MOSFET的反向恢复

只看该作者 · 2016-2-21 20:45

反向恢复时间是由电荷存储效应引起的

2万 · 2016-2-21 20:46

反向恢复时间的怎样测定

2万 · 2016-2-21 20:46

开通时间与反向恢复时间哪个长?

只看该作者 · 2016-2-21 20:46

pmp 发表于 2016-2-21 20:46
开通时间与反向恢复时间哪个长?

开通是电子的运动,基本上是不需要时间的,

只看该作者 · 2016-2-21 20:47

就是存储电荷耗尽所需要的时间。

只看该作者 · 2016-2-21 20:47

cehuafan 发表于 2016-2-21 20:46
开通是电子的运动,基本上是不需要时间的,

只要达到导通电压就会导通而反向恢复是正电荷的载流子的运动,所以是需要时间

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pmp 发表于 2016-2-21 20:46
开通时间与反向恢复时间哪个长?

根据其晶圆的不同以及P/N距离不同，会有不同的反向恢复时间。

2万 · 2016-2-21 20:50

向恢复电流IRR越高，T3时刻后的di/dt也越高

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软度系数来衡量在此阶段的恢复特性

只看该作者 · 2016-2-21 20:50

因复合而消失的时间的长短

2万 · 2016-2-21 20:51

通过较好的布线减小线路的寄生电感

2万 · 2016-2-21 20:52

峰值反向恢复电流密度

2万 · 2016-2-21 20:52

从而减小在反向恢复过程

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反向恢复电流主要由扩散电流来维持

只看该作者 · 2016-2-21 20:52

强大的反向恢复性

2万 · 2016-2-21 20:53

MOSFET的特点

2万 · 2016-2-21 20:54

最大限度减少在发生故障时对试验电路的损坏

2万 · 2016-2-21 20:55

因此控制IRR的大小有助于控制di/dt的大小。

只看该作者 · 2016-2-21 20:55

反向恢复时间测试的必要

2万 · 2016-2-21 20:55

外加电压极性翻转时，原工作状态相应的变化不能在瞬间完成