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小白请教可控硅!多谢!!

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楼主: 刘东君
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刘东君|  楼主 | 2015-9-15 08:58 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览
本帖最后由 刘东君 于 2015-9-15 08:59 编辑

   多谢各位前辈帮忙,问题找到了。。。原来是原理图和PCB不一致。。。。PCB上面U22的4脚是连接到光耦的G脚,没有连接到A1上!!这个郁闷

谢谢大家的帮忙!!! 遗留问题好多!!!

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tyw| | 2015-9-15 09:06 | 只看该作者
刘东君 发表于 2015-9-15 08:37
我这个用了得有几十万块了吧,一直没问题,只是我不能理解关断和导通!! ...

你个应用工程师要问拉么多为死马干马?哈哈,自已啃书吧

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刘东君|  楼主 | 2015-9-15 09:11 | 只看该作者
   谢谢大家的帮忙,这是我重新修改后的原理图,这样大家在帮忙下!

我用万用表量测 AG直接是个80欧姆的电阻,和书上说的是三极管的B,E极不太相符啊,前辈们能不能画个等效图啊?

这个图是不是,光耦导通时候电流比较大,所以可以控制BTA06的的打开啊,光耦关断通过2M电阻限流啊!!

QQ截图20150912160854.png (45.95 KB )

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刘东君|  楼主 | 2015-9-15 09:12 | 只看该作者
tyw 发表于 2015-9-15 09:06
你个应用工程师要问拉么多为死马干马?哈哈,自已啃书吧

〓◆ 晶闸管,可控硅专辑 14册 131M ◆〓

多谢T叔!! 我去看看书了!!

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mm7989680| | 2015-9-15 09:36 | 只看该作者
等效电路来了

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刘东君|  楼主 | 2015-9-15 11:16 | 只看该作者

这个为什么用万用表测量实物的时候 GATE与K直接是一个几十欧姆的电阻呢? 而且根据测量 K1与G1电压基本相等,理解不了

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mm7989680| | 2015-9-15 12:56 | 只看该作者
G和K之间应该是PN结吧,等效电路只是方便理解工作时状态,实际内部

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laoxu| | 2015-9-15 16:18 | 只看该作者
maychang 发表于 2015-9-15 08:56
此电路当然可以用,结构简单明了。

老爷子看图不仔细,明显的错误,根本不能工不作~~~  :dizzy:


LZ在24楼,修改了图纸,这才算能工作~~~~  :lol

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maychang| | 2015-9-15 16:25 | 只看该作者
laoxu 发表于 2015-9-15 16:18
老爷子看图不仔细,明显的错误,根本不能工不作~~~  

哦,我回复的正是17楼mm7989680,说“可以用”是指17楼的图,不是指首帖的图。

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maychang| | 2015-9-15 16:30 | 只看该作者
24楼图,还是使用两支光耦,何必呢?
25楼说“看书去了”,想必是楼主还没有看明白。

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刘东君|  楼主 | 2015-9-15 16:39 | 只看该作者
maychang 发表于 2015-9-15 16:30
24楼图,还是使用两支光耦,何必呢?
25楼说“看书去了”,想必是楼主还没有看明白。 ...

为什么用2个光耦,我没考虑啊。。。我不明白的是 当光耦断开的时候,为什么G 和K 电压只差零点几伏!!

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刘东君|  楼主 | 2015-9-15 16:47 | 只看该作者
本帖最后由 刘东君 于 2015-9-15 16:54 编辑
maychang 发表于 2015-9-15 16:30
24楼图,还是使用两支光耦,何必呢?
25楼说“看书去了”,想必是楼主还没有看明白。 ...

     这样HF直接接 220V的交流电,那么用万用表测量,EF也是220V,EH之间是 0.5V, 如果在EF直接接入个灯泡,直接就亮了!!

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maychang| | 2015-9-15 17:35 | 只看该作者
刘东君 发表于 2015-9-15 16:39
为什么用2个光耦,我没考虑啊。。。我不明白的是 当光耦断开的时候,为什么G 和K 电压只差零点几伏!! ...

“ 当光耦断开的时候,为什么G 和K 电压只差零点几伏”
二者之间只是一个PN结,你想要多大电压?

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maychang| | 2015-9-15 17:36 | 只看该作者
刘东君 发表于 2015-9-15 16:47
这样HF直接接 220V的交流电,那么用万用表测量,EF也是220V,EH之间是 0.5V, 如果在EF直接接入个灯 ...

“ 如果在EF直接接入个灯泡,直接就亮了!!”
没错,灯泡这样接必亮。

还是慢慢看书吧。

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laoxu| | 2015-9-15 18:08 | 只看该作者
maychang 发表于 2015-9-15 16:30
24楼图,还是使用两支光耦,何必呢?
25楼说“看书去了”,想必是楼主还没有看明白。 ...

这个设计不是LZ设计的,估计设计的年代比较早~~~~

原因1:
使用两支单相可控硅代替双向可控硅(早期的单相可控硅功率可做的大一些)。
原因2:
使用没有过零触过的光控可控硅串联触发下级可控硅(带过零的光控可控硅,推出时间要晚些)。

使用两支光控可控硅串联触发下级可控硅,特点:
1. 可提高工作耐压,由于LZ的电路是220V级的,不是380V级,使用两支光控可控硅串联触发下级可控硅,就显的多余了。
2. 可加大一点触发导通角,提高触发可靠性,由于LZ的电路没有采用带过零触过的光控可控硅触发下级可控硅,多串一级光控可控硅,可加大一些下级可控硅的最小导通角,从而提高触发可靠性。

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刘东君 + 6 很给力!
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laoxu| | 2015-9-15 18:11 | 只看该作者
刘东君 发表于 2015-9-15 16:39
为什么用2个光耦,我没考虑啊。。。我不明白的是 当光耦断开的时候,为什么G 和K 电压只差零点几伏!! ...

G 和K 之间电压,永远不能大于 0.7V(近似值),建议LZ仔细看一看 33楼的可控硅原理图,G 和K之间是一个PN结,其压降只能是 0.7V!!!

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maychang| | 2015-9-15 18:32 | 只看该作者
laoxu 发表于 2015-9-15 18:08
这个设计不是LZ设计的,估计设计的年代比较早~~~~

原因1:

这个设计不是LZ设计的,估计设计的年代比较早~~~~
原因1:
使用两支单相可控硅代替双向可控硅(早期的单相可控硅功率可做的大一些)。
原因2:
使用没有过零触过的光控可控硅串联触发下级可控硅(带过零的光控可控硅,推出时间要晚些)。

是的。
早期的器件工艺水平,这样设计有其一定道理。
现在器件水平有很大提高,看来老板没有找工程师重新设计。

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刘东君|  楼主 | 2015-9-16 09:51 | 只看该作者
maychang 发表于 2015-9-15 18:32
这个设计不是LZ设计的,估计设计的年代比较早~~~~
原因1:
使用两支单相可控硅代替双向可控硅(早期的单 ...

这个应该是这样的! 用了好多年了!!

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刘东君|  楼主 | 2015-9-16 09:54 | 只看该作者
laoxu 发表于 2015-9-15 18:08
这个设计不是LZ设计的,估计设计的年代比较早~~~~

原因1:

这是一个输出模块,可以给220V,也可以380V,我们把它做成一个模块了!

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刘东君|  楼主 | 2015-9-16 09:56 | 只看该作者
laoxu 发表于 2015-9-15 18:11
G 和K 之间电压,永远不能大于 0.7V(近似值),建议LZ仔细看一看 33楼的可控硅原理图,G 和K之间是一个P ...

PN结的正反向电阻不应该是不一样的吗? 现在测量着手里的可控硅 正反向电阻都一样啊

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