CY7C1566KV18、CY7C1577KV18、CY7C1568KV18、CY7C1570KV18
最近更新:2011 年 04 月 15 日
| 版本:*L
| 72 Mb DDR II SRAM 2 字突发架构(2.5 周期读延迟)
特性
- 72 Mb 容量(8M x 8、8M x 9、4M x 18、2M x 36)
- 550 MHz 时钟实现高带宽
- 2 字突发降低地址总线频率
- 双数据速率 (DDR) 接口(数据传输速率 1100 MHz),工作频率 550 MHz
- 可提供 2.5 个时钟周期延迟
- 两个输入时钟(K 和 K)用于精确 DDR 定时
- 回波时钟(CQ 和 CQ)简化高速系统中的数据采集
- 数据有效引脚 (QVLD) 表示输出上的有效数据
- 如需更多信息,请参阅 PDF 文档
功能描述
CY7C1566KV18、CY7C1577KV18、CY7C1568KV18 和 CY7C1570KV18 为采用 DDR II 架构的 1.8V 同步流水线 SRAM 。DDR II 包含一个带有先进同步外围电路的 SRAM 内核。用于读和写的地址被锁止在输入 (K) 时钟的备选上升沿。写数据同时在 K 和 K 的上升沿被记录。
|
|