场效应管的低栅极到漏极电荷有什么益处

发表于 2016-7-19 20:57

在看场效应管的手册的时候经常看见在益处中一项说低栅极到漏极电荷，这句话不明白，请求前辈们指教，谢谢。

发表于 2016-7-19 21:40

主要是可以降低对前级瞬时驱动能力的要求，其次是能够稍提高开关速度。

发表于 2016-7-19 22:27

如果是开关管它就是Qg值，对于给定的驱动电路，Qg值越小驱动需要的功率也越小

发表于 2016-7-20 11:20

maychang 发表于 2016-7-19 21:40
主要是可以降低对前级瞬时驱动能力的要求，其次是能够稍提高开关速度。

前辈，您这给我的是结论我的能力还不足以明白，您能抽出您的宝贵时间给我解释解释吗，谢谢您

发表于 2016-7-20 12:24

国郭发表于 2016-7-20 11:20
前辈，您这给我的是结论我的能力还不足以明白，您能抽出您的宝贵时间给我解释解释吗，谢谢您 ...

对N沟管来说，每个开关周期内，驱动信号由高电平变为低电平时，须将“栅极到漏极电荷”抽走(从MOS管门极流到驱动电路)，驱动信号由低电平变为高电平时，须将“栅极到漏极电荷”送回(从驱动电路流到MOS管门极)。
P沟管电平和电流方向恰相反。
显然，“栅极到漏极电荷”越小，每个开关周期内，驱动电路抽走再送回的电流也越小，这就降低了对驱动电路驱动能力的要求。

发表于 2016-7-20 12:32

同样外围配置
Qg小，开关速度快，开关损耗低，驱动损耗小，需要的驱动能力小

发表于 2016-7-20 12:33

本帖最后由 soybean1998 于 2016-7-20 12:35 编辑

国郭发表于 2016-7-20 11:20
前辈，您这给我的是结论我的能力还不足以明白，您能抽出您的宝贵时间给我解释解释吗，谢谢您 ...

更准确的说，栅极对漏极电荷这个参数之所以重要，是由于Miller effect（看英文书上说的，具体查一下就知道了）米勒效应。一般栅到漏的电荷都比较小，但是在电路中漏极一般是接输出的，输出的增益大，且与输入是反相的，由此造成通过栅-漏电容的电荷量被“放大”了好几倍，因此栅-漏等效电容（或电荷，一个意思）对于开关速度的影响实际上处于主导地位。剩下的正如楼上说的，这个电荷量越小，需要被撤走或储入的足以令MOS管彻底导通/关断的电荷量就越小，那么在同样的开关时间下需要的驱动电流就越小（欧姆定律C=I*t）,同样的驱动电流下开关间隔越短。

场效应管的低栅极到漏极电荷有什么益处

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