为什么这个电路会烧MOS管?

发表于 2010-8-30 01:04

哈哈…电路难改口难开…

发表于 2010-8-30 07:55

hotpower大叔,既然来了就说几句把!

发表于 2010-8-30 08:14

4# 123jj

能不能不加三极管，只在R45上并联小电容！
因为产品已经卖了很多年了，一直都有烧MOS的现象！
只在R45上并联小电容，返修比较容易点，
加三极管的话，就要改电路图，以前卖出去的坏了退回来返修的，就 ...
caiwenbin 发表于 2010-8-29 18:05

在R45上并联小电容，能提高一点触发电流，但不能根本上解决易烧MOS管的现象！

作为一个产品，有时候不是硬件对还是软件好的问题，而是一个综合的考虑体，硬件不足可用软件补偿，软件简单只能靠硬件撑了。

听你说，产品已经卖了很多年了，不是主控电路是否用MPU，早期的产品大多不用OTP，程序可改写，如硬件不想修改，可改软件，对用于加热系统的，由于热惰性比较大，改作以数秒至分级别的开关频率控制，此电路不改也能用。

发表于 2010-8-30 08:51

顶顶顶

发表于 2010-8-30 09:05

24# 123jj

谢谢!
这个电路MCU用的是MEGA16L,我改软件试试,但是很难测试啊,主要是坏的几率又不多!

发表于 2010-8-30 09:32

菜鸟搬个凳子来听课:)

发表于 2010-8-30 10:32

本帖最后由 sheriff 于 2010-8-30 10:33 编辑

MOS管的Vgs太大了，将近15V，Id受到的Vgs的限制几乎没意义，当热敏电阻的阻值随温度减小后，Id增大，MOS管上的功耗会增加，其实这种情况下热敏电阻也已经过流了，但可能最先烧的就是MOS。可以把R43适当减小，把Vgs降到5-6V左右可能会好些。

发表于 2010-8-30 11:22

不存在烧，击穿的可能性最大。
130W的漏极功耗，50A的漏极电流，只要工作正常情况下发热温度不高，对于以上的电路那肯定就是耐压不够（60V的耐压），采取的措施可以在负载两端加上快速泄放二极管，在靠近开关管上的两端并上吸收小瓷片电容。

发表于 2010-8-30 12:22

30楼道行不够，自以为是！很恶心！

发表于 2010-8-30 12:33

不知道你的MCU是啥，也不知道是强上拉还是弱上拉。要是弱上拉，那个光隔的工作状态很成问题。

发表于 2010-8-30 12:35

请教一下，R43，地那条支路不是放电回路吗？？？？ 6# luan3703

发表于 2010-8-30 13:10

白炽灯负载的话，由于它的冷热态电阻差异非常大，需要考虑开启时的冲击电流

如果再加上MOS的开通速度不够快的话，MOS开通时的瞬间功耗会相当可观

发表于 2010-8-30 13:53

笑死人了，连电阻还没有懂就想装逼！物以类聚啊！
//luan3703发表于 2010-8-30 13:43
//35楼：是的，但功率mosfet的结电容都比较大，经47K的电阻回路几乎等于没有。低速情况下勉强，30K以
//上很难关断，这就是为什么高速情况下专用MOS驱动芯片采用图腾柱驱动的道理。

发表于 2010-8-30 14:03

对于37楼这些只想装逼，不学无术的纯理论家，根本不配同粉丝交流！多你一个不多，少你一个社区会更好！

发表于 2010-8-30 14:15

这个我一直真没搞懂,跟着学习学习.

发表于 2010-8-30 14:24

好好的一个技术讨论贴，被灌水成口水贴。。。。。 :@ :@ :@

发表于 2010-8-30 14:27

搞技术的要讲原理,说错了也没关系,看别人怎么说,为什么要攻击人呢?

发表于 2010-8-30 16:35

搞技术的要讲原理,说错了也没关系,看别人怎么说,为什么要攻击人呢?
sxl_72 发表于 2010-8-30 14:27

赞同！！

发表于 2010-8-30 16:59

搬个板凳，学习学习！

发表于 2010-8-30 20:04

光耦输出级改接NPN/PNP三极管构成的推挽驱动电路，可以达到更高的开启/关断速度。
----------
他打开断开的频率有这么高吗

[AVR单片机] 为什么这个电路会烧MOS管?

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