请教：脉冲变压器饱和会导致可控硅误触发吗？

发表于 2015-12-4 22:49

用4个可控硅设计了一个H桥，测试过程中发现存在极小概率的上下管直通，从而烧毁板子。由于控制程序中已经充分考虑了时序问题，特别是一个方向的对角两管的控制是在另一个方向的对角可控硅电流充分过零之后才打开。但仍然存在小概率的直通发生。由于我采用了脉冲变压器的驱动方式，本身是用的多个脉冲的方式。我想问的是，万一脉冲的调制电路出了问题，不是多个小脉冲发出而是一个宽脉冲发出的话，如果导致脉冲变压器饱和了，有可能误触发可控硅吗？
谢谢。

发表于 2015-12-5 10:58

大家都知道脉冲变压器不能饱和，但不知道饱和会造成什么后果，请指教。

发表于 2015-12-5 20:05

小研究发表于 2015-12-5 10:58
大家都知道脉冲变压器不能饱和，但不知道饱和会造成什么后果，请指教。

用于触发晶闸管的脉冲变压器铁芯饱和后次级感生电动势很小，所以不会误触发，只可能丢失触发。

发表于 2015-12-5 21:32

maychang 发表于 2015-12-5 20:05
用于触发晶闸管的脉冲变压器铁芯饱和后次级感生电动势很小，所以不会误触发，只可能丢失触发。 ...

谢谢张老师。
思来想去还是等待过零的时间不够充分，我已经把前级动作的过零延时加倍在测试了。

发表于 2015-12-8 11:04

1）折衷效率，选取一个合适的死区时间；
2）增加保护电路，同时监测上下管的驱动信号，如果同时有效，则关闭驱动。

请教：脉冲变压器饱和会导致可控硅误触发吗？

相关帖子

浏览过的版块

社区建设奖章

欢快之小溪

技术新星奖章

常驻人口

技术高手奖章

以坛为家

湍急之河流