审评PICkit2

[复制链接]
 楼主| su_mj000 发表于 2008-6-2 12:10 | 显示全部楼层 |阅读模式
PICkit2问世已有一段时间了。其Firmware以及配套的应用软件<br />经过多次的升级,功能已相当全面,已有和ICD2向抗衡的趋势。<br />我虽然目前还没有购买和制作,甚至还没有亲手使用的经验。<br />但从网上很全面地资料介绍,对其也有了很多了解。我以为,<br />PICkit2的最大优势是它的价格。估计它的功能很难真正超过ICD2。<br /><br />可能马上有人会反驳,PICkit2具有脱机烧片的功能,这是ICD2所不具有的。这的确不错。但从实际而言,这一功能并不有什么发挥的<br />的机会。可以设想,你在工作中必须在没有计算机(包括笔记本)的<br />情况下烧片子,有多大的概率?<br /><br />除了价格优势外,PICkit2的另一长处是便于DIY。这也是众多爱好者<br />所热衷于的事。而厂家公开了所有的资料以及软件,我们所需要做的<br />只是依样画葫芦,搭起硬件而已。不是吗?<br /><br />问题是,硬件图纸能不能进一步简化?从工程上讲,简化是提高产品<br />可靠性的一大要点(本人认为这是所有设计所要遵行的最主要的准则之一)。<br /><br />(待续)<br /><br />
xieyuanbin 发表于 2008-6-2 13:28 | 显示全部楼层

功能上今后不比ICD2差.这个是MCHP努力的方向.

现在要做的,只是要将ICD2在线调试那块移植过来,18F2550的功能比877要强大许多.<br />另一个要完善的是KIT2的BUG还是比较多,尤其是烧写算法,需要时间来验证克服.<br />最大的优势是,至少烧写时不用更改操作系统.
 楼主| su_mj000 发表于 2008-6-3 04:52 | 显示全部楼层

审评PICkit2 (续)

简化设计主要是为了降低造价、减少制作难度。但不应以损失性能<br />为代价。针对PICkit2&nbsp;,我觉有其中以下几个环节可以改动和简化:<br />(1)去掉脱机烧写功能。这样,U3、U4、C9、C10、R8、R9就可去除。<br />并且,R33、C16、SW1也可省略。如果U1接口的片内上拉电阻启动的<br />话,连R32也可省略。<br /><br />(2)J1可考虑省略,其原因不必多说。<br /><br />(3)Vdd调节电路和随后的开关控制电路可简化、合并。主要是将<br />复合管U5省略。开关控制信号Vdd_TGT_P通过一个二极管连在Q1的栅极。<br />R7可省略,并将R5、R6阻值改为1K。R13省略,R26改为10K(理想值是9.4K)<br />与Q1漏极D相连。Q1的源极与R34交汇点最好通过一个二极管(1N4001)再接<br />+5V_USB,以保证能够被关断。C5、C6也可省略,但R34应保留。R31应采用1K<br />或大一点的。由于U5省略,其周围元件(R12、R16、R30、C11、C12)全可被去除。<br /><br />(4)高压发生、控制电路中,Q4、Q7、Q8可由一74LS06代替。具体讲,Q7、Q8<br />各自由74LS06中的一个OC反相器取代,74LS06中剩下的其余4个反相器并联后代替<br />Q4。74LS06可承受30V的输出电压,估计没问题。由于使用了门电路,R21、R27、<br />R29可被省略。<br /><br />(待续)<br /><br /><br /><br /><br />
 楼主| su_mj000 发表于 2008-6-3 05:43 | 显示全部楼层

审评PICkit2 (完)

上述的那个1N4001不应使用隧道管(隧道管不但价格高,且压降可能过低),<br />不利于关断Q1。改动后的+V_TGT直接与J3的Vdd相连。R31和R34可取相同阻值。<br /><br />最后一个改动是接口通信、电平转化部分。仔细分析原图纸,我认为其设计有<br />明显缺陷,长期运行可能会对U1产生不良影响。假定二极管的正向压降为0.6V,<br />目标板的运行电压是3.3v。Vdd经D1压降后加在Q2、Q3、Q5基极上的电压为2.7V。<br />而Q2、Q3、Q5的射极只通过小电阻(10欧)与U1的接口相接。假设Q2、Q3、Q5<br />的发射结压降也是0.6V,理论上流经R10、R14、R19的电流将是(5-3.3)/10=0.17A。这远远超过了允许值。实际电流可能会小很多,但终究是不合适的。<br />改动的方法是使用FET-MOS管并采用共栅极方式取代Q2、Q3、Q5,三个管子的栅极<br />均连在Vdd上。R15、R20省略,R10、R14、R19改用100欧的,能真正起到一些保护。<br /><br />顺便说一下,电路中的Q1是个关键性器件。选材时应使用低导通阻值、大电流<br />的器件。<br /><br />有必要承认,笔者不是硬件工程师,只是这方面的爱好者。以上发言全是纸上谈<br />兵,并未得到实践应证。若有错误,请各位指正。<br /><br /><br /><br /><br /><br /><br />
xieyuanbin 发表于 2008-6-3 09:01 | 显示全部楼层

帮楼主贴两个图

xieyuanbin 发表于 2008-6-3 09:01 | 显示全部楼层

以便讨论

xieyuanbin 发表于 2008-6-3 09:12 | 显示全部楼层

讨论一下

(1)去掉脱机烧写功能。这样,U3、U4、C9、C10、R8、R9就可去除。<br />并且,R33、C16、SW1也可省略。如果U1接口的片内上拉电阻启动的<br />话,连R32也可省略。<br /><br /><br />个人认为这是一个特色,有可能被用来做中批量量产烧写器,去掉就不好了.<br />如果软件消抖做得好,可以省去R33,C16,R32(内部弱上拉)<br /><br />(2)J1可考虑省略,其原因不必多说。<br /><br />J1是出厂时烧写口,如用探针,可不插J1,但位置保留.<br /><br /><br />
xieyuanbin 发表于 2008-6-3 09:23 | 显示全部楼层

希望贴出图来

(3)Vdd调节电路和随后的开关控制电路可简化、合并。主要是将<br />复合管U5省略。开关控制信号Vdd_TGT_P通过一个二极管连在Q1的栅极。<br />R7可省略,并将R5、R6阻值改为1K。R13省略,R26改为10K(理想值是9.4K)<br />与Q1漏极D相连。Q1的源极与R34交汇点最好通过一个二极管(1N4001)再接<br />+5V_USB,以保证能够被关断。C5、C6也可省略,但R34应保留。R31应采用1K<br />或大一点的。由于U5省略,其周围元件(R12、R16、R30、C11、C12)全可被去除。<br />
xieyuanbin 发表于 2008-6-3 09:25 | 显示全部楼层

继续

(4)高压发生、控制电路中,Q4、Q7、Q8可由一74LS06代替。具体讲,Q7、Q8<br />各自由74LS06中的一个OC反相器取代,74LS06中剩下的其余4个反相器并联后代替<br />Q4。74LS06可承受30V的输出电压,估计没问题。由于使用了门电路,R21、R27、<br />R29可被省略。<br /><br />成本没有优势.三极管可以使用8050,8550替代.
xieyuanbin 发表于 2008-6-3 09:46 | 显示全部楼层

的确是个问题

最后一个改动是接口通信、电平转化部分。仔细分析原图纸,我认为其设计有<br />明显缺陷,长期运行可能会对U1产生不良影响。假定二极管的正向压降为0.6V,<br />目标板的运行电压是3.3v。Vdd经D1压降后加在Q2、Q3、Q5基极上的电压为2.7V。<br />而Q2、Q3、Q5的射极只通过小电阻(10欧)与U1的接口相接。假设Q2、Q3、Q5<br />的发射结压降也是0.6V,理论上流经R10、R14、R19的电流将是(5-3.3)/10=0.17A。这远远超过了允许值。实际电流可能会小很多,但终究是不合适的。<br />改动的方法是使用FET-MOS管并采用共栅极方式取代Q2、Q3、Q5,三个管子的栅极<br />均连在Vdd上。R15、R20省略,R10、R14、R19改用100欧的,能真正起到一些保护。<br /><br /><br /><br />不过烧写时时钟脉冲和数据脉冲高电平的时间都非常短(占空比大约20%),影响不大.稍后贴出改进电路<br /><br />
xieyuanbin 发表于 2008-6-3 10:33 | 显示全部楼层

改进后的电平转换电路

yewuyi 发表于 2008-6-3 11:19 | 显示全部楼层

呵呵,我直接向代理要了一个,还没到呢……

俺看看能不能直接用,长期用坏了就坏把,坏了就再要一个,呵呵,我可不想花力气研究它……
 楼主| su_mj000 发表于 2008-6-4 02:01 | 显示全部楼层

我不会贴图

xieyuanbin先生的方案我也考虑到了,它在JDM里面采用过,好像也可以。但我只觉<br />得还不太完美,担心其不能承受较高速的运行。顺便发表一点看法,<br />贴图中R11阻值好像太小,应该采用4.7~10K较妥;R10可以省略;<br /><br />已经把草图画出来了。只知道用Ctrl+PrintScreen截图,其他的就不知道了。<br />请指教。<br />
 楼主| su_mj000 发表于 2008-6-4 02:38 | 显示全部楼层

有一点我还不明白,

不知道原设计中复合管U5中的N管以及控制信号Vdd_TGT_N<br />起什么作用?
xieyuanbin 发表于 2008-6-4 07:47 | 显示全部楼层

R10也不可省,R11不能太大,

这不是JDM上的电路.这是一个双向的数据传输/电平转换电路,不过还有些毛刺.<br />R11的取值是因为在没有数据输入的时候,R11上的压降应为接近0V,太大了就会和R17,R10形成分压.<br />R10是为数据读入而设置的,当数据读入时为端口提供高电平.端口的弱上拉有20K以上,不利抗干扰.<br />U5中的N管是目标电源的负载电阻,目的是泄放目标板滤波电容上存储的电荷防止误判.
xieyuanbin 发表于 2008-6-4 09:14 | 显示全部楼层

截图用QQ或PHOTOSHOP

QQ有一个很方便的屏幕截图功能,如果用PRINT&nbsp;SCREEN,需要把剪贴板中的内容粘贴到绘图软件中,比如PHOTO&nbsp;SHOP
xwj 发表于 2008-6-4 09:23 | 显示全部楼层

截图最好的还是SnagIt

俺从不用QQ或PHOTOSHOP来截图,太慢太麻烦...
yuntian 发表于 2008-6-4 19:06 | 显示全部楼层

AI

上次做了10个,都送得还剩5个了.性能还相相当不错的.
 楼主| su_mj000 发表于 2008-6-4 23:48 | 显示全部楼层

http://users.tpg.com.au/btkelly/jdm_b.htm

http://users.tpg.com.au/btkelly/jdm_b.htm<br />中的Q2就是这个例子。<br /><br />如果图省事的话,就用两个1K的电阻分压一下输出,估计不会有问题。<br />
McuPlayer 发表于 2008-6-5 16:45 | 显示全部楼层

74LS06替代三极管不妥

产生VPP的开关三极管属于功率器件,在此组成DC2DC电路。
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

39

主题

286

帖子

1

粉丝
快速回复 在线客服 返回列表 返回顶部