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可控硅驱动。为什么烧ULN2003?求大神解答

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楼主: 小可可儿
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21楼
xygyszb| | 2015-8-17 21:27 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
看着电路没啥子问题啊，软件上面有问题吧。是不是打开时间太长了？
另外把9脚悬空试试。

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22楼
charrijon| | 2015-8-17 22:26 | 只看该作者
汗，功率太大了

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23楼
zyj9490| | 2015-8-18 00:29 | 只看该作者
本帖最后由 zyj9490 于 2015-8-18 00:31 编辑

看了下,主要有二点<要得到US 级的脉冲,整个糸统都是按慢速器件设计,是否合理.
第二点,脉冲变压器作负载,及可控硅的控制电压多少,变压器的配比是否合适,如1:1,24V是否过高,
基本得出原因,2003负载过载而损坏,也就是产生的脉冲宽度过大,导致变压器原边过包和.解决方案,限流,降电压,增大原边的电感量以适合2003的慢性动作速度.还有4007与线性光耦是否合适.

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24楼
李富贵| | 2015-8-18 21:40 | 只看该作者
zyj9490 发表于 2015-8-18 00:29
看了下,主要有二点

google “kmb-0231”，是3:1触发变压器无误，原边24V供电是合理的。

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25楼
排山倒海| | 2015-8-19 08:04 | 只看该作者
不明白驱动可控硅为什么要用变压器的方案，有什么特殊要求吗？

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26楼
小可可儿|  楼主 | 2015-8-19 16:46 | 只看该作者
排山倒海 发表于 2015-8-19 08:04
不明白驱动可控硅为什么要用变压器的方案，有什么特殊要求吗？

用在整流，不是调压，光耦驱动的方案不合适，只能用变压器驱动

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27楼
小可可儿|  楼主 | 2015-8-19 16:49 | 只看该作者
zyj9490 发表于 2015-8-18 00:29
看了下,主要有二点

楼主说的对，确实用US级脉冲不行，因为光耦速度达不到，脉冲变压器是3：1  ，改US级脉冲改不了 ，试了下限流，可以，只是电阻功率要比较大，看样子最好的办法就是用分立的功率大的三极管了

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28楼
wh6ic| | 2015-8-19 17:31 | 只看该作者
光耦速度不是问题，可以简单处理做到uS级的输出。如果这个设计，对控制输入与输出间延迟不敏感，可以仍然使用光耦。
你用的3：1脉冲变压器输入直流电阻过低，如果可控硅控制的是50Hz工频电，可以串入10uF电容，电容并联1K电阻，输入脉冲100Hz，占空比控制在10%以下，这样基本可以解决加脉冲烧2003问题。串入电容的具体容量，由可控硅输入7V时最小触发时间决定（10uF电容可以得到7V输出宽度超过3uS，这个宽度未考虑脉冲变压器的输入电感，应该会宽不少）。
如果需要50uS以上甚至mS级宽度的驱动电压，修改脉冲变压器。

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29楼
zyj9490| | 2015-8-19 19:22 | 只看该作者
小可可儿 发表于 2015-8-19 16:49
楼主说的对，确实用US级脉冲不行，因为光耦速度达不到，脉冲变压器是3：1  ，改US级脉冲改不了 ，试了下 ...

这也证明了原边过包和，导致2003的电流剧升而损坏。

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30楼
handlike| | 2015-8-20 15:57 | 只看该作者
这个变压器用在交流上在这用是...?在这里变压器线圈电阻太小，电流大烧的。光耦后面直接连接上可控硅的控制端呀。

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31楼
小可可儿|  楼主 | 2015-8-31 13:29 | 只看该作者
结帖了，谢谢大家的帮助，楼主说得对，过包和了，我把光耦输出到2003之间的丙个电阻值调整了下，2003就不烧了，驱动可以了。

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32楼
ayl439| | 2015-10-24 13:50 | 只看该作者
MARK！学习！

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