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[STM32F1] fram的数据存储问题

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 楼主| chenho 发表于 2021-10-10 12:02 | 显示全部楼层 |阅读模式
数据存储, FRAM, IO, TI, 读写, FOR
现在需要对一些数据进行读写操作，且要求掉队电不丢失，但information memory 空间不够。1.information memory空间是否可以合并且调整大小？
2.或者直接将数据存储于代码区的后段？
3.重新烧录代码是否将会丢失原来保存的数据？
4.如果改写cmd文件增加数据区来实现数据的读写功能该如何做？
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renyaq 发表于 2021-10-10 12:04 | 显示全部楼层
正常的flash都可以实现。
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zwll 发表于 2021-10-10 12:06 | 显示全部楼层
flash占用的接口太多。
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renyaq 发表于 2021-10-10 12:13 | 显示全部楼层
楼主的也没有对芯片说明要求的。
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heweibig 发表于 2021-10-10 12:17 | 显示全部楼层
这个fram指的是什么芯片？
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shimx 发表于 2021-10-10 12:19 | 显示全部楼层
定时器为什么不是TBCCR0=1000
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午夜粪车 发表于 2021-10-10 12:21 | 显示全部楼层
应该可以指定地址进行操作
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huangchui 发表于 2021-10-10 12:22 | 显示全部楼层
fram是多大的啊
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zhenykun 发表于 2021-10-10 12:25 | 显示全部楼层
fram够大吗 选的
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yszong 发表于 2021-10-10 12:27 | 显示全部楼层
第二个问题应该不存在
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ousj 发表于 2021-10-10 12:29 | 显示全部楼层
应该没有问题
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 楼主| chenho 发表于 2021-10-10 12:31 | 显示全部楼层

嗯，我再好好缕一缕吧，有了好消息及时通知大家
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labasi 发表于 2021-11-2 16:22 | 显示全部楼层
应该可以指定位置吧
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heimaojingzhang 发表于 2021-11-2 16:25 | 显示全部楼层
我觉得应该可以实现
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keaibukelian 发表于 2021-11-2 16:27 | 显示全部楼层
第二个问题想多了
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tpgf 发表于 2021-11-2 16:29 | 显示全部楼层
可以指定地址进行操作
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paotangsan 发表于 2021-11-2 16:42 | 显示全部楼层
fram指的是什么芯片
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xumengyuanlinda
fram 就是铁电存储器--掉电可以保存实时数据的存储器。 目前做FRAM的有 infieon (收购了CYPRESS的铁电) 目前能和infieon铁电对标的是博维逻辑  发表于 2023-1-21 16:16
renzheshengui 发表于 2021-11-2 16:44 | 显示全部楼层
cmd文件是做什么用的呢
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chenjun89 发表于 2021-11-2 19:36 来自手机 | 显示全部楼层
外部串行flash了解一下
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B1lanche 发表于 2021-11-2 20:02 | 显示全部楼层
可以用铁电存储器，好用的很
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