[电路/定理] PMOS作电源开关,开通瞬间前级电源电压跌落。

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 楼主| lkmine 发表于 2017-5-10 15:24 | 显示全部楼层
Jack315 发表于 2017-5-10 13:05
AO3401 最大可承受 30A 的脉冲电流。降额一半,以 15A计。
取样电阻阻值计算为:0.7V / 15A = 46.6mOhm, ...

我现在实验不太好改成你仿真那个电路,我是直接在100K上并了个104, 1000uf并了个电阻,没有改善。我准备直接把1000uf移到MOS管前面去了。 另外请教一下,我那个电路G极R4的位置有没有什么影响。
闲云浩海 发表于 2017-5-10 15:56 | 显示全部楼层
lkmine 发表于 2017-5-10 15:10
是的,我开始也想过,但是板子空间比较小,如果把1000uf放在前面来,布局的话大电容及MOS管离3G电源就相 ...

这个是大电容,储能,电源补偿作用的,可以放远点,没关系的
Jack315 发表于 2017-5-10 16:05 | 显示全部楼层
lkmine 发表于 2017-5-10 15:24
我现在实验不太好改成你仿真那个电路,我是直接在100K上并了个104, 1000uf并了个电阻,没有改善。我准备 ...

有影响,但影响应该不大:只要两者的 VGS 都大于 MOS 管的导通电压 VTH。

事实上,每一个电路在电源和地之间都有滤波电容。
在未加电前这些电容上的压降一般为 0 。

把电源等效成一个理想电压源和一个阻值很小的内阻,
然后加到这样一个电路的瞬间,负载相当于短路(电容电压不能突变),
因此必然在电源线上产生很大的电流浪涌,同时在电源内阻上产生很大的压降。


改变这种状态的方法就是在上电瞬间,让开关的等效电阻变得比较大。
而随着电源滤波电容不断充电,让开关的等效电阻逐渐变小。这就是参考电路的原理。


只要电源回路里没有较大的(等效)电阻,
上电瞬间浪涌电流必然存在 —— 电源电压也必然在此时下降。
Jack315 发表于 2017-5-10 16:49 | 显示全部楼层
另一种解决方法 —— LZ 看看下面链接里有没有合适的:
Littelfuse 中文官网
 楼主| lkmine 发表于 2017-5-10 17:34 | 显示全部楼层
Jack315 发表于 2017-5-10 16:05
有影响,但影响应该不大:只要两者的 VGS 都大于 MOS 管的导通电压 VTH。

事实上,每一个电路在电源和地 ...

非常感谢你的分析,有个疑问,你的仿真电路里RL是并到电容端的,上电瞬间电容对地短路,这个电阻还能起作用吗?
Jack315 发表于 2017-5-10 18:17 | 显示全部楼层
lkmine 发表于 2017-5-10 17:34
非常感谢你的分析,有个疑问,你的仿真电路里RL是并到电容端的,上电瞬间电容对地短路,这个电阻还能起作 ...

把整个电源的负载等效为一个电阻 RL (R Load) 进行仿真。
实际电路里没有这个电阻。

仿真波形图说明电源供电电流与电源负载电压同时缓慢上升,最后到达稳定状态。
没有电流浪涌;电源电压 VBB 保持稳定,上电瞬间没有下跌。
Jack315 发表于 2017-5-10 18:26 | 显示全部楼层
把大电容移到 MOS 管前面,可能会(大部分地)解决问题。
如果没有放电回路,断电后大电容上的压降将维持不变。
但问题依然存在,因为有电源滤波电容。
只是这时候,浪涌电流持续的时间很短,普通示波器、万用表不一定能观测到。
应急可尝试一下。正式设计不建议采用此法。
因为浪涌的存在对元器件(产品)的可靠性不利。
qq65411253 发表于 2017-5-10 19:35 | 显示全部楼层
把栅极的开关量驱动替换为pwm驱动。先把占空比设小一点,这样mos导通不充分,ds间电阻较大。利用这个导通电阻限制电流,等电压合适了再完全导通。硬件0成本0改动。

评论

你这个也是软启动,楼主这个办法在电源设计中很常见,利用RC放电原理,让PMOS的G级电压缓慢降到0V,这个过程PMOS的内阻由大慢慢变小,其实原理是一致的。  发表于 2022-4-26 09:15
 楼主| lkmine 发表于 2017-5-10 21:22 | 显示全部楼层
感谢各位的回复。开始在GS间并联一个10uf的电容后,电压跌落有明显改善,后来看了一个PMos软启动方案,单独在DG间并联一个0.1uf,电压基本无跌落。最终采用DG间并电容解决。
 楼主| lkmine 发表于 2017-5-10 21:25 | 显示全部楼层
没有权限发链接, AN-1030这个MOS开关的datasheet里的,感兴趣的朋友可以搜下,很好找
shalixi 发表于 2017-5-10 21:31 | 显示全部楼层
lkmine 发表于 2017-5-10 21:22
感谢各位的回复。开始在GS间并联一个10uf的电容后,电压跌落有明显改善,后来看了一个PMos软启动方案,单独 ...

好办法。
lhkjg 发表于 2017-5-10 21:40 | 显示全部楼层
lkmine 发表于 2017-5-10 21:22
感谢各位的回复。开始在GS间并联一个10uf的电容后,电压跌落有明显改善,后来看了一个PMos软启动方案,单独 ...

采用MOS管的非饱和导通来限制电流,或者说利用MOS管的放大区间,增加G级控制上升沿时间来导通就能减小波动。但是要注意MOS管的功耗跟发热情况,如果是平凡开关的话
不知道我理解的对不对
zhuyemm 发表于 2017-5-10 21:54 | 显示全部楼层
从仿真波形看,Q1 和 Q2 电流为 0 ,PMOS 管偏置由 C1 维持
Adrain_shine 发表于 2022-4-25 14:07 | 显示全部楼层
lkmine 发表于 2017-5-10 21:22
感谢各位的回复。开始在GS间并联一个10uf的电容后,电压跌落有明显改善,后来看了一个PMos软启动方案,单独 ...

你好,在DG之间并联电容0.1uf的电容,这个方案你是在哪里看到的啊
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