BJT与MOSFET的功率处理能力比较

登录 · 发表于 2021-5-1 11:45

本帖最后由 xukun977 于 2021-5-1 11:48 编辑

在网上看到一篇**，是颂FET、贬BJT的，读完之后，感觉偏见太重了：

事实可能与图片中的说法完全相反-----MOSFET的功率处理能力，要弱于BJT，MOSFET的导通电阻可能要高于BJT；一个是双极型器件，一个是单极型器件，所以MOSFET的速度要快于BJT。

发表于 2021-5-2 01:10

BJT ，纵然集基射三区电阻皆为零，饱和压降还是零不了。

发表于 2021-5-2 22:33

满负荷，深饱和，管耗也有 30瓦，
电源电压 1kV ，输出功率就是 100瓩，管效 99.97% ，
换成FET ，导通电阻如为 1mΩ ，则管压降为 0.1V ，管耗为 10瓦，管效为 99.99% ，
论能源效益，两者都让人惊艳，可是，BJT 的饱和压降怎么破，半导体不是真空管或灯泡，几十瓦的管耗已需要散热片了吧？！

发表于 2021-5-3 09:51

分析的很好，学习了

登录 · 发表于 2021-5-3 10:17

hk6108 发表于 2021-5-2 22:33
满负荷，深饱和，管耗也有 30瓦，
电源电压 1kV ，输出功率就是 100瓩，管效 99.97% ，
换成FET ，导通电 ...

关键是根据他给的数据，BJT的导通电阻是0.3/100=3mΩ

然后惊叹损耗太大了，难以接受。

实际上功率MOSFET，也没有多少能比这个更厉害的，最多是“不过如此”，例如：

发表于 2021-5-6 09:10

xukun977 发表于 2021-5-3 10:17
关键是根据他给的数据，BJT的导通电阻是0.3/100=3mΩ

更低压MOS有零点几毫欧的.

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