手机MIC电路为什么要这样接？

只看该作者 · 2009-8-13 19:53

问题在于R200 R201 R202 R203为何要分开接,而不是将R200 201合成一个，R202 203合成一个？还有c200的作用是不是跟c203一样？大家帮忙回答一下，谢谢了！

4万 · 2009-8-13 20:32

该电路是长线平衡式MIC输入电路，那几个电阻和C200的目的是为了给MIC提供稳定的工作偏置电压，如果每臂电阻合成为一个，那C200的作用就起不到了，于EMC特性不利，噪声可能因此加大。当然，该电路也可以有其它设计，主要由应用环境决定，就近在模块旁安装MIC的话，可以大幅简化，但使用手柄之类的长线的话，还是谨慎设计为上。

1万 · 2009-8-13 21:01

那是为了减弱电源对音频的干扰，由于是差分所以要分成2个使电路对称。

只看该作者 · 2009-8-13 21:45

差分结构，目的只有一个，抑制GSM射频信号在信号线上产生217Hz的调幅干扰。
这里几乎没有额外考虑“电源对音频的干扰”的问题。

只看该作者 · 2009-8-14 10:57

非常感谢上面几位的回答！
还有一个问题：
电容c200直接直接在两个电阻之间，即使有交流流过，那也虑不了，只是可能交流通过c200从这个电阻上流到那个电阻上了，关键是c200没有一个接地端，也不可能弄个接地端，不知道我的分析哪儿有错，请大家指正，谢谢了！

4万 · 2009-8-14 12:23

楼上好好想想，C200是为了滤哪条回路？电阻的上下臂又各接在何处？你想明白了，就知道错在哪里，答案其实就在前面。

只看该作者 · 2009-8-14 21:44

我也想知道啊

2万 · 2009-8-14 22:51

8楼的资料不错！
主要就是GSM的间歇发射模式干扰太大，而跳变频率为217Hz，人耳直接能听到

大家可能都见过这样的现象：
如果手机放在有源音箱旁边，经常手机一响，音箱里就嘟嘟的叫，这就是被干扰了
而手机和音响隔那么远都被明显干扰到了，如果手机内部不做处理，那手机自己内部那么近的音频电路还不得被干扰成什么样呢？
呵呵:)

2万 · 2009-8-14 23:20

呵呵，很多人又会问了：
手机不是900M和1.8G、2G、3G的吗？怎么会干扰到音箱而且让人听到呢？
这就得说说检波效应和交叉调制了:)

大家都知道，我们现在的电子电路都是基于半导体技术的，也就是说芯片里全都是PN结堆积而成的
当射频信号通过空间耦合窜入芯片时，不可避免的会在每个PN结上产生或多或少的整流、检波效应
并给结电容、或其他的电容充电，从而或多或少的检波出各种频率的包络信号（也就是射频幅值曲线）
而音响的放大电路放大倍数不小，输入阻抗又高，把这些微小的包络信号音频频率范围内的部分放大，就在喇叭里发出怪声来了;P

GSM是以时隙方式发射的，也就是每个用户以217Hz的频率间隔用很大的功率每次发射极短的时间，让每个用户的发射时间错开，从而让很多用户“同时”同频的使用有限的频率资源
由于发射的功率很大，变化频率又在音频频率范围内，那么检波、放大后自然就会有217Hz频率的嘟嘟声了;P

再换个方向分析：
大家都知道，所有的放大电路都不是理想线性的，当足够强射频干扰窜入芯片、放大器件输入端时，器件内部也要对其放大，放大后必然会叠加在正常的音频信号上。虽然这是窜入的是射频信号，但由于放大器的线性不可能是理想的，所以必然存在交叉调制，并差拍出各种频率；而且，大功率信号的传入，必然也会影响电路的工作点，最终的输出上也会多少包含射频的包络信号... 然后通过放大，在喇叭中发出来。:)

既然射频窜入会干扰到音频，那我们就严防死守，用电感堵、用电容短、一级不行就搞多级...
严守每个地方（连喇叭线上都有），直到所有的外部长线引脚都不会被射频信号窜入...
这是当然也就听不到这个干扰声啦~

所以呢，手机里的MIC电路真“复杂”啊~咋那么多“没用”的电感、电容哩？？？
呵呵;P

1万 · 2009-8-15 14:28

C200是为了抑制GSM射频信号？不能理解。。。

只看该作者 · 2009-8-16 01:10

C200是个差模阻尼衰减？22u是不是大了点

只看该作者 · 2009-8-16 04:26

明明是电源滤波电路，怎么改成差动的就开不出来了呢。
R200和C200是RC滤波,R201是负载电阻。
更确切的说，是R200,R203,C200是RC滤波，R201,R202是负载电阻。
你可以把C200看成两个电容串联，中间接地,这样就变成单边的电路了，但是实际不能那么接。

2万 · 2009-8-16 06:36

支持LS各位。
此贴是好贴，要顶

1万 · 2009-8-16 10:31

俺的理解是：
C200是为了稳定MIC的供电电压，就是为了减弱射频发射时的电源波动对MIC的影响。
那几个小电容是旁路吸收到的射频。

4万 · 2009-8-16 12:10

楼上说的不错。

1万 · 2009-8-16 23:19

呵能得到大侠的一点肯定高兴一下。。。

只看该作者 · 2009-8-17 12:10

这个电路就是充分考虑了EMC的产品级设计，

基本功能很简单，就是MIC音频信号输入，但是，考虑上EMC就要增加很多额外器件。产品和开发板玩具的差别就在这里。

MIC接收音频声波，电容发生变化，引起电流变化，经内部FET放大变成电压信号输出，通过隔直电容(C201、C202)耦合到下一级放大器输入。

MIC内部有10PF电容滤波1800Mhz，33PF电容滤波GSM900Mhz噪声。FET工作需要偏置，500微安时，工作点位于线性放大区中点，信号动态范围最大。R200、R201、R202、R203就是FET的直流偏置电阻，保证电流为500微安，即：(Vp-Vn)/(R200 + R201 + R202 + R203) = 500uA。

T200、T201是瞬态抑制，防静电、浪涌什么的。

B200、B201磁珠消除高频干扰，对内对外都防。

C204、C205消除共模干扰噪声，C203消除差模干扰噪声，这些电容值比较小，对音频信号无影响。

R200、R203、C200构成差分RC低通滤波器，滤除电源上的干扰和纹波。RC的好处是可以吸收噪声能量，理想电容不消耗能量，另外，有串联电阻，上电时不会产生冲击电流。C200可以想象成中间接地，就好理解了。

www.armecos.com

只看该作者 · 2009-8-17 12:48

实际电路应用MICBIASP,MICBIASN是分别接VCC和GND么？
我吧TEA1062改成1楼的图，MIC差分输入。不能正常通话，有扑扑声音，示波器测量后是三角波。

只看该作者 · 2009-8-17 13:08

对的；
但1062的MIC输入灵敏度太高，若使用驻极体MIC，需要衰减后输入

只看该作者 · 2009-8-17 20:26

有没有具体的方案啊？？？？

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