MOSFET的反向恢复

| 2016-2-21 20:56 | 只看该作者回帖奖励

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TRR测试方法呢

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42楼

| 2016-2-21 21:02 | 只看该作者

反向恢复电流比反向电流大得多

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43楼

| 2016-2-21 21:02 | 只看该作者

肖特基二极管的反向恢复时间最小

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44楼

| 2016-2-21 21:03 | 只看该作者

测试二极管的反向恢复特性一般都需要复杂的测试设备

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45楼

pmp|

| 2016-2-21 21:03 | 只看该作者

反向恢复时间短

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46楼

| 2016-2-21 21:03 | 只看该作者

反向恢复过程，实际上是由电荷存储效应引起的

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47楼

| 2016-2-21 21:04 | 只看该作者

上升下降的时间就是反向恢复时间

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48楼

| 2016-2-21 21:04 | 只看该作者

MOS寄生二极管是普通二极管结构，其反向恢复时间不能满足开关要求。

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49楼

| 2016-2-21 21:05 | 只看该作者

特基二极管就是为了减小反向恢复时间

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50楼

| 2016-2-21 21:05 | 只看该作者

压降会大一些,反向恢复时间会长一些

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51楼

| 2016-2-21 21:22 | 只看该作者

如果频率不高的话,可能也没有问题

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52楼

| 2016-2-21 21:22 | 只看该作者

峰值电流就是反向恢复电流。在高频中会带来很大损耗。

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53楼

| 2016-2-21 21:22 | 只看该作者

快恢复二极管

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54楼

pmp|

| 2016-2-21 21:27 | 只看该作者

肖特基二极管:反向耐压值较低(一般小于 150V),通态压降 0.3-0.6V,小于 10nS 的反向恢复时间

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55楼

| 2016-2-21 21:27 | 只看该作者

截止转为正向导通所需的时间为正向恢复时间，这个时间同反向恢复时间相比很短

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56楼

| 2016-2-21 21:27 | 只看该作者

抑制反向恢复电流,缩短恢复时间

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57楼

| 2016-2-21 21:28 | 只看该作者

反向恢复电流就是由寄生电容造成的

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58楼

| 2016-2-21 21:28 | 只看该作者

现在的开关电源工作频率越来越高,反向恢复时间不可忽视。

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59楼

| 2016-2-21 21:32 | 只看该作者

它对开关速度的影响很小

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60楼

| 2016-2-21 21:32 | 只看该作者

从器件本身出发