理论与实际的差距（第一次做东西的心得）

1万 · 2016-12-8 21:11

shisizai 发表于 2016-12-8 15:55
确实也是控制电流大小，但是导师的那种做法是电流连续的，PWM电流是断续的 ...

你认为PWM控制的电机电流是断续的？

只看该作者 · 2016-12-8 22:20

cjseng 发表于 2016-12-8 21:11
你认为PWM控制的电机电流是断续的？

谢谢提醒，我说的有问题。电机是感性负载，在电机上的电流是连续变化的。我想表达的是PWM调制是通过不停地通断，实现调流，不是通过控制导通沟道的宽窄。

只看该作者 · 2016-12-8 23:45

shisizai 发表于 2016-12-8 22:20
谢谢提醒，我说的有问题。电机是感性负载，在电机上的电流是连续变化的。我想表达的是PWM调制是通过不停 ...

断不断续 ~~~~ 看看时间窗口把， PWM 本来针对电机就是断了他的电流，来减速度的， (因为还有惯量，还会向前转，)

只看该作者 · 2016-12-9 09:21

楼主这个应该不是研究生的毕业论文吧？你这个创新性和工作量都没有啊，还有就是问一句楼主在那个地方读的研究生啊？对于你的这种情况，我只能说你这个东西还是方案没有做好，不存在原理性的问题，只是从最开始就没有考虑好，但是这个新路历程对你的成长和对你今后的发展都是很有帮助的，加油！

只看该作者 · 2016-12-9 10:58

lizhuang_1 发表于 2016-12-9 09:21
楼主这个应该不是研究生的毕业论文吧？你这个创新性和工作量都没有啊，还有就是问一句楼主在那个地方读的研 ...

嗯嗯不是毕业论文，就是一个小项目。由于是第一次做没有经验，走了好多弯路，而且没有做好记录，下次会更好的！

只看该作者 · 2016-12-9 17:27

shisizai 发表于 2016-12-6 22:47
我用水浇过，最热的时候沸腾了……

这个牛B,可以烧开水了

只看该作者 · 2016-12-10 11:57

shisizai 发表于 2016-12-7 09:00
是直接控制mos管的导通和关断，没有经过可变电阻区，导通时MOS管内阻低不会发热 ...

深入请教下，
我理解的PWM就是控制MOSFET的打开/关闭时间，只要通过控制G-PIN去实现，而mosfet存在开关时间的损耗就会发热；
如果您说的控制mos管的导通和关断，不会让MOS发热，我很好奇是怎么做的？
从MOSFET硬件特性和软件控制，我都无法形成一个概念。希望能详细指导下，谢谢~

只看该作者 · 2016-12-10 14:27

幸福的楼主呀，
还好，我也自学经历过

只看该作者 · 2016-12-10 20:31

学习学习

只看该作者 · 2016-12-12 09:31

Nois 发表于 2016-12-10 11:57
深入请教下，
我理解的PWM就是控制MOSFET的打开/关闭时间，只要通过控制G-PIN去实现，而mosfet存在开关时 ...

不能说是没有发热，我认为是发热量低。但是mos管开关过程中的发热应该跟mos管的导通时间和开关频率有关，我之前用过IRF540，开启时间8ns，在pwm达到一定频率是会发热，但是换成IRPF044N，开启时间12ns，热量就少了多，几乎感觉不出来了，另外我的负载是电机，是感性负载，不知道跟这个有没有关系……上面是我根据实验结果分析的，可能不准确，请见谅……

只看该作者 · 2016-12-12 17:23

whirt_noob 发表于 2016-12-3 21:36
我半路出家的学模拟电路总感觉隔着一层纱，似懂非懂的

原理图看不懂，也准备入手学，请问怎么入手？

只看该作者 · 2016-12-12 20:07

shisizai 发表于 2016-12-12 09:31
不能说是没有发热，我认为是发热量低。但是mos管开关过程中的发热应该跟mos管的导通时间和开关频率有关， ...

同意楼主的这个观点，PWM驱动场效应管的发热问题就是跟管子的导通时间有关，我觉得究根结底是因为管子本身的结电容有关。我刚做的一个电机驱动也是一样的问题，12V15A的直流电机，用IRF3205驱动，在十几khz的时候发热量严重，一会就不能摸了（调试的时候使用铝壳电阻做负载，上到20A都没有任何问题）。后来换RU7088R，上到20多kHz也只会微微发热。

只看该作者 · 2016-12-12 22:07

本帖最后由 shisizai 于 2016-12-12 22:17 编辑

Kowalski 发表于 2016-12-12 20:07
同意楼主的这个观点，PWM驱动场效应管的发热问题就是跟管子的导通时间有关，我觉得究根结底是因为管子本 ...

也就是说跟负载也是有关系的？

1万 · 2016-12-12 23:30

shisizai 发表于 2016-12-12 09:31
不能说是没有发热，我认为是发热量低。但是mos管开关过程中的发热应该跟mos管的导通时间和开关频率有关， ...

有导通耗能，与开关耗能，频率高时，以开关损失为主，电流从正常到0有个过渡。

只看该作者 · 2016-12-13 20:15

shisizai 发表于 2016-12-12 09:31
不能说是没有发热，我认为是发热量低。但是mos管开关过程中的发热应该跟mos管的导通时间和开关频率有关， ...

在我理解MOSFET 发热分为两种，一种是PWM 没有100% 驱动，开关导通损耗会比较多；第二就是你100%驱动MOSFET， DS经过电流就会有热功率损耗，这是就需要加散热片，不然通风不好，MOSFET的承受能力就降低，导致烧毁。

只看该作者 · 2016-12-14 14:20

shisizai 发表于 2016-12-12 22:07
也就是说跟负载也是有关系的？

不是和负载有关，而是和管子有关

只看该作者 · 2016-12-14 14:32

Kowalski 发表于 2016-12-14 14:20
不是和负载有关，而是和管子有关

115楼说的很有道理。场效应管发热主要有二：其一就是没有让管子工作在开关状态，而是工作在了放大状态，这时候D-S的电流即便是很小（哪怕只有几十ma）也会让管子很烫。其二就是工作频率太高，会使管子上的损耗过大，导致发热，这个原因究其根本可能和管子自身的结电容有关，当然，这只是个人猜测，若有不妥，还请高手指正！