芯控源 AGM40P55AP 是一款 40V 55A P 沟道 MOS 管，为负载开关与电池保护等低压大电流场景定制。规格相关情况如下：
芯控源 AGM40P55AP 技术参数：
- 耐压 (V)：-40
- 连续漏极电流 (A)：-55（Tc=25℃）、-35（Tc=100℃）
- PMOS 导通电阻 (mΩ)：12.0（典型值，@VGS=-10V, ID=-20A）、14.0（最大值，@VGS=-10V, ID=-20A）；22.0（典型值，@VGS=-4.5V, ID=-15A）、25.0（最大值，@VGS=-4.5V, ID=-15A）
- 功率耗散 (W)：75（Tc=25℃）、25（Tc=100℃）
- 开关频率 (kHz)：≥50（适配同步整流场景）
- 热阻 (Rth (j-c), K/W)：3.5（典型值）
- 封装：PDFN5×6（5×6mm 封装）
- 电路结构：P 沟道单管集成
其特征：采用先进高密度单元 Trench-MOS 工艺；-55℃~+150℃ 宽温工作；100% EAS 保证（雪崩能量 210mJ）、100% VDSS 测试；低栅极电荷设计（Qg=-65nC @-15V），开关损耗低；兼容绿色器件标准。优势：相比同封装竞品导通损耗降低超 20%；PDFN5×6 封装较传统 PowerPAK 缩减 30% PCB 面积；支持高频同步整流（≥50kHz），适配快充、电源模块；通过严格可靠性测试（温度循环、HTGB），MTBF 达 1.2×10⁶ 小时。可应用在负载开关与电池保护、同步整流 DC-DC 转换器、工业电源模块、车载电子电源管理、电动工具电机驱动等低压大电流场景！
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