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已获得专利保护授权的电路,分享给各位。

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楼主: mcuisp
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maychang| | 2009-10-9 06:31 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
本帖最后由 maychang 于 2009-10-9 06:37 编辑

看来,楼主这个专利申请得很没有必要。
专利是一种权利,是政府授予专利权人的,这种产品只准许专利权人生产出售,不准他人生产出售,不是一种荣誉,也不是学术成就。
申请专利权就是为了经济利益,若不是为了经济利益,那就根本没有必要申请专利权。申请是要花钱的,授权后每年都要缴费的,发明专利花得更多。
既然是自用技术,并不想靠它赚钱,何必花钱去申请?而且,专利的特征就是“共享”,自用的技术,何必公开呢?
楼主点我的名,要“不吝赐砖”,所以多说两句。

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again_gyf| | 2009-10-9 08:34 | 只看该作者
发现楼主的电路我们早有在产品中使用了!没什么特别的!

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maychang| | 2009-10-9 08:55 | 只看该作者
哇!
楼主诉22楼侵权不?

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mcuisp|  楼主 | 2009-10-9 10:23 | 只看该作者
本帖最后由 mcuisp 于 2009-10-9 10:26 编辑

专利并不一定就要拿来卖吧。我用来保护EP868,防止别人照抄,就是这个用途而已。
另外,很多人申请专利,只是探路而已,防止侵犯别人的专利。
这个电路,本质就是模拟开关而已,确实没什么特别的。很多锂电池充电电路、、、、等等都有用到这种模拟开关。22楼的发现不出奇,呵呵。
实用新型,本来创新高度要求不高。
我只是把这个电路用于编程器的IO接口保护和隔离而已,这个方面我估计以前是没有人用过。我权利要求书里要求的产品范围就是仿真器、编程器而已。
除非22楼的产品是仿真器、编程器,而且这个电路又是用在接口线的保护上,否则不影响新颖性。
如果22楼的产品、用途完全落在权利要求的范围内。那就要举证来否定我的专利,否则我是可以主张的我权利的,呵呵:)。这个举证是比较难的,花的精力和时间会大于我申请的花费。

我点名MayChang和ChunYang大师,并不是跟你们讨教专利知识,是想借重您对模拟电路的功底,对这个电路做些品鉴。比如保护作用、隔离作用的实际效果如何,是否有更理想的方法达到更好的效果。甚至发展开去,讨论下这种分立MOSFET构成模拟开关还在哪些场合可以用到。
这里是技术交流,为什么大家只针对“专利”二字,完全无视“技术”。
抛开专利,我这篇说明书难道没一点技术含量么?
大师您砖是抛了几个,呵呵。不过我想要的是技术砖。专利知识我虽然不算特别精通,但也不是法盲了。其实从您21楼的帖子,可以看出您的专利认识有些误区。

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李冬发| | 2009-10-9 10:54 | 只看该作者
专利法规定,要是自己不使用就是强制卖。
卖不出去的另当别论。

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mcuisp|  楼主 | 2009-10-9 11:14 | 只看该作者
本帖最后由 mcuisp 于 2009-10-9 11:16 编辑

呵呵,这个我已经使用了。
想把冬发兄指教的经典IO保护电路贴出来讨论下,请别介意。
:IO串电阻和接限位二极管
假设编程器的IO被错误接到15V电压,串了100ohm电阻。
此时该电阻流过100mA电流(假设5V电源系统),功耗为1W。0805的电阻相信支持不到2秒。
而5V电源系统被灌了这100mA,电压一定会抬高!!!

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maychang| | 2009-10-9 11:28 | 只看该作者
楼主既是想讨论技术问题,那就暂先不讨论专利,咱们讨论技术。
这种“头对头”或“脚对脚”的分立MOSFET接法,可以用作双向开关。普通的单支MOSFET只是单向开关,另一方向由于MOSFET体内二极管,是导通的。在交流电路中常用到。这种接法,专利文献里面至少出现过几十次。
可以用四支二极管构成桥式电路,开关管接在桥的一根对角线上,待控制电路接在另一对角线上,这样成本较低,但因电流通过三个元件,压降较大。对角线上的控制元件不一定是MOSFET,也可以是BJT。

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mcuisp|  楼主 | 2009-10-9 11:42 | 只看该作者
非常感谢MayChang!
从我的说明书里可以看出以下几点:
NMOSFET对管构成的模拟开关,只能对付高于地电平的信号电平。对于低于地电平的信号,将常闭。
PMOSFET刚好相反。
所以要能对付+-30V的电压,必须用N一对和P一对,进行串联。
用分立器件构成模拟开关相比集成的模拟开关芯片,好处是体二极管是浮动的,而集成模拟开关中的MOSFET,体二极管统统连到基底。
MAXIM有几款很有特色的模拟开关,比如+36V工作范围、过压保护等,不过它的IC咱用不起。
由于没找到合适的+-30V的ESD管,所以EP868目前只用一对N管,只能对付0~15V的电压,超出的电压,将被ESD保护管钳位。
各位是否知道+-17V~+-30V的双向ESD管?很难找呀,用这个的场合很少。

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maychang| | 2009-10-9 11:50 | 只看该作者
MOSFET的驱动信号悬浮起来,只用一种极性的管子就可以了。

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mcuisp|  楼主 | 2009-10-9 14:23 | 只看该作者
本帖最后由 mcuisp 于 2009-10-9 14:24 编辑

不错。不过G极有20V的稳压管钳压,感觉蛮难把握。
而且用一对管子,无法保证控制电压掉电时的隔离,因为掉电时G极的控制电压一般为地电压。如果用N MOS对管,负电压是导通的。
而用2对管子,掉电时才可以保证隔离,因为正电压被N管干掉了,负电压被P管干掉了。

比如5V的VDDIO,把输入电压钳位在0~5V是最理想的,用2对管子,不导通的控制电压两个都为地电位,而导通的控制电压,对N管为VDDIO+Vtg,7V左右;P管只要-Vtg,为-2.5V左右。

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谈的元| | 2009-10-9 20:00 | 只看该作者
顶顶,就是别人不能用你这个电路了?

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mcuisp|  楼主 | 2009-10-9 21:55 | 只看该作者
本帖最后由 mcuisp 于 2009-10-9 22:18 编辑

可以用呀!
专利法本身的目的就是促进技术共享。我发这个帖子的目的也是技术交流。
如果不是仿真器或者编程器,尽管用。
是的话,可以和我谈,一切好说,呵呵。

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jackboy| | 2009-10-10 12:34 | 只看该作者
这个电路在我们的产品中用来做小电源开关,楼主想到用来做保护电路,构思不错

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thanksgiving| | 2009-10-10 14:35 | 只看该作者
lol....

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eyecan| | 2009-10-10 16:51 | 只看该作者
哈哈  楼主满强的,从无到有想出来这个电路还算很牛的。
这个在audio mute电路里面用的很多,低成本关断音频输出用的。笔记本电脑里用的很多。呵呵 竟然被楼主申请专利了。

1# mcuisp

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maychang| | 2009-10-10 19:33 | 只看该作者
回30楼:
驱动信号用高频(100kHz以上),隔离用小高频变压器,E8铁心。变压器次级是个整流电路,例如四支4148桥式整流。
变压器初级施加高频信号,次级整流输出,两支MOSFET导通,变压器初级不施加高频信号,次级整流没有输出,两支MOSFET截止。共模电压高到1000V也毫无问题,只要变压器初次级之间能够承受即可。

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mcuisp|  楼主 | 2009-10-10 23:18 | 只看该作者
谢MayChang指点。
变压器控制的方式其实性能指标比主贴电路更好,但是目前EP868有9条IO线,如果用9个变压器,成本和体积可能都会与TI的FET430用的固态继电器相当。
我当时构思的一个原则,就是用的器件一定要是大路货,便宜货,要是标准品。
现在小信号的MOSFET是非常便宜的。
不知道国外那些卖几万的在线编程器是如何实现IO保护的。

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LiangXinJi| | 2009-10-11 09:49 | 只看该作者
做个记号!

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yewuyi| | 2009-10-11 10:49 | 只看该作者
前段时间不是有人发那ADI的磁隔离芯片吗?

呵呵,感觉给你用正好。。。

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yewuyi| | 2009-10-11 10:50 | 只看该作者
反正都是数字信号,用那似乎再确当不过了。。。

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