正本清源——1/f噪声

发表于 2016-5-22 08:52

不懂射频，

发表于 2016-5-22 08:54

看完这乱78遭，自相矛盾的帖子，不由感叹一声：

HWM是正确的！

发表于 2016-5-22 08:58

看完第一句话就不想看了

发表于 2016-5-22 09:42

理论最初是源于对实践的总结和概括，

形成理论后，指导再之后的实践。

即使不是物理学家，只要学过一点自然辩证法，作为工匠，也能定性地给出极限情况：

1，频率趋向无穷大，噪声幅度趋向零。

2，频率趋向零，噪声幅度趋向定值。

这是LZ本帖的焦点。其他的都扯远了。

我支持LZ。

发表于 2016-5-22 16:39

什么原因产生1/F噪声呢？很多是人为的，或是工艺不完美，物理器件的机理造成。早期的半导体器件很多有1/f很差，现在好多了。半导体工艺的进步。

发表于 2016-5-22 17:35

pengjianxue 发表于 2016-5-22 09:42
理论最初是源于对实践的总结和概括，

形成理论后，指导再之后的实践。

对于1/f噪声

在有限频段的噪声功率密度与频率的具体关系，取决于元器件或连接部件的品质和工作参数。

没有谁能够预先确定。

发表于 2016-5-22 17:38

不同的元器件，不同的连接（接触），具体的特征参数是多少，我认为几乎没有人能够说出量级，

除了频率趋向无穷大。

发表于 2016-5-22 19:41

在知识面前，没有民科与专科之分。

只有理解，与没有理解，或理解不透之分。

在知识目前，没有阶级之分，只有理解与不理解之分！

发表于 2016-5-22 20:36

为何说1/f噪声是电流型的?
何谓电流型噪声?

发表于 2016-5-22 20:44

当其他条件不变时，1/f噪声与工作电流有关。

至于为什么，去问物理学家。

发表于 2016-5-22 20:46

此电流型不是恒流的意思，敬请注意！

发表于 2016-5-22 20:47

不要望文生义。

发表于 2016-5-22 21:01

pengjianxue 发表于 2016-5-22 20:44
当其他条件不变时，1/f噪声与工作电流有关。

至于为什么，去问物理学家。

以MOS管为例，其1/f噪声表达式为:

vn^2=K/CoxWLf，K是工艺常数！

非常尴尬地看到，改表达式与偏执电流无关!

发表于 2016-5-22 21:08

不清楚，去问问清华、浙大、南（京）大、西电相关专业的教授吧。

比如清华的高晋占教授、南大的唐鸿宾教授（我尊敬的偶像）、浙大的曾庆勇教授。

发表于 2016-5-22 21:17

这几位教授和中科院的几位研究员，是我国微弱信号检测技术领域的先驱。

关于1/f噪声，有什么疑问，去问这些前辈好了。

发表于 2016-5-22 21:19

就这样吧，根据和H聊天经验，也讨论不出什么玩意来。

一大段时间后悔，上24.5年学干什么？身边没上大学都都比我有钱，开宝马路虎，俺骑电瓶车。

现在想想也太后悔，起码逛论坛不会被民科科学家忽悠！

发表于 2016-5-22 21:23

pengjianxue 发表于 2016-5-22 21:17
这几位教授和中科院的几位研究员，是我国微弱信号检测技术领域的先驱。

关于1/f噪声，有什么疑问，去问这 ...

不说这个了，长三角某985呆过，北京大院呆过，这些地方我不比你陌生！

所以，不要弄这些东西吓唬人，只说道理目前，OKAY?

发表于 2016-5-22 21:32

哈哈，竟然看到位多年前俺到过其家里请教过问题的教授的名字

发表于 2016-5-22 21:32

读过几年书，效果就是:能看出某些技术是不是某某原创。

例如:[ 微弱信号锁定放大器噪声抑制新技术 ]，这篇**介绍了跳频跳时等新技术。
我首次阅读这篇**，凭直觉就能给出结论，这几项技术根本不是彭建学原创！

对不对老彭？

发表于 2016-5-22 21:33

怎么吓唬人了？

985呆过就一定牛X！

难道那几位教授和中科院的陈佳圭、陈一询，他们出的书、研究成果都是吓唬人。

安捷伦、吉时利出的资料，吓唬人？

一位受我尊重的教授，怎么就跟某797一样的说话语气？

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