请问CH563Q，发热的主要原因是哪里？

请问CH563Q，发热的主要原因是哪里？
用到了:USB-HID;TCP;

目前用的是 DC/DC-12V/5V; 1117-3.3V;1117-1.8V;

请问这个发热的原因是 3.3V 还是1.8V内核？

另外，这个1.8V，用LDO可以吗？

厂家推荐有什么供电方案？

谢谢！

CH563功耗较高，可以考虑使用硬件降温的方式解决温度问题，比如PCB底部开孔或者增加散热片等降温方式。
可以描述下您的应用方向，若是以太网相关应用可以考虑使用CH32V307，类似功能，性价比更好。

集成电路从电源获取电流时，总会有一部分能量以热的形式损失。

芯片的功耗直接影响其发热量。如果RSETE电阻值设置不当，可能会导致功耗过高。将RSETE的电阻改为18K欧姆可以降低功耗，从而减少发热。

如果MCU的散热设计不合理              

如果连接到MCU的外部设备或负载功耗较大，那么这些设备在工作时可能会消耗大量的电能，并产生热量。这部分热量可能会传导到MCU上，导致其温度升高。

如散热不良、外部环境温度高、设备包装密度大等都可能导致集成电路温度升高。

需要考虑其散热设计，比如使用散热片、风扇或其他散热措施。

PCB的布局设计也会对芯片的温度产生影响。如果CH563Q周围的热屏蔽做得不好，或者PCB上没有足够的散热措施，那么产生的热量就会在芯片附近累积，导致温度升高。

CH563Q在处理数据传输和网络通信时，需要消耗一定的能量。当数据传输量较大或网络通信较为频繁时，CH563Q的工作负载增加，可能导致芯片温度升高。

CH563Q的工作频率如果设置得过高，也会导致芯片发热。

如果封装类型不利于散热，或者散热设计不合理，可能导致芯片温度升高。

芯片的工作环境温度也会影响其发热情况。如果环境温度较高，芯片散热能力会下降，从而导致芯片表面温度升高。

如果内核电压不稳定或过高，可能导致微控制器在工作时过热。

CH563Q的电源电压可能直接影响其功耗和发热。

MCU在工作时，其内部的晶体管、电阻、电容等元件会产生热量。特别是当MCU运行高负荷任务或执行大量计算时，其内部的功耗增加，从而导致温度升高。

不恰当的电源管理可能导致电压过高或电流过大，从而使MCU发热。

芯片周边电路的硬件问题，如电源短路、负载过大、某部分电路异常等，都可能造成芯片电流异常增大，从而引发过热现象。

芯片的工作频率越高，其处理速度越快，但同时也会消耗更多的电能，产生更多的热量。适当降低主频可以减少热量的产生。

CH563Q的封装类型和散热设计可能影响其散热效果。