请教两个关于<晶体管电路设计>的非常初级的问题。

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 楼主| nbcskk 发表于 2010-4-30 10:07 | 显示全部楼层 |阅读模式
下面红色的字是我的疑问,其它为书中的原话。我把我有疑问的地方加粗了。我用()括起来的内容是下标。问题非常初级,希望能得到解答。第一次发贴,有不合坛章版规的地方请指点,下次改正。非常感谢。

首先,在图2.1(附件1)所示的电路中,基极的直流电位V(B)(为v(b)的直流部分,或者没有输入信号时的基极电位)是用R(1)和R(2)对电源电压V(CC)进行分压后的电位,所以,流进晶体管的基极电流的直流成分I(B)是很小的,可以忽略
为什么只是用R(1)和R(2)分压,而R(E)不参与?

图2.28(附件2)是使用了正负电源的有点浪费的电路。因为用了正负电源,即使晶体管的基极偏置在0V,发射极电阻上也能加上电压,所以这个电路的基极偏置电路是仅用一个10K欧电阻的非常有特征的电路(用10K欧的电阻将基极偏置在0V)。
为什么用10K欧就可以把基极偏置在0V?这个图中的地是不是零电势?

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chunk 发表于 2010-4-30 11:18 | 显示全部楼层
为什么只是用R(1)和R(2)分压,而R(E)不参与?
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基极的直流电位指“基极对地”的电位,如果没有R(E),射极直接连在地上,那么基极电位是BE结压降0.7V,现在有了R(E),基极电位就是R(1)和R(2)分压了。

为什么用10K欧就可以把基极偏置在0V?这个图中的地是不是零电势?
================================
地总是零电势,一个电阻把基极接在地上,基极只能是0V,当然这电阻上若有流过一个电流入地就不同了。
 楼主| nbcskk 发表于 2010-4-30 13:24 | 显示全部楼层
感谢chunk的回复,是不是这样理解:BE结不能看作一条普通的通路?
chunk 发表于 2010-5-5 09:55 | 显示全部楼层
要看vb那个箭头指向的那个点四周电路的连接情况。
那个点往左有个电容,往上往下是两个电阻,往右有一个BE结和一个电阻RE串联。对直流来说,电容要抠出去不理,再考虑剩下的东东。
BE结是一个PN结,具有PN结的所有特性,我不知道什么是“普通”的通路。
 楼主| nbcskk 发表于 2010-5-5 13:12 | 显示全部楼层
像图1中BE导通,R(2)和R(E)不是相当于并联了吗?那基极的直流电位V(B)是不是应该用R(1)和 (R(2)//R(E))对电源电压V(CC)进行分压后的电位。
问的问题非常低级,非常抱歉-..-
消失在冬季 发表于 2010-5-5 22:34 | 显示全部楼层
be之间有PN结,导通电压是0.6v(锗管0.2v)。R2上的电压等于BE导通电压+Re上的电压。
这里Re是个反馈电阻,可以反馈R2点的电压。
以上纯个人观点,不知道对错,欢迎高手指教。
tjzyh 发表于 2010-5-6 08:49 | 显示全部楼层
第一个问题: 可以这样分析:断开三极管的基极分压电阻,从基极看进去(从左向右看) ,基极的输入电阻是多大那?设基极流入的电流为I, 发射极电流为βI,如果没有三极管可以认为RE直接和基极的电阻R2并联,此时相当于电阻放大β倍。因此基极的输入电阻很大。基极电流就会小到可以忽略的程度。(有点米勒效应的意思)
第二个问题:是同样的道理,因为基极输入电阻很大,所以电流很小,10K上的压降自然可以忽略,其实是有压降的。
buqibushe 发表于 2010-5-11 10:43 | 显示全部楼层
楼上正解
第一个问题是因为三级管基极电流很小,所起的影响可以忽略
第二个问题就相当于是用电阻将基极下拉到地,没有电流,故基极也是0
moottt 发表于 2010-12-12 23:26 | 显示全部楼层
7楼正解,其实可以看一下童诗白写的模电书,补回理论知识
qjmxxgui 发表于 2010-12-14 00:09 | 显示全部楼层
请教一下,第二个图里里面为什么需要那个10k的电阻呢?如果是阻容耦合我还可以理解,但那个图没有耦合电容,直流通路里面输入端已经短接到地了,为什么还要用10k电阻呢?
qjmxxgui 发表于 2010-12-15 15:24 | 显示全部楼层
顶一下,等高手指教。。。是不是怕使用的时候有时会断开交流信号源呢?
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