为什么这个电路会烧MOS管?

发表于 2010-8-30 23:48

luan3703 这小子把他的贴子全自杀了。
KAO，小子连电阻的阻值都没有弄懂就上来胡扯。有照为证。
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粉丝发表于 2010-8-30 13:53
33楼：笑死人了，连电阻还没有懂就想装逼！物以类聚啊！
//luan3703发表于 2010-8-30 13:43
//35楼：是的，但功率mosfet的结电容都比较大，经47K的电阻回路几乎等于没有。低速情况下勉强，30K以
//上很难关断，这就是为什么高速情况下专用MOS驱动芯片采用图腾柱驱动的道理。

发表于 2010-8-31 00:13

44# tiaomiaodu
是“更高的开启/关断速度”，而非频率。
直观地说，就是驱动波形边沿是否陡直。
开启/关断速度过低可使MOS管长时间工作于线性区，热耗显著增加。

发表于 2010-8-31 07:53

回41楼：

luan3703大虾倒是二姨家少有的好手，只是不识抬举，得罪了斑猪，遭到持杀。

俺向他至以崇高的革命敬礼，为了真理而献身，虽败犹荣。

发表于 2010-8-31 08:04

晕!

发表于 2010-8-31 09:27

30楼道行不够，自以为是！很恶心！
宇宙飞船发表于 2010-8-30 12:22

呵呵，飞船还真是有先见之名，在29楼就能够知道30楼要说什么了！！！

发表于 2010-8-31 18:52

在俺的地盘蓝于充数变相灌水，杀无泄。

发表于 2010-9-1 09:08

MARK

发表于 2010-9-1 14:50

学习了。

发表于 2010-9-1 19:56

我顶，好分析。

发表于 2010-9-1 22:27

强势

发表于 2010-9-2 14:16

见识了:)

发表于 2010-9-2 17:11

mosfet 用的多,我也来学习学习

发表于 2010-9-2 19:23

厉害啊，学习了！

发表于 2010-9-2 21:53

栅极 R45上并上（一个 20R的电阻传一个2二极管）用加速关闭。看看。

发表于 2010-9-3 20:27

最好不要用817来驱动MOSFET，要用也需要使用TLP250之类的MOS驱动芯片，否则工作在放大区就杯具了

发表于 2010-9-4 20:53

N沟道MOSFET是这样驱动的？

发表于 2010-9-4 21:39

如果那个是感性负载，应该做好场效应管的DS两端的电压要做好保护，加一二极管，电容和一个电阻。再用示波器测量测量就知道了。
另外，我觉得场效应管那个地方如果是由于开关损耗损坏的，一是导通损耗，二是关断损耗，用示波器测量一下波形就知道啦，没什么好争的啊，如果真是这个，加一个加速电容应该是有点效果的，然后想办法让其快速关断、个人观点
呵呵示波器才是王道

发表于 2010-9-4 21:40

十分同意 4# 123jj

发表于 2010-9-4 22:01

经典支持一下。

发表于 2010-9-6 12:20

图中负载标示不明确，且与后面的表述不一致。
如果是12V/8W，管子工作在线性区域，需要大功率散热。
如果是12V/3A，其冷态启动电流会大大大于3A，启动时如果驱动不足将超出SOA区域。
R42，R43比例分配不当，D41应当只起一个保护作用，如果工作时D41导通，有可能使MOSFET驱动不足，建议适当降低R43的值。

[AVR单片机] 为什么这个电路会烧MOS管?

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