MOS管进入恒流区后，导电沟道已经夹断，为啥还有电流

只看该作者 · 2017-3-8 21:06

zyj9490 发表于 2017-3-8 20:36
虽另

没看到啊

只看该作者 · 2017-3-9 09:06

这个问题好啊，学FET都会碰到的，

只看该作者 · 2017-3-9 09:33

zyj9490 发表于 2017-3-8 20:10
FET从工艺上没有分D,S极的，只要外部VD》vs就有分了。对N-fet,电位高的就是D,低的就是S极。只要-VGS足够高, ...

如果没有DS之分，为何体二极管都是由S指向D（NMOS)？

只看该作者 · 2017-3-9 09:51

crossarmy 发表于 2017-3-8 19:08
DS间的电压虽然是D指向S的，但是还有栅极电压啊，加上栅极电压后各点的电势就是VGS-VDS，不能保证D点一定 ...

以NMOS为例。沟道产生的厚度取决于gate脚和沟道之间的电势差，DS之间都是一整条沟道，你在DS之间加电压，显然Vgd<Vgs，D极的沟道窄于S极的，当VGD不产生反型沟道时，说明D极的电势大到一定程度，也就是夹断，但是这个夹断的长度很短。（比如电阻的大小除了横截面还有其长度，夹断类似横截面关了，但是长度非常短），短短的长度需要承受DS之间强大的电压差（强大都是相对来说），所以不得不击穿，里面的载流子硬被电场拉出来（漂移），依然有大电流，而且此时的DS的电压基本全落在夹断区的那一小段长度上。其实Vgs<Vth，也是夹断，只是夹断的长度非常长，你依然可以被击穿，需要DS之间电压足够大。
我个人认为：NMOS的DS理论上没区别，但是工艺上喜欢把P和其中一个N井连在一起就形成一个S极，也形成了体二极管，和传输门的FET不一样。
个人理解，欢迎指正。