）、20（Tc=100℃）
- NMOS 导通电阻 (mΩ)：10.5（典型值，@VGS=10V, ID=10A）
- 功率耗散 (W)：41（Tc=25℃）
- 热阻 (Rth (j-c), K/W)：10（典型值）
- 封装：PDFN3.3×3.3
- 电路结构：N 沟道单管集成
其特征：采用先进高密度单元 Trench-MOS 工艺；-55℃~+150℃ 宽温工作；100% EAS 保证（雪崩能量 75mJ）、100% VDSS 测试；低栅极电荷设计，开关损耗低；兼容绿色器件标准。优势：先进工艺助力低导通电阻；PDFN3.3×3.3 封装适配性好，节省 PCB 面积；支持同步降压转换器等应用场景；通过严格可靠性测试，性能稳定可靠。可应用在同步降压转换器、负载开关、SMPS 电路等场景！ 是一款 30V 25A N 沟道 MOS 管，为同步降压转换器等场景定制。规格相关情况如下：
芯控源 AGM311MAP 技术参数：
- 耐压 (V)：30
- 连续漏极电流 (A)：25（Tc=25℃）、20（Tc=100℃）
- NMOS 导通电阻 (mΩ)：10.5（典型值，@VGS=10V, ID=10A）
- 功率耗散 (W)：41（Tc=25℃）
- 热阻 (Rth (j-c), K/W)：10（典型值）
- 封装：PDFN3.3×3.3
- 电路结构：N 沟道单管集成
其特征：采用先进高密度单元 Trench-MOS 工艺；-55℃~+150℃ 宽温工作；100% EAS 保证（雪崩能量 75mJ）、100% VDSS 测试；低栅极电荷设计，开关损耗低；兼容绿色器件标准。优势：先进工艺助力低导通电阻；PDFN3.3×3.3 封装适配性好，节省 PCB 面积；支持同步降压转换器等应用场景；通过严格可靠性测试，性能稳定可靠。可应用在同步降压转换器、负载开关、SMPS 电路等场景！
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