DDR SDRAM全称为Double Data Rate SDRAM,中文名为“双倍数据率SDRAM”。DDR是在原有的SDRAM的基础上改进而来,严格的说DDR应该叫DDR SDRAM,人们习惯称为DDR。
说到这里,很多人可能会问SDRAM、DRAM、SRAM或者RAM、ROM到底是什么鬼,怎么区别的? ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是只读存储器(Read-Only Memory)的简称,是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器,其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。通常用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中,资料并且不会因为电源关闭而消失。RAM是Random Access Memory的缩写,即随机存储器,随机是指数据不是线性依次存储,而是自由指定地址进行数据读写,通俗来说就是可以以任何顺序访问,而不管前一次访问的是哪一个位置。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。
RAM又分两大类,一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM),是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据,也就是说加电情况下,不需要刷新,数据不会丢失。SRAM速度非常快,是早期读写最快的存储设备了,但是SRAM也有它的缺点,即它的集成度较低,相同容量的内存需要很大的体积,且功耗较大;同时它也非常昂贵,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一级缓存,二级缓存。另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM),DRAM 只能将数据保持很短的时间,为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,存储的信息就会丢失(关机就会丢失数据);它的速度也比SRAM慢,不过它还是比任何的ROM都要快,但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多,计算机内存就是DRAM的。
SDRAM又是在DRAM的基础上发展而来,同时也是属于DRAM中的一种。SDRAM即Synchronous DRAM,同步动态随机存储器,同步是指 Memory工作需要同步时钟,内部命令的发送与数据的传输都以它为基准;DDR SDRAM又是在SDRAM的基础上发展而来,这种改进型的DRAM和SDRAM是基本一样的,不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据,这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存,而且它有着成本优势。
也就是说我们现在使用的DDR SDRAM其实就是属于DRAM的一种,在一些内存颗粒的厂家通常会把DDR SDRAM划分到DRAM分类里面,如下图一所示。
当然DDR还会根据它的不同应用分成其他的类型,如GDDR主要用于图形处理,LPDDR主要用于低功耗等移动消费性电子,但万变不离其宗,他们都是基于DDR的一些原理演变而来,根据大家的要求我们后续也会有专门的话题来介绍GDDR以及LPDDR。如下是另一家内存厂商根据不同应用市场的分类:
看了前面的一些介绍,大家是否对我们今天的主人公DDR的前世有了一些认识?那么问题来了,那么SDRAM和DDR SDRAM到底有哪些区别,等长怎么控?请从速率和PCB设计的角度来分析。
SDRAM与DDR SDRAM
SDRAM是比较久远的事情了,但我们一说到它肯定不会和DDR混淆,我们通常理解的SDRAM其实是SDR SDRAM,为SDRAM的第一代,而DDR1则为第二代,乃至到我们现在使用的DDR4,其实为第五代SDRAM,在此需要澄清一下。
他们的本质区别就是周期操作方式(也称时钟采样)的差异,这就导致后面设计上很大的不同。SDR都是“单数据传输模式”,这种内存的特性是在一个内存时钟周期中,在一个波形上升沿时进行一次操作(读或写),而DDR则引用了一些新的设计及技术,其在一个内存时钟周期中,在波形上升沿时进行一次操作,在方波的下降沿时也做一次操作,相当于在一个时钟周期中,DDR则可以完成SDR两个周期才能完成的任务,所以理论上同速率的DDR内存与SDR内存相比,性能要超出一倍,可以简单理解为100MHZ DDR=200MHZ SDR。
至于SDR在设计上等长应该如何考虑,我想这个可能是大家最感兴趣的问题了,虽然SDR的应用已经不多了,但还是经常有人会来问我们,下面采用个人觉得比较好的网友答复给大家也来个参考。
二羔子网友说:“虽然都叫同步动态随机存储器,但是在技术上有很大差别,sdram属于第一代ram,ddr-sdram属于第二代ram,运用的是double data rate和预存取技术,传输速率是第一代的两倍以上。在layout时,sdram甚至不用做等长,高性能要求除外。”
山水江南网友说:“Sdram是共同时钟同步,数据和时钟信号不用等长,但有最长的要求,所以走线尽可能的短。”
还有其他的一些网友也有类似的观点,我们比较同意这种说法,正常来说如果SDR频率在100MHz以下,等长范围可以较大,相对来讲都可以不用刻意去控了,而如果频率超过100MHz以上,在PCB设计上就需要特别注意了,可以通过一个准确的时序仿真来计算等长,我们的经验法则是尽量控制所有信号的长度,在可控的情况下最好是长度不超过3inch。这个在高速先生前期的**时序设计里面有说到,在此就不再解释了。
好了,现在正式回到我们的DDR时代,如下图一是SDR到DDR4的近似发展路线及速率图。
图三 DDR发展路线及速率图
内存的传输速度得以快速提升,除了芯片制造工艺的进步之外,关键的技术就是双倍数据速率以及预存取。实际上内存的内核频率基本上是保持一致的,都是100MHz到200MHz之间。一般认为200MHz的内存内核频率是当前技术的极限(超频除外)。DDR技术使数据传输速度提升了一倍,如下图所示, DDR在时钟信号上、下边沿同时采样数据。这样如果同样是200MHz的时钟,DDR可以达到400Mb/s的数据传输速度。 图四 DDR的时序
预存取技术则有效提升了芯片内部的数据传输速度。预存取(Prefetch)增加了DDR存储阵列的位宽,如图五所示是DDR2和DDR3的预存取过程,可以看到,因为预存取从4比特提升到了8比特,所以相同的总线频率和数据率下,DDR3的核心频率是DDR2的一半。核心频率降低,可以减小功耗,减少发热量,提升内存工作稳定性。而同样的内存核心频率下,DDR3的总线频率和数据率是DDR2的一倍。 图五 DDR2和DDR3的预存取过程
前面说到了SDR和DDR的区别,那么DDR不同代之间的区别又是什么呢?即DDR的后一代相对于前一代的关键技术突破在哪里(DDRI到DDR4)?
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