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驱动电机的MOS管为什么会烧坏?

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tc9148|  楼主 | 2008-12-9 15:13 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
quakegod| | 2008-12-9 16:38 | 只看该作者

注意

1首先,D8是一定要加的,这个二极管就是续流二极管,而且电流要和你选用的MOSFET的电流差不多,而且要用快速的二极管。
D7可加,可不加,因为本身MOSFET里已经有这样一个二极管了。
2其次,通过差资料,FDP6035AL虽然是一个30V48A,逻辑电平控制的管子,
但是最低使用电压是4.5V电平驱动,推荐还是10V最好,使用3.3V来驱动是绝对不行的。
3最后,不知道你的电机功率是多大,内阻是多少,不过看你选这样的管子,电机的电流应该不会小,但是你的电流采样电阻居然用了1+0.22欧姆的电阻,这样MOSFET上的Vgs就等于Vg-Vs,从手册上可以,MOSFET开启电压为2-2.5V左右,所以电流只要超过0.6A-1A左右,管子就会进入放大区,而电机又在堵转,此时的结果是大约会有22-23V的压降落在MOSFET上,发热功率越20多W,管子KO

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板凳
xwj| | 2008-12-9 17:02 | 只看该作者

呵呵,LS 正解

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地板
lifan| | 2008-12-9 20:58 | 只看该作者

为什么你们都这么厉害呢?

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tc9148|  楼主 | 2008-12-9 21:27 | 只看该作者

TO:quakegod

分析的真透彻啊,茅塞顿开啊。

根据你的分析,我说说我的看法:电机堵转发生时,电流增大,取样电压升高,Vgs减小,MOS管接近截止,但是电机由于堵转,流过的电流增大,于是,MOS管的Vds基本上等于24V了,24V太接近MOS管的PDF说的Vds极限电流30V,于是MOS管挂了。对不对?

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6
flyu1985| | 2008-12-11 11:24 | 只看该作者

驱动电机的MOS管为什么会烧坏?

堵转烧MOS怎么解决了????

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7
maxwellpin| | 2008-12-11 21:18 | 只看该作者

选材是关键

就这个电路的连接方式,因为你的地处理的问题,测流电阻越小越好,这样才能保证MOSFET GS端的电压处于开关两种状态,测流电阻大的话会导致MOS工作在可变电阻区,功耗加大,极容易烧毁。如果测流电阻不该得话,也可以将控制IC的地接在MOS的S端,电流采样部分需要能负电压采样,或者两种都采用。

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