对RCD钳位吸收网络的思考，针对反激式

2万 · 2012-5-23 16:10

本帖最后由 lyjian 于 2012-6-18 19:07 编辑

我司有一款电源产品用的慢管，有个海外客户一直纠缠着要我们改成快管，我们给他提供了测试报告后，他终于不说话了。

2万 · 2012-5-23 16:11

本帖最后由 lyjian 于 2012-6-18 19:07 编辑

1N4007波形

2万 · 2012-5-23 16:12

本帖最后由 lyjian 于 2012-6-18 19:07 编辑

UF4007波形

2万 · 2012-5-23 16:49

刚做的测试波形。电源：220VAC输入，24.4V/2.5A输出。示波器：TDS3034C，示波器探头：250MHz，100:1。只更换RCD中的二极管做测试。白线波形：二极管为1N4007GP，黄线：二极管为HER108。 1、两者峰值电压相差32V；2、使用HER108时振荡严重（很明显，EMC绝对会比使用4007的差）；3、输入功耗两者基本都是68.89W。（很明显，如果在同等Vds条件下（减小RCD中的C，增大R），4007的电源效率肯定高些。）

2万 · 2012-5-23 17:29

开关频率多高？占空比多大？RCD参数？再抓抓RCD上的电容电压波形看看

为了把两个波形叠起来，累的满头汗，哈哈

要是再有RCD电容上的电压波形，那就可以开始分析了

2万 · 2012-5-23 17:40

黑线是你用1N4007，兰线是HER108，二者的差别在那里？在于C上的初始电压不同

黄色区域是伏秒，我不知道你的VCC在那个位置，夸张了点，你视情况把多余的去掉

2万 · 2012-5-23 17:48

我想我找到VCC的位置了，220Vac输入，一般大约在280Vdc

1万 · 2012-5-23 20:56

晕，为了测试波形，搞到现在，刚从实验室出来。。。
上班时间，到实验室得排队，:dizzy:所以我上班时间只能上网;P
示波器居然不带USB的:curse:，存储卡的读卡器找不到了，明天上详细大图。。。

打道回府了。。。PS：我又下班不走，在公司瞎搞，无耻的混了20块餐补。。。:$

2万 · 2012-5-24 04:57

俺的情况刚好相反, 俺是抓了波形想导出, 悲吹地发现U盘还插在公司电脑上没带回家, 破读卡器又不支持. 只好早早地睡觉.

下图是最优的RCD波形, 需要至少两个完整的连续波形分析, 在典型输出时, RC放电曲线千万不要去切Vor下降沿直角.
典型输出是什么? 是这台电源大多数情况下的负荷量.不同的客户会在25%, 50%, 75%, 100%某个点吹毛求疵, 咱们得视情况调整.

这个问题很头痛，轻载下肯定被RCD啃了一块了，怎么解决？用TVS，保证任何情况下都不贪嘴，缺点是贵。

改了RCD中的某个参数, 不能瞎子模象似的, 摸到大象的大腿就说, 大象是一根柱子.
如果C的初始电压较低, 那么就会浪费Vor有用的能量。把C改小R改大，尖峰又恢复了，R的功耗确实能小一些，但是二极管热了，这一招叫乾坤大挪移。

2万 · 2012-5-24 05:21

刚才忘了贴图, 开关关掉后的第一个尖峰, 是最害人的。

但是，居然不少人不知道它的产生原因，而去拿RCD开刀

解密：第一个尖峰，很高很高，那是高压电容的ESL和回路的分布电感引起的，RCD对此无能为力，只能作高频退耦处理来解决。

1万 · 2012-5-24 12:10

存储卡是并口的，读卡器坏了:dizzy:

借同事手机拍了两张，将就着看吧

测试点：

1N4007：

UF4007：

2万 · 2012-5-24 12:51

1N4007那一张，电容电压上正下负？怎么对地电压差不多少了一半？

1万 · 2012-5-24 13:11

没有上负下正啊。黄色的那条
1N4007：电容峰值电压156V 谷值电压：90V左右 DS电压最大值：452V

UF4007：电容峰值电压186V 谷值电压：150V左右 DS电压最大值：476V

2万 · 2012-5-24 13:34

看走眼了，原来CH1的地是接V+上

2万 · 2012-5-25 08:42

这个贴子是电源版近一年以来最有质量的一贴，上一回是leoliang的共模和差模
（比leoliang早几天伟林电源的那一贴共模和差模就不算数了，一层层的抄别人的blog）
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昨天小马过来请俺和春哥吃饭，折腾晚了，回家就睡。今晚要陪儿子去MTV练歌（6.1演出）。
昨天不亦心测试的结果表明振铃小许多，也证明峰值小许多，而且电流确实有回流，但这个回流的电流是否送到了二次侧，明天我将作全面测试验证。

1万 · 2012-5-25 10:04

刚刚又测了一下效率。
保证1N4007和UF4007两种情况下，MOS的VDS电压一样，
1，把原电容102改为331，电阻不变，效率几乎没什么变化
2，把原电阻224改为474，电容不变，效率几乎没什么变化
3，把原电容102改331，原电阻224改474，VDS比快管略高一点，效率略微高一点点，但是远小于1个点。。。。

2万 · 2012-5-25 10:09

两个33R短路，再来一回，会是什么情况？

2万 · 2012-5-25 10:27

51楼中，1N4007的图，吸收电容上有100V的平台，这比Vor相近，而UF4007的则在150V，说明UF4007的吸收电压设计偏高，导至MOS管VDS升高，这属于RCD设计不合理。即吸收电压比Vor高太多，人为地抬高了VDS。
把R1-4由220K改为150K，C上的电压下降，VDS也就拉下来了，甚至可改到120k，把C上的电压降到与使用1N4007相当的水平，这时VDS就会达到甚至低于1N4007的水平。