小白请教可控硅！多谢！！

发表于 2015-9-15 08:58

本帖最后由刘东君于 2015-9-15 08:59 编辑

多谢各位前辈帮忙，问题找到了。。。原来是原理图和PCB不一致。。。。PCB上面U22的4脚是连接到光耦的G脚，没有连接到A1上！！这个郁闷

谢谢大家的帮忙！！！遗留问题好多！！！

发表于 2015-9-15 09:06

刘东君发表于 2015-9-15 08:37
我这个用了得有几十万块了吧，一直没问题，只是我不能理解关断和导通！！ ...

你个应用工程师要问拉么多为死马干马？哈哈,自已啃书吧

〓◆ 晶闸管,可控硅专辑 14册 131M ◆〓

登录 · 发表于 2015-9-15 09:11

谢谢大家的帮忙，这是我重新修改后的原理图，这样大家在帮忙下！

我用万用表量测 AG直接是个80欧姆的电阻，和书上说的是三极管的B,E极不太相符啊，前辈们能不能画个等效图啊？

这个图是不是，光耦导通时候电流比较大，所以可以控制BTA06的的打开啊，光耦关断通过2M电阻限流啊！！

发表于 2015-9-15 09:12

tyw 发表于 2015-9-15 09:06
你个应用工程师要问拉么多为死马干马？哈哈,自已啃书吧

〓◆ 晶闸管,可控硅专辑 14册 131M ◆〓

多谢T叔！！我去看看书了！！

登录 · 发表于 2015-9-15 09:36

等效电路来了

发表于 2015-9-15 11:16

mm7989680 发表于 2015-9-15 09:36
等效电路来了

这个为什么用万用表测量实物的时候 GATE与K直接是一个几十欧姆的电阻呢？而且根据测量 K1与G1电压基本相等，理解不了

登录 · 发表于 2015-9-15 12:56

G和K之间应该是PN结吧，等效电路只是方便理解工作时状态，实际内部

发表于 2015-9-15 16:18

maychang 发表于 2015-9-15 08:56
此电路当然可以用，结构简单明了。

老爷子看图不仔细，明显的错误，根本不能工不作~~~ :dizzy:

LZ在24楼，修改了图纸，这才算能工作~~~~ :lol

发表于 2015-9-15 16:25

laoxu 发表于 2015-9-15 16:18
老爷子看图不仔细，明显的错误，根本不能工不作~~~

哦，我回复的正是17楼mm7989680，说“可以用”是指17楼的图，不是指首帖的图。

发表于 2015-9-15 16:30

24楼图，还是使用两支光耦，何必呢？
25楼说“看书去了”，想必是楼主还没有看明白。

发表于 2015-9-15 16:39

maychang 发表于 2015-9-15 16:30
24楼图，还是使用两支光耦，何必呢？
25楼说“看书去了”，想必是楼主还没有看明白。 ...

为什么用2个光耦，我没考虑啊。。。我不明白的是当光耦断开的时候，为什么G 和K 电压只差零点几伏！！

登录 · 发表于 2015-9-15 16:47

本帖最后由刘东君于 2015-9-15 16:54 编辑

maychang 发表于 2015-9-15 16:30
24楼图，还是使用两支光耦，何必呢？
25楼说“看书去了”，想必是楼主还没有看明白。 ...

这样HF直接接 220V的交流电，那么用万用表测量，EF也是220V，EH之间是 0.5V，如果在EF直接接入个灯泡，直接就亮了！！

发表于 2015-9-15 17:35

刘东君发表于 2015-9-15 16:39
为什么用2个光耦，我没考虑啊。。。我不明白的是当光耦断开的时候，为什么G 和K 电压只差零点几伏！！ ...

“ 当光耦断开的时候，为什么G 和K 电压只差零点几伏”
二者之间只是一个PN结，你想要多大电压？

发表于 2015-9-15 17:36

刘东君发表于 2015-9-15 16:47
这样HF直接接 220V的交流电，那么用万用表测量，EF也是220V，EH之间是 0.5V，如果在EF直接接入个灯 ...

“ 如果在EF直接接入个灯泡，直接就亮了！！”
没错，灯泡这样接必亮。

还是慢慢看书吧。

刘东君 · 发表于 2015-9-15 18:08

maychang 发表于 2015-9-15 16:30
24楼图，还是使用两支光耦，何必呢？
25楼说“看书去了”，想必是楼主还没有看明白。 ...

这个设计不是LZ设计的，估计设计的年代比较早~~~~

原因1：
使用两支单相可控硅代替双向可控硅（早期的单相可控硅功率可做的大一些）。
原因2：
使用没有过零触过的光控可控硅串联触发下级可控硅（带过零的光控可控硅，推出时间要晚些）。

使用两支光控可控硅串联触发下级可控硅，特点：
1. 可提高工作耐压，由于LZ的电路是220V级的，不是380V级，使用两支光控可控硅串联触发下级可控硅，就显的多余了。
2. 可加大一点触发导通角，提高触发可靠性，由于LZ的电路没有采用带过零触过的光控可控硅触发下级可控硅，多串一级光控可控硅，可加大一些下级可控硅的最小导通角，从而提高触发可靠性。

发表于 2015-9-15 18:11

刘东君发表于 2015-9-15 16:39
为什么用2个光耦，我没考虑啊。。。我不明白的是当光耦断开的时候，为什么G 和K 电压只差零点几伏！！ ...

G 和K 之间电压，永远不能大于 0.7V（近似值），建议LZ仔细看一看 33楼的可控硅原理图，G 和K之间是一个PN结，其压降只能是 0.7V！！！

发表于 2015-9-15 18:32

laoxu 发表于 2015-9-15 18:08
这个设计不是LZ设计的，估计设计的年代比较早~~~~

原因1：

这个设计不是LZ设计的，估计设计的年代比较早~~~~
原因1：
使用两支单相可控硅代替双向可控硅（早期的单相可控硅功率可做的大一些）。
原因2：
使用没有过零触过的光控可控硅串联触发下级可控硅（带过零的光控可控硅，推出时间要晚些）。

是的。
早期的器件工艺水平，这样设计有其一定道理。
现在器件水平有很大提高，看来老板没有找工程师重新设计。

发表于 2015-9-16 09:51

maychang 发表于 2015-9-15 18:32
这个设计不是LZ设计的，估计设计的年代比较早~~~~
原因1：
使用两支单相可控硅代替双向可控硅（早期的单 ...

这个应该是这样的！用了好多年了！！

发表于 2015-9-16 09:54

laoxu 发表于 2015-9-15 18:08
这个设计不是LZ设计的，估计设计的年代比较早~~~~

原因1：

这是一个输出模块，可以给220V，也可以380V，我们把它做成一个模块了！

发表于 2015-9-16 09:56

laoxu 发表于 2015-9-15 18:11
G 和K 之间电压，永远不能大于 0.7V（近似值），建议LZ仔细看一看 33楼的可控硅原理图，G 和K之间是一个P ...

PN结的正反向电阻不应该是不一样的吗？现在测量着手里的可控硅正反向电阻都一样啊

小白请教可控硅！多谢！！

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