为什么三极管饱和电流比放大电流大

只看该作者 · 2016-11-24 12:40

三极管饱和的时候，集电结正偏，收集从发射极扩散的电子能力变弱。而三极管放大的时候，集电结反偏，收集电子能力增强。那为什么三极管饱和电流比放大电流大呢？

3万 · 2016-11-24 13:47

因为电流大了才会进入饱和。

只看该作者 · 2016-11-24 13:52

本帖最后由 jshazss7 于 2016-11-24 13:53 编辑

maychang 发表于 2016-11-24 13:47
因为电流大了才会进入饱和。

我想知道，三极管饱和条件是发射结正偏，集电结正偏，集电结正偏，反而集电极吸收基极非平衡少子的自由电子能力减弱，为什么电流反而大了呢？

只看该作者 · 2016-11-24 14:07

你的比较需要一个前提：发射极发射的电流同样大的情况下，当集电结反偏时有利于收集载流子，正偏不利于收集载流子。
但当发射极发射电流大到超过一定极限的时候，即使这个时候集电结反偏，电流也会大于放大状态（因为那时候发射极发射电流较小）

只看该作者 · 2016-11-24 14:09

写错一个字：
”但当发射极发射电流大到超过一定极限的时候，即使这个时候集电结正偏，电流也会大于放大状态（因为那时候发射极发射电流较小）”
正偏

只看该作者 · 2016-11-24 14:17

sunwave 发表于 2016-11-24 14:09
写错一个字：
”但当发射极发射电流大到超过一定极限的时候，即使这个时候集电结正偏，电流也会大于放大状 ...

这位大哥，你的意思是：当发射级扩散到基极电流较小的时候，由于电子电流小，需要集电结反偏电场来收集。
当发射极扩散到基极电流很大的时候，虽然集电结正偏，不利于收集电子电流，但是这些自由电子太多，也会很大一部分扩散到集电极。（其实不是集电结想正偏，是因为电流太大，因为集电极有RC电阻，VCC-IC*RC=VCE，是大的集电极电流和RC相乘，所以C级电位变低了）
是这个意思吗？

只看该作者 · 2016-11-24 14:25

你可以这样理解，也就是说正偏是结果，电流大是原因。也就是说饱和的前提是，发射极发射的载流子必定比放大的时候发射的载流子多。

只看该作者 · 2016-11-24 15:01

sunwave 发表于 2016-11-24 14:25
你可以这样理解，也就是说正偏是结果，电流大是原因。也就是说饱和的前提是，发射极发射的载流子必定比放大 ...

还可以这样理解吗？一开始集电结是反偏的，但发射极扩散到基极电流太大，集电结反偏电场不断收集这些电子电流，直到收集到该电路集电极电流的最大承受能力（IC=(VCC-VCE)/(RC+RE)），停止收集电子电流，在此过程中，可能集电极电压已经低于基极电压了，这就是集电极正偏。然后集电极电流收集电子能力减弱，集电极电流减小，有一段时间又变成反偏，然后重复，达到动态平衡。但是对外表现出来是集电结正偏。

只看该作者 · 2016-11-24 15:02

三极管饱和电流是在电源电压一定及Rc或RL一定时它所能放大电流的极限最大值，自然比较大。

1万 · 2016-11-24 15:08

老王昨日宿醉，今日不胜酒力，你今天状态很好，可以推断出你今天比老王能喝？？

只看该作者 · 2016-11-24 15:12

jshazss7 发表于 2016-11-24 15:01
还可以这样理解吗？一开始集电结是反偏的，但发射极扩散到基极电流太大，集电结反偏电场不断收集这些电子 ...

一开始集电结是反偏的，但发射极扩散到基极电流太大，集电结反偏电场不断收集这些电子电流，直到收集到该电路集电极电流的最大承受能力（IC=(VCC-VCE)/(RC+RE)），停止收集电子电流，在此过程中，可能集电极电压已经低于基极电压了，这就是集电极正偏。然后集电极电流收集电子能力减弱。。。。。但浓度足够大，依靠扩散作用，电子仍然会继续运动到集电极，只不过电流不会再增加了。这里好像并没有所谓的动态平衡。

只看该作者 · 2016-11-24 15:23

sunwave 发表于 2016-11-24 15:12
一开始集电结是反偏的，但发射极扩散到基极电流太大，集电结反偏电场不断收集这些电子电流，直到收集到该 ...

扩散运动不是多子扩散吗，对于NPN来说，集电结正偏，基极多子是空穴，集电极是自由电子。如果是扩散运动的话，应该电子被吸收到基极才对呀，空穴被吸收到集电极，但基极很薄，空穴浓度很低，为什么会保持电流不变呢？

只看该作者 · 2016-11-24 15:27

NE5532 发表于 2016-11-24 15:08
老王昨日宿醉，今日不胜酒力，你今天状态很好，可以推断出你今天比老王能喝？？ ...

我知道我的对比有问题，没有在一个标准下，帮帮忙看看楼上我的理解对吗？

只看该作者 · 2016-11-24 15:33

集电结正偏，但这个正偏电压不会很大的，最多不超过0.7V，所以对少子漂移不会有很大阻碍作用。而由集电结扩散过来的电子，虽然名义上是基区的少子，但数量上并不少，甚至比基区自己的多子-空穴的数量还要多，所以即使是少子性质，但这些电子靠浓度差也可以到达集电极，形成集电极电流。

只看该作者 · 2016-11-24 15:40

sunwave 发表于 2016-11-24 15:33
集电结正偏，但这个正偏电压不会很大的，最多不超过0.7V，所以对少子漂移不会有很大阻碍作用。而由集电结扩 ...

实在感谢你耐心回复，我懂了，再次感谢

2万 · 2016-11-24 16:58

上面的讨论看的有点晕，来个简明版本:

楼主意思是管子放大时，集电结吸收能力强，差不多把IE全吸走了，即IC~=IE.
而饱和时，几乎吸不动了，按理说没吸动，此时IC应该比上面放大时比较，应该小的多。关键是IB此时是老大哥，此时不能小瞧了。

楼主

只看该作者 · 2016-11-24 17:14

xukun977 发表于 2016-11-24 16:58
上面的讨论看的有点晕，来个简明版本:

楼主意思是管子放大时，集电结吸收能力强，差不多把IE全吸走了，即I ...

和楼上大神说的：此时基极自由电子浓度很高，靠浓度差流向集电极，维持这个大电流是一个意思吧？

2万 · 2016-11-24 17:33

jshazss7 发表于 2016-11-24 17:14
和楼上大神说的：此时基极自由电子浓度很高，靠浓度差流向集电极，维持这个大电流是一个意思吧？ ...

多子，少子，电子，空穴，漂移，扩散。。。要是感觉不够晕，就能半导体知识理解。

只看该作者 · 2016-11-24 17:35

本帖最后由 jshazss7 于 2016-11-24 17:38 编辑

xukun977 发表于 2016-11-24 17:33
多子，少子，电子，空穴，漂移，扩散。。。要是感觉不够晕，就能半导体知识理解。

...

我不晕啊，你说集电结正偏IB是主导，和楼上（14楼）说的浓度差维持集电极电流是一个意思吗？

只看该作者 · 2016-11-24 18:09

饱和电流，这个名词你没理解。

为什么三极管饱和电流比放大电流大

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