MOSFET的反向恢复

发表于 2016-2-21 20:56

TRR测试方法呢

发表于 2016-2-21 21:02

反向恢复电流比反向电流大得多

发表于 2016-2-21 21:02

肖特基二极管的反向恢复时间最小

发表于 2016-2-21 21:03

测试二极管的反向恢复特性一般都需要复杂的测试设备

发表于 2016-2-21 21:03

反向恢复时间短

发表于 2016-2-21 21:03

反向恢复过程，实际上是由电荷存储效应引起的

发表于 2016-2-21 21:04

上升下降的时间就是反向恢复时间

发表于 2016-2-21 21:04

MOS寄生二极管是普通二极管结构，其反向恢复时间不能满足开关要求。

发表于 2016-2-21 21:05

特基二极管就是为了减小反向恢复时间

发表于 2016-2-21 21:05

压降会大一些,反向恢复时间会长一些

发表于 2016-2-21 21:22

如果频率不高的话,可能也没有问题

发表于 2016-2-21 21:22

峰值电流就是反向恢复电流。在高频中会带来很大损耗。

发表于 2016-2-21 21:22

快恢复二极管

发表于 2016-2-21 21:27

肖特基二极管:反向耐压值较低(一般小于 150V),通态压降 0.3-0.6V,小于 10nS 的反向恢复时间

发表于 2016-2-21 21:27

截止转为正向导通所需的时间为正向恢复时间，这个时间同反向恢复时间相比很短

发表于 2016-2-21 21:27

抑制反向恢复电流,缩短恢复时间

发表于 2016-2-21 21:28

反向恢复电流就是由寄生电容造成的

发表于 2016-2-21 21:28

现在的开关电源工作频率越来越高,反向恢复时间不可忽视。

发表于 2016-2-21 21:32

它对开关速度的影响很小

发表于 2016-2-21 21:32

从器件本身出发

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