请教关于PRM中RAM-NO_INIT

发表于 2007-12-18 08:54

1:我看张教主的关于CW的说明中,通过对PRM文件的修改,可以在上电对RAM进行管理(可以清0,也可以不清0),那么我想问是否种做法和把变量声明成persistent一样     2:这个Z_RAM的区域和RAM有什么不同吗

发表于 2007-12-18 21:20

CW的C编译器不支持persistent变量修饰定义，不能向Hi-tech的PICC编译器那样定义非清0变量； Z_RAM和RAM的区别很清楚，看prm文件中这两部分对应的RAM地址就明白了

发表于 2007-12-19 08:45

1: CW的C编译器不支持persistent变量修饰定义，不能向Hi-tech的PICC编译器那样定义非清0变量；   这个问题我清楚了 2:Z_RAM和RAM的区别   我可能没有说清楚,因为我是从C学习FSL的,所以对低层的硬件结构不是太清楚,我想问的是Z_RAM和RAM的使用上是不是内似430的R寄存器,可以直接对总线操作,速度最快,在子程序中如果没有声明成static 临时变量都会放在这个区域

发表于 2007-12-19 17:08

一般在PRM文件中，Z_RAM是指地址范围00-FF的RAM区，这一区域可以用单片机直接寻址的方式访问，速度快，代码短。特别是针对所有直接位操作的指令，它们只能访问这一区域。0x100以上即PRM文件标定的RAM区只能用HX寄存器组（16位指针）间接寻址，速度稍慢，代码稍长。 只要记住地址范围不同而造成的寻址方式区别这一关键点就可以了。至于Z_RAM或RAM那是你自己可以随便给个名字的，如果你喜欢。

发表于 2007-12-21 09:05

好的，谢谢教主指点 

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谢谢教主指点

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RE 张教主

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