IR2110全桥驱动的波形

登录 · 发表于 2016-4-25 15:27

zyj9490 发表于 2016-4-25 15:16
不明白你说的什么意思？

不好意思，刚才没看懂，现在懂了，HO输出的波形的下降沿是因为，上下MOS管都关闭了，然后IR2110的HO端没有接MOS管的话，就是一个高电平，谢谢大神了

发表于 2016-4-25 15:33

平漂流发表于 2016-4-25 15:27
不好意思，刚才没看懂，现在懂了，HO输出的波形的下降沿是因为，上下MOS管都关闭了，然后IR2110的HO端没 ...

理解力还行。

登录 · 发表于 2016-4-25 15:55

zyj9490 发表于 2016-4-25 15:24
不要下管，在上管VS处接一个下拉电阻，会不会存在过渡平台呢？你试了没有。 ...

刚按照你说的，试了一下，测得HO端的波形如下图所示，我用的是1.2K的贴片电阻。我想问的是，为什么没有下管，上管也可以工作啊，这样的原理是什么

发表于 2016-4-25 16:10

zyj9490 发表于 2016-4-25 15:16
不明白你说的什么意思？高电平的过渡平台，是上管已关闭，下管还没有导通，由分布电容的储存的电量无处放 ...

“由分布电容的储存的电量无处放掉造成的”这个分布电容，是MOS管的栅源间的电容吗？还有，可不可以这样理解，由于，IR2110S的HO和LO，均不接MOS时，LO处的波形是正常的放大，而HO处波形就是一个高电平（做实验检验过）。而当我在HO和LO处均接上MOS时，HO处的高电平的过度平台的存在，是相当于上管下管都不存在，所以就有了那个平台

发表于 2016-4-25 16:14

zyj9490 发表于 2016-4-25 15:16
不明白你说的什么意思？高电平的过渡平台，是上管已关闭，下管还没有导通，由分布电容的储存的电量无处放 ...

“高电平的过渡平台，是上管已关闭，下管还没有导通，由分布电容的储存的电量无处放掉造成的，此时属于浮置状态。”这里面的“浮置”是什么意思？

发表于 2016-4-25 19:05

平漂流发表于 2016-4-25 15:16
您说的那个“负载”是什么？然后您说的那个“高端是浮动的”又是什么意思啊？我是菜鸟，请解释，要是您觉 ...

负载是指MOS管的输出。
高端是浮动的，是说VS点的电压，是随着输出电压变化的。

发表于 2016-4-25 22:01

平漂流发表于 2016-4-25 16:14
“高电平的过渡平台，是上管已关闭，下管还没有导通，由分布电容的储存的电量无处放掉造成的，此时属于浮 ...

电何没有放掉通道，或显高阻态。

发表于 2016-4-25 22:02

平漂流发表于 2016-4-25 15:55
刚按照你说的，试了一下，测得HO端的波形如下图所示，我用的是1.2K的贴片电阻。我想问的是，为什么没有下 ...

图形就说明了一切。是死区造成的。

发表于 2016-4-26 09:15

zyj9490 发表于 2016-4-25 22:02
图形就说明了一切。是死区造成的。

谢谢大神

发表于 2016-4-26 09:24

戈卫东发表于 2016-4-25 19:05
负载是指MOS管的输出。
高端是浮动的，是说VS点的电压，是随着输出电压变化的。 ...

谢谢大神

发表于 2016-4-26 09:28

zyj9490 发表于 2016-4-25 22:02
图形就说明了一切。是死区造成的。

去掉LO端的MOS管，然后在Vs处加一个下拉电阻，然后就消除了死区时间对HO输出信号的影响，那也就是说，下管MOS(LO端的MOS管)的作用其实就是释放掉HO端的高电平的过度平台？

发表于 2016-4-26 14:14

是的，但死区是必要的，要适当，不然有直通的风险。

发表于 2016-4-26 14:15

平漂流发表于 2016-4-25 15:55
刚按照你说的，试了一下，测得HO端的波形如下图所示，我用的是1.2K的贴片电阻。我想问的是，为什么没有下 ...

为何一定要下管配合呢？

发表于 2016-4-26 14:19

平漂流发表于 2016-4-25 16:14
“高电平的过渡平台，是上管已关闭，下管还没有导通，由分布电容的储存的电量无处放掉造成的，此时属于浮 ...

没有一个低内阻的电源跟它联结。就这个意思，上管通时，相当于低内阻的电源相连，下管导通时，相当于低内阻的地电源与它相连，下拉电阻时，相当于有内阻的地电源与它，相连，因此下降沿就不是那样陡了。

发表于 2016-4-26 15:59

zyj9490 发表于 2016-4-26 14:15
为何一定要下管配合呢？

恩，我懂了，下管的作用是放掉分布电容的电量，然后去掉下管，直接在Vs处加一个下拉电阻，就可以放掉分布电容的电。

发表于 2016-4-26 18:58

平漂流发表于 2016-4-26 15:59
恩，我懂了，下管的作用是放掉分布电容的电量，然后去掉下管，直接在Vs处加一个下拉电阻，就可以放掉分布 ...

放电何的速率没有那么快而已。

登录 · 发表于 2016-4-26 22:20

zyj9490 发表于 2016-4-26 18:58
放电何的速率没有那么快而已。

大神，请问一下，MOS管发烫是怎么回事？原理图上面已发，两个IR2110S驱动4个MOS管，然后4个MOS管都发烫。(原理图的最右边的那个座子P1,就是在那4个并联的电容的下面的那个座子是接的谐振线圈)，最下面的那个采样电阻R10，R10=1欧，贴片电阻，已经烧了两个。。。然后我就把R10去掉。短路那一部分，这样的情况下导致前面所说的4个MOS管发烫。我应该换成什么样的电阻？

发表于 2016-4-27 00:05

本帖最后由 zyj9490 于 2016-4-27 00:06 编辑

平漂流发表于 2016-4-26 22:20
大神，请问一下，MOS管发烫是怎么回事？原理图上面已发，两个IR2110S驱动4个MOS管，然后4个MOS管都发烫。 ...

是接的串联谐振线圈吗？负载什么特性？

发表于 2016-4-27 00:11

本帖最后由 zyj9490 于 2016-4-27 00:39 编辑

平漂流发表于 2016-4-26 22:20
大神，请问一下，MOS管发烫是怎么回事？原理图上面已发，两个IR2110S驱动4个MOS管，然后4个MOS管都发烫。 ...

R10是电流取样电阻，兼有消耗高次谐波能量的责能。不能取消，大环路负反馈有没有启动。基本可断定，电流过大，电源输出的功率全部由四只开关管负担。LC不消耗功率。

发表于 2016-4-27 08:57

zyj9490 发表于 2016-4-27 00:05
是接的串联谐振线圈吗？负载什么特性？

是串联谐振线圈，L是自己绕的谐振线圈，C是4个并联的100NF的NPO电容。“负载什么特性？”是什么意思？我是小白。不懂这个，我是想我是想利用这个串联的谐振线圈，产生谐振的电磁能量，然后再来一个与之一样的谐振线圈，然后再经过一个整流滤波，点亮发光二极管。（PS，大神请告诉我，”负载什么特性？“是什么意思）

[电路/定理] IR2110全桥驱动的波形

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