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为什么MOS管工作在饱和区 发热也会严重呢

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楼主: shisizai
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21楼
whtwhtw| | 2016-7-12 17:22 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
shisizai 发表于 2016-7-12 16:29
请问电路需要注意些什么呢，现在的电路是这样的

这样的电路用PMOS

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22楼
maychang| | 2016-7-12 18:14 | 只看该作者
whtwhtw 发表于 2016-7-12 15:44
这里说的饱和是尽可能饱和，大部分工作中的mos管Vds固定，只能调节Vgs，Vgs也是有限制的，调到最大也许也 ...

你这幅BJT输出曲线图，我在8楼已经贴过。8楼还贴了另一幅MOS输出曲线图。
把两种不同类型管子搞清楚先。

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23楼
shisizai|  楼主 | 2016-7-12 18:15 | 只看该作者
nstel 发表于 2016-7-12 16:39
这个电路，分明就是工作在线性区嘛！
如果要工作在饱和区，VGS-VCC>=10V才行！ ...

VDS>VGS-VGS(th) 应该是饱和区吧……

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24楼
maychang| | 2016-7-12 18:17 | 只看该作者
shisizai 发表于 2016-7-12 16:29
请问电路需要注意些什么呢，现在的电路是这样的

10楼和11楼已经回复。
要想不热，改成PWM工作方式。

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25楼
LearningASM| | 2016-7-12 18:19 | 只看该作者
shisizai 发表于 2016-7-12 16:29
请问电路需要注意些什么呢，现在的电路是这样的

你确定这个图没错？！

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26楼
maychang| | 2016-7-12 18:25 | 只看该作者
LearningASM 发表于 2016-7-12 18:19
你确定这个图没错？！

楼主是源极输出。
这样不是不可以，但需要幅度相当大的驱动信号(因MOS管这一级电压放大倍数接近于1)，稍微麻烦些。

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27楼
captzs| | 2016-7-12 18:29 | 只看该作者
大的负载电阻可促使快饱和，这样电流不大的饱和是不会发热的。楼主以饱和论发热不妥。

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28楼
userwjp| | 2016-7-12 18:30 | 只看该作者
maychang 发表于 2016-7-12 18:25
楼主是源极输出。
这样不是不可以，但需要幅度相当大的驱动信号(因MOS管这一级电压放大倍数接近于1)，稍 ...

我的理解是栅极的前面必须要有一个驱动电路或者驱动芯片。不然这个mos管是打不开的。

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29楼
nstel| | 2016-7-12 18:34 | 只看该作者
shisizai 发表于 2016-7-12 18:15
VDS>VGS-VGS(th) 应该是饱和区吧……

你让我说什么呢？你连基本的原理都没搞懂，就来怀疑一个物理定律？也是，你不怀疑谁怀疑？我建议你还是多学学基本的半导体知识吧！

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30楼
ecoren| | 2016-7-12 18:54 | 只看该作者
shisizai 发表于 2016-7-11 21:53
I2R……这个明白
我看了一下IRF540导通电阻77m欧  电流10A的话也才7.7w，可是我现在电流2A的时候就烫的不 ...

规格书的10A，一般是在规定散热条件下，才能达到10A电流

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31楼
wu_npu| | 2016-7-12 19:06 | 只看该作者
你这是跟随器，是线性

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32楼
whtwhtw| | 2016-7-12 19:54 | 只看该作者
maychang 发表于 2016-7-12 18:14
你这幅BJT输出曲线图，我在8楼已经贴过。8楼还贴了另一幅MOS输出曲线图。
把两种不同类型管子搞清楚先。 ...

本不想扯皮，我偷懒没找MOS的特性曲线，特意说了这是三极管的，曲线类似仅供参考，不看仔细

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33楼
whtwhtw| | 2016-7-12 19:58 | 只看该作者
基本原理就不懂，在这里误人子弟

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PowerAnts 2016-7-12 22:14 回复TA
想通了吗？你是否欠maychang一个道歉？ 
34楼
PowerAnts| | 2016-7-12 20:41 | 只看该作者
whtwhtw 发表于 2016-7-12 19:54
本不想扯皮，我偷懒没找MOS的特性曲线，特意说了这是三极管的，曲线类似仅供参考，不看仔细 ...

你真正弄懂了的话，就不会说出17楼的那些话。maychang在8楼已经贴了图：

BJT的截止区对应MOSFET的截止区；
BJT的放大区对应MOSFET的饱和区；
BJT的饱和区对应MOSFET的可变电阻区。

在可变电阻区，vgs决定了Ron（导通电阻）的大小，而非BJT那样的“饱和”程度

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maychang 2016-7-12 23:17 回复TA
他根本没有注意到你“张冠李戴”的评论。 
35楼
maychang| | 2016-7-12 20:43 | 只看该作者
userwjp 发表于 2016-7-12 18:30
我的理解是栅极的前面必须要有一个驱动电路或者驱动芯片。不然这个mos管是打不开的。 ...

该功率MOS管由什么电路驱动，我们可以不必理会。但楼主电路要想达到导通电阻77毫欧，其输入信号幅度要比电源电压还高若干伏特才行。

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36楼
whtwhtw| | 2016-7-12 23:18 | 只看该作者
PowerAnts 发表于 2016-7-12 20:41
你真正弄懂了的话，就不会说出17楼的那些话。maychang在8楼已经贴了图：

BJT的截止区对应MOSFET的截止区 ...

经过确认，确实如你所说，mosfet和晶体管工作区的叫法不同，跟你说声对不起
其实我们的意思是一样的，只是我搞错了叫法
活到老学到老

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PowerAnts 2016-7-13 10:16 回复TA
忘了一件事，这声“对不起”，你应该对maychang说而不是对我 
PowerAnts 2016-7-13 09:20 回复TA
支持这句话：活到老学到老 
37楼
949155525| | 2016-7-23 09:36 | 只看该作者
这电路典型的没事找事电路

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38楼
zpk| | 2016-7-28 19:13 | 只看该作者
栅极应该升压。

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39楼
zpk| | 2016-7-28 19:16 | 只看该作者
假设mosfet的开启电压为2,5V,则栅极电压为vcc+2,5

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40楼
charrijon| | 2016-7-28 19:58 | 只看该作者
楼主还没讲清楚是怎么控制的，如果是直接长期高电平触发MOS管，那么肯定工作在放大区，如果是PWM那么很有可能工作在饱和区。还是让楼主现身来讲一下你事怎么控制你的MOTOR的

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