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场效应管的低栅极到漏极电荷有什么益处

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国郭|  楼主 | 2016-7-19 20:57 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
场效应管, 栅极
在看场效应管的手册的时候经常看见在益处中  一项说低栅极到漏极电荷，这句话不明白，请求前辈们指教，谢谢。

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沙发
maychang| | 2016-7-19 21:40 | 只看该作者
主要是可以降低对前级瞬时驱动能力的要求，其次是能够稍提高开关速度。

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板凳
戈卫东| | 2016-7-19 22:27 | 只看该作者
如果是开关管它就是Qg值，对于给定的驱动电路，Qg值越小驱动需要的功率也越小

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地板
国郭|  楼主 | 2016-7-20 11:20 | 只看该作者
maychang 发表于 2016-7-19 21:40
主要是可以降低对前级瞬时驱动能力的要求，其次是能够稍提高开关速度。

前辈，您这给我的是结论 我的能力还不足以明白，您能抽出您的宝贵时间给我解释解释吗，谢谢您

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5楼
maychang| | 2016-7-20 12:24 | 只看该作者
国郭 发表于 2016-7-20 11:20
前辈，您这给我的是结论 我的能力还不足以明白，您能抽出您的宝贵时间给我解释解释吗，谢谢您 ...

对N沟管来说，每个开关周期内，驱动信号由高电平变为低电平时，须将“栅极到漏极电荷”抽走(从MOS管门极流到驱动电路)，驱动信号由低电平变为高电平时，须将“栅极到漏极电荷”送回(从驱动电路流到MOS管门极)。
P沟管电平和电流方向恰相反。
显然，“栅极到漏极电荷”越小，每个开关周期内，驱动电路抽走再送回的电流也越小，这就降低了对驱动电路驱动能力的要求。

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6楼
lyjian| | 2016-7-20 12:32 | 只看该作者
同样外围配置
Qg小，开关速度快，开关损耗低，驱动损耗小，需要的驱动能力小

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7楼
soybean1998| | 2016-7-20 12:33 | 只看该作者
本帖最后由 soybean1998 于 2016-7-20 12:35 编辑
国郭 发表于 2016-7-20 11:20
前辈，您这给我的是结论 我的能力还不足以明白，您能抽出您的宝贵时间给我解释解释吗，谢谢您 ...

更准确的说，栅极对漏极电荷这个参数之所以重要，是由于Miller effect（看英文书上说的，具体查一下就知道了）米勒效应。一般栅到漏的电荷都比较小，但是在电路中漏极一般是接输出的，输出的增益大，且与输入是反相的，由此造成通过栅-漏电容的电荷量被“放大”了好几倍，因此栅-漏等效电容（或电荷，一个意思）对于开关速度的影响实际上处于主导地位。剩下的正如楼上说的，这个电荷量越小，需要被撤走或储入的足以令MOS管彻底导通/关断的电荷量就越小，那么在同样的开关时间下需要的驱动电流就越小（欧姆定律C=I*t）,同样的驱动电流下开关间隔越短。

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