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关于三极管饱和导通

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楼主
niechl|  楼主 | 2009-12-29 21:01 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
maychang| | 2009-12-29 21:31 | 只看该作者
饱和或未饱和,与负载电流有关。
楼主负载需要多大电流?

就此图来看,要供更大电流,需要减小R5。

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板凳
wwCompany| | 2009-12-29 21:34 | 只看该作者
可减少电阻,增大基极电流,使直流工作点处于合适的位置

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地板
motor87| | 2009-12-30 12:29 | 只看该作者

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pengfei_wpf| | 2009-12-30 14:37 | 只看该作者
建议用MOS管。

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6
niechl|  楼主 | 2009-12-30 18:59 | 只看该作者
今天搭了下电路,方案可行,只是老大说Q1容易被烧。

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7
zsuqing| | 2009-12-30 20:19 | 只看该作者
建议R1电阻并联一个电容,延迟Q2导通时间。

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8
xufuneng| | 2009-12-30 20:47 | 只看该作者
从饱和定义说,改变基极电流大小。楼主意思是Q1饱和状态工作。

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9
longdeng84| | 2010-1-9 22:15 | 只看该作者
Q1容易被烧毁?你输出功率多大啊???

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10
yangwh0729| | 2010-1-14 22:40 | 只看该作者
学习

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11
0601| | 2010-1-15 21:29 | 只看该作者
学习了 谢谢

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12
lfc315| | 2010-1-17 23:59 | 只看该作者
饱和状态三极管的消耗功率比较小,2N3906的平均电流可达500mA左右吧,再大了就有危险。

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vickorfox| | 2010-6-2 21:28 | 只看该作者
R5应该减小,一是加大Ib使达到饱和电流,二是,形成导通所需要的压降

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14
dawlen| | 2010-6-9 13:01 | 只看该作者
减小R5。
如果芯片有复位脚的话,要达到目的,建议该电路放置于芯片复位端来用较好。

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15
cooklxq| | 2010-6-14 17:32 | 只看该作者
为什么???

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我是济公| | 2010-6-14 21:18 | 只看该作者
为什么没人说到增大R3以及改变R3的位置,可以达到更好的效果!

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我是济公| | 2010-6-14 21:26 | 只看该作者
用最大饱和电流除以放大倍数来确定基极电阻,R3直接Q2的集电极上,用以提供Q2的漏电流,以免使Q1误导通!
你的电路设计也不能使Q2果断通断!可以在Q2基极串联稳压二极管的情况下来改变偏置电阻,以使Q2通断陡峭

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18
hob| | 2010-7-16 15:24 | 只看该作者
问题出在R1和R2上,Q2的基极电压使Q2一直处于截至状态,Q1的基极就没有电流,当然Q1不会饱和导通。适当增加R2的阻值就可以了,比如增加到2.2k或2.4k,在R2上并联一个电容,对于达到3.3V稳定后才输出5V的目的有帮助。R5再减小一些吧,可以提高电路的负载能力。

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一骑红辰| | 2010-7-29 08:01 | 只看该作者
Q1容易被烧毁?你输出功率多大啊???
longdeng84 发表于 2010-1-9 22:15

RET:为啥?

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jack_icc| | 2010-7-29 13:42 | 只看该作者
關注一些

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