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[微控制器/MCU]

恩智浦LPC2214系统调优心得--ZT

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Massif123|  楼主 | 2010-7-15 19:57 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
手里的项目开发在一个月前就已经结束了,最近这一个月一直在对代码、进行调整,查找BUG,对显示效果进行细节上的调整。首先,说一下对CPU频率,操作系统的新的体验。原来一直认为在处理过程中,显示停顿、功能不能成功的原因是CPU主频不够,毕竟NXP的2214只有50M左右的速度,后来发现,原来50M可以干这么多事,才明白在PC上开发原来是一件这么令人开心的事--不用为存储空间、CPU速度考虑太多,实现功能就是了。而手头的嵌入式应用,在功能完成后,离产品还有一段距离那。并且在对其进行优化过程中,会强迫自己进行很多方面的考虑。对嵌入式应用来讲,瓶颈是多方面的,CPU速度不够,RAM,flash空间比较小。这就导致很多东西都需要调整。而这几方面很多时候是关联在一起的,占用的flash空间比较大,就必然有指令上的冗余,执行自然比较慢。近1个月来,对其调整总结如下--调整备忘录
由于使用CPU配置FPGA,FPGA的配置文件必然放在flash空间中,这就导致flash空间中既运行程序代码,有需要读取配置数据,执行速度自然很慢,由于我们目前有2块flash,一块是CPU内的片内flash,比较小,另一块是片外用于存放程序的4M Norflash,将FPGA配置数据放在片内flash中,将程序代码放在片外flash内,这样可以避免读取指令与读取数据上的冲突,小幅提升速度,在这个过程中发现系统的主要瓶颈在于对flash的写操作,以及CPU读取片外flash指令的速度上,将CPU超频到88M,速度提升很多,似乎问题就此解决,但CPU超频是产品开发中的禁忌,当时我也一筹莫展,思维局限在CPU速度慢,处理速度不够上,似乎除了超频没有更好的办法了。仔细分析系统运行瓶颈所在,发现主要原因是CPU读取片外flash中的指令太慢,由于使用片外flash,不像片内flash那样有8条指令缓冲,读取flash速度、执行速度极快。不过就是没有缓冲,似乎也不应该执行片外指令这么慢。最终发现,问题出在对片外flash芯片读写速度的控制上,最初为了保险起见,将flash的读取、写入速度都按等待最大时钟周期设定的,就是NXP 2214的BCFG0寄存器,仔细根据NORFLASH芯片手册其最短读取、写入周期,及CPU速度计算,重新填写该寄存器,速度有了大幅提升,执行指令速度加快,相应的读写flash速度变快。性能有了大幅提升。
但在进行flash速度优化后,进行FPGA配置过程中,还是速度太慢,当时的想法是已经没有什么可以优化的了,就申请使用FPGA配置芯片进行配置,不使用CPU配置了。事情似乎就此解决了。但对代码的优化并没有停止,通读代码,将代码中很多调试代码删除,对系统各项功能进一步测试。在整理编译的makefile时,突然想起,在编译过程中没有开启编译优化选项,马上开启试一下,哈哈,发现开启后对FPGA的配置速度又提升很多很多,性能已经能够满足系统要求,FPGA配置芯片可以省去。这个东西就像编译器免费提供的黑科技一样,大体了解一下编译优化通过很多方式减少编译后代码长度,提高执行效率,真是不可多得的好东西。但同时也产生了一个很关键的问题,那就是----由于编译器如何优化是我们所不知道的,优化中会修改指令的顺序,也就是编译器按照自己对代码的理解修改代码,这就导致最终的程序并不是完全按照我们的代码生成的,所以如果这个优化在性能能够满足的情况下,还是不开启的好,虽然编译器手册上说,不优化用于DEBUG,优化用于RELEASE,但开启优化后,我的代码在运行中就发现了一个莫名其妙的错误,由于问题只是在优化后出现的,错误实在不好定位,不得不挨个文件的开启/关闭优化选项,编译、测试,最终确认就是一个文件的优化造成这种结果,取消对该文件的编译优化,问题解决,对该文件代码仔细阅读,没有发现代码有错误。由于编译器并不会告诉你他是如何优化的,所以即使定位到问题所在的文件,依然不能修正该错误,只要取消对该文件优化,进行编译。这中间的过程非常耗费时间。所以如果不是因为性能达不到要求,或者不是嵌入式应用,我还是感觉这优化选项可开可不开。
最后调整系统中每个线程所分配的堆栈空间大小,减少系统RAM使用空间,为下一步开发留出比较大的资源。

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沙发
S3C2440| | 2010-7-21 22:00 | 只看该作者
受教了,觉得工作压力大对人的发展还是有好处的!

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