请教，基于MOS管的H桥电机驱动电路调试？

只看该作者 · 2010-3-13 15:15

本帖最后由 redbat_228 于 2010-3-13 15:16 编辑

　　最近在调一个H桥电机驱动电路，电路比较简单，如下图所示：

　　图中的场效应管是2N7002，仿真的时候正常，但是在实际调试时出现了问题。
没有做板子，用任意板焊接的，手头的场效应管是SOT-23的贴片封装。第一次焊完后，上电测试，发现电机竟然微微转动，用手碰其中的一个引脚就转起来了（碰其他引脚不转）。这时怀疑是畅销管损坏了，拆了重焊，这次一上电就发热了。从网上搜了一下，发现焊接畅销管时有一定的注意事项，焊接顺序为D、S、G。重现焊了一块板子，还是不行。测量D和S之间的电阻，变的很小了。其中一个只有5欧姆左右，且正反向阻值相同。其他3个稍微好点，阻值在几百欧姆的样子。
　　难道2N7002就这样损坏了？
　　请高人指点一下，是真的是焊接的问题，还是其他原因？

　　期待答复……

3万 · 2010-3-13 16:10

有可能是烙铁漏电，将MOS管G与S击穿。

只看该作者 · 2010-3-13 17:13

7002很容易击穿的.
最好是先短路GS,再焊接,然后再去掉短路.
建议不要用这个管子,太脆弱.

只看该作者 · 2010-3-13 17:49

2# maychang

我的烙铁是采用的普通的烙铁，没有做接地处理。
以前焊接其他器件的时候没有出现过这个问题，怎样检测烙铁是否漏电呢？

只看该作者 · 2010-3-13 17:52

3# st.you

恩，我焊接的时候比较小心了，尽量缩短了焊接的时间，焊完后就测量一下D和S之间的电阻。
能否推荐一个场效应管，小功率的，比较容易买到的？
如果是这样脆弱的管子，做出板子来，焊接的时候也是个问题。

只看该作者 · 2010-3-13 19:27

IRF540 比较容易买到，四块左右

只看该作者 · 2010-3-13 20:05

6# 因特网用户

谢谢，这里使用的电压比较低，电流也比较小。
能推荐一个小功率、贴片封装的场效应管吗？

2万 · 2010-3-13 20:32

普通烙铁的话只能等热了后拔掉插头焊接，动作要快，而且先手拿焊锡丝触碰下烙铁头。

焊接MOS管要严防静电是基本常识，至于工厂，当然不用担心焊接的问题。

只看该作者 · 2010-3-13 20:41

8# xwj

恩，谢谢xwj前辈了。
以前没焊过MOS管，我再试一下。

大侠能给推荐个不像2N7002这么脆弱的场效应管吗？

只看该作者 · 2010-3-13 22:18

太郁闷了，尝试换Si2302，更惨。
焊接前用万用表测试是好的，按xwj所说，用余温焊接，第一次测试，电阻还是正常的。接着再测试一遍确认一下，MOS管就击穿了。这也太脆弱了吧？

能不能说一下大家都是怎么焊接MOS管的？

3万 · 2010-3-13 22:58

MOS管栅极在电路上也不要让它悬空……简单点可以对地加个大电阻，对电源接个1N4148

只看该作者 · 2010-3-14 08:38

11# mohanwei

呵呵，谢谢mohanwei半夜的回复。
看来还是我对场效应管重视的不够，但我始终想不明白，真有真么脆弱吗？
我已经焊坏了20多片了，也包括用万用表测坏的。

只看该作者 · 2010-3-14 09:58

在注视中---

只看该作者 · 2010-3-14 09:59

MOS不能悬空，同时保证不能直通。

只看该作者 · 2010-3-14 12:12

14# sunlg
mos真有那么脆弱么￥%—……%*—*

只看该作者 · 2010-3-14 12:18

我当时焊接场效应管时，用的是防静电电烙铁，第一次焊，全部都正常工作。我当时做的H桥是无刷无传感器电机，刚开始的时候也是和你的第一次状况一样。后来发现是程序出了错误，修改程序后就好了

只看该作者 · 2010-3-14 15:26

16# sweetron

恩，我现在还没有添加程序，各引脚都是悬空的，只是用来测试的。
所以我认为我的问题可能和你的不同。

只看该作者 · 2010-3-14 16:21

仔细想了一下，关于场效应管我是有几点迷惑的。
　　首先对这个概念就不是很清楚，我只知FET分为结型和绝缘栅型，但对我采用的管子是哪种类型的并不清楚，只是按电路连线。其次，我不知道应该如何利用FET三个引脚。
1、搜索了一下关于场效应管的概念，又找出模电课本，明白了几个概念问题。如下：
　　场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（IGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。由于绝缘栅型的栅极为金属铝，所以又称为MOS管。绝缘栅型又可分为增强型和耗尽型，其中耗尽型是添加了离子的。
　　上面的几个英文缩写：JFET(Junction Field Effect Transistor),IGFET(Insulated Gate Field Effect Transitor),MOS(Mental-Oxide-Semiconductor).
　　判断我使用的场效应管为增强型MOS管，也就是属于绝缘栅型。
2、关于万用表红黑表笔的极性。
　　以前老师教的是红表笔是正，黑表笔是负。但是后来曾经碰到相反的说法，说数字万用表的极性是相反的。但一直没有验证过，也就稀里糊涂的。
　　今天特地测试了一下。使用两个万用表，方法如下：将待测万用表打到欧姆挡，而另一只万用表打到电压档；红对红，黑对黑。若电压为正，表示待测万用表的红表笔为正，黑表笔为负；反之，则红表笔为负，黑表笔为正。
　　经测试我使用的万用表（FLUKE189）红色表笔为正，黑色表笔为负。但不知是不是数字万用表都是如此？
3、如何使用万用表判断场效应管的极性？
　　栅极与其他两级，正反向电阻均是无穷大；利用这一点可以轻松确定栅极。
　　栅极确定后，再来判断D和S极。从网上找到这样一种方法：“在测量反向电阻值时，红表笔所接引脚不动，黑表笔脱离所接引脚后，先与栅极G触碰一下，然后再去接原引脚，观察万用表读数的变化情况。若万用表读数由原来较大阻值变为0，则此红表笔所接的即是源极S，黑表笔所接为漏极D。用黑表笔触发栅极G有效，说明该管为N沟道场效应管。若万用表读数仍为较大值，则黑表笔接回原引脚不变，改用红表笔去触碰栅极G后再接回原引脚，若此时万用表读数由原来阻值较大变为0，则此时黑表笔接的为源极S，红表笔接的是漏极D。用表红笔触发栅极G有效，说明该管为P沟道场效应晶体管。”这种方法比较复杂，仔细研究后，发现他是认为红为正、黑为负。只需将红黑表笔对调即可。
　　我使用的方法为：“在测量反向电阻值时，黑表笔所接引脚不动，红表笔脱离所接引脚后，先与栅极G触碰一下，然后再去接原引脚，观察万用表读数的变化情况。若万用表读数由原来较大阻值变为0，则此黑表笔所接的即是源极S，红表笔所接为漏极D。”
　　但是按上面的方法测试时，发现对不同的管子效果不相同。对2N7002来说，一种情况是：用红表笔接触G后，测量阻值，从小逐渐变大，开始时阻值在几十欧姆；另一种情况为：阻值也是逐渐增大，但是开始时的阻值就在10几M欧姆。而对AO3400测试时，两种情况基本相同，触发后的电阻变化不大，大约在0.6欧姆。

　　此外，还有一种方法，是测量D和S之间的正反向电阻。我的理解是：DS较小，而SD为无穷大。我测得较小的值在几M欧姆上，较大的值在几百M，或者无穷大上。不知这样理解是否正确？
　　
　　我之所以在这样反复测试，因为我使用上面的思路测试得到的场效应管的引脚顺序和数据手册中的是不同的。是我的测量方法有问题，还是买的管子错了？

　　请高人指点一下了……

只看该作者 · 2010-3-14 17:09

本帖最后由 redbat_228 于 2010-3-14 17:13 编辑

做了个仿真，验证2N7002的DS之间的阻值大小。

从仿真结果可以看出，DS之间的电阻要大于SD之间的电阻。但这仅是仿真而已。又试了一下IRF540.结果如下：

这次虽然也满足上面的关系，但数值差别很小，所以仿真结果不一定是正确的。

只看该作者 · 2010-3-14 17:34

在GS和GD之间添加电压时的仿真结果。

可见，此时DS之间的电阻都比较小，在实际测试时又会有什么样的结果呢？

感觉我是在将问题复杂化，恳请高手指点迷津…

请教，基于MOS管的H桥电机驱动电路调试？

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