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请教香主 STM32 开漏输出IO的电压容许值

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楼主: zhaoyu2005
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myxiaonia| | 2016-9-12 13:46 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
384751058 发表于 2013-11-30 13:48
是不是加了超过VDD电压就会出现,VDD对GND短路的现象啊,我加了4.8V,不是每次都会坏,但还是会坏,不知 ...

你对adc引脚加上了4.8v吗,请问4.8v的输出阻抗是多少,这个直接影响adc引脚箝位电流

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sq0100| | 2016-12-16 11:10 | 只看该作者
楼主英明,非要超过人家极限那么多使用,人家的片子好用不好用是要在正常使用条件下作用啊,你把片子用在100kV上看看,哪个不挂

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longquanshuang| | 2017-5-20 15:46 | 只看该作者
那个钳位上拉的不是Vcc,就当没有上拉了

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caoenq| | 2021-1-8 09:22 | 只看该作者
zhaoyu2005 发表于 2010-9-7 09:15
20楼
1.要是钳位二极管挂了,还能钳位到9伏多了么?
2.如果钳位二极管250uA就挂,那和没有钳位二极管有差别 ...

看这个IO结构图,无论STM32的IO配置成哪种模式,内部的保护二极管始终是起作用的,这个口的电压最高也就是VDD+0.7V(无论IO配置为何种模式),你都测量到9V多了,那内部保护二极管肯定是挂了。

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caoenq| | 2021-1-8 09:25 | 只看该作者
sheriff 发表于 2010-9-8 15:10
端口开漏输出上拉到12V没有意义吧。端口的保护二极管不会因为配置为开漏就不起作用的,这样一来保护二极管 ...

正解。

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xuzhen1986| | 2021-8-9 16:19 | 只看该作者
这个问题,香就差一句话就说清楚,提问者也在纠结这个问题。GPIO输出管脚配置成OD模式,MOS管的漏极理论可以接很高电压而不影响MOS的G极。但是必须考虑芯片的制程工艺,不同的工艺这里的MOS管的耐压不同,常见的几个档5.5V,7.5V,12V....,很多的LDO就是COMS工艺的,最高输入电压限制到5.5V,电压越高制程成本越高。

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大大财迷| | 2025-3-3 13:27 | 只看该作者
本帖最后由 大大财迷 于 2025-3-3 13:43 编辑

我来挖坟了。相信很多人深剖FT容忍的细节时,都会有这个疑问。
主要确定以下几个问题:
1、IO几乎都是多种功能复用1个口。当IO模式设置为OD开漏输出时,内部是否会自动切断AnalogInput模拟输入(如ADC)的物理通道?即:GPIO的模拟输入通道和数字通道之间有无MUX开关控制?另值得注意的是:就算有MUX开关控制。芯片内部的MUX基本都是基于MOS工艺的模拟电子开关,并非物理开关(如继电器),所以,这个MUX模拟开关它也是有电压、电流等级限制的。至于等级多少,也是由其工艺决定的!
2、众所周知,分立CMOS的vds耐压很高,但不从工艺制程问题去考虑耐压等级是错误的,一个芯片内集成上百万个mos晶元,它的耐压等级注定高不了。是不是?由于同一个芯片内,他的所有mos工艺基本都是一样的(不论是MUX电子开关里的mos,还是IO口上的mos)。所以,我们认为,他们一同遵守不超过最大电压(如5.5V)的原则!
3、ESD保护二极管对,在普通IO输入口,是上下2个。但在FT容忍5V引脚处,上二极管被取消了。这样,设置为OD,禁止上拉、下拉电阻后,外部电路实际上只和内部的下桥臂NMOS连接。根据实际应用,选择合适的限流、上拉电阻不(也不能超出IO的sink、source curent)。
4、考虑外部电源浪涌电压的问题,即:如何保证外部5V电源的浪涌电压不超出5.5V,要做限压保护(diode、TVS、mov)。
5、综上所述:我认为在OD输出模式时,外部电源最大电压不要超过5.5V(制程工艺决定),最大电流亦不要超过具体芯片标定的最大灌电流!
欢迎,有经验的老哥,前来批评指正!探讨有利于技术进步!


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