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为什么这个电路会烧MOS管?

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楼主: caiwenbin
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宇宙飞船| | 2010-8-30 23:48 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
luan3703 这小子把他的贴子全自杀了。
KAO,小子连电阻的阻值都没有弄懂就上来胡扯。有照为证。
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粉丝发表于 2010-8-30 13:53
33楼: 笑死人了,连电阻还没有懂就想装逼!物以类聚啊!
//luan3703发表于 2010-8-30 13:43
//35楼: 是的,但功率mosfet的结电容都比较大,经47K的电阻回路几乎等于没有。低速情况下勉强,30K以
//上很难关断,这就是为什么高速情况下专用MOS驱动芯片采用图腾柱驱动的道理。

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cauhorse| | 2010-8-31 00:13 | 只看该作者
44# tiaomiaodu
是“更高的开启/关断速度”,而非频率。
直观地说,就是驱动波形边沿是否陡直。
开启/关断速度过低可使MOS管长时间工作于线性区,热耗显著增加。

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xuyiyi| | 2010-8-31 07:53 | 只看该作者
回41楼:

  luan3703大虾倒是二姨家少有的好手,只是不识抬举,得罪了斑猪,遭到持杀。

  俺向他至以崇高的革命敬礼,为了真理而献身,虽败犹荣。

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caiwenbin|  楼主 | 2010-8-31 08:04 | 只看该作者
晕!

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jiabin1024| | 2010-8-31 09:27 | 只看该作者
30楼道行不够,自以为是!很恶心!
宇宙飞船 发表于 2010-8-30 12:22
呵呵,飞船还真是有先见之名,在29楼就能够知道30楼要说什么了!!!

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宇宙飞船| | 2010-8-31 18:52 | 只看该作者
在俺的地盘蓝于充数变相灌水,杀无泄。

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ayl439| | 2010-9-1 09:08 | 只看该作者
MARK

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tf_0991| | 2010-9-1 14:50 | 只看该作者
学习了。

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49
黄俊霖00613| | 2010-9-1 19:56 | 只看该作者
我顶,好分析。

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hhhhhhgggg| | 2010-9-1 22:27 | 只看该作者
强势

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jack_shine| | 2010-9-2 14:16 | 只看该作者
见识了:)

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li040113| | 2010-9-2 17:11 | 只看该作者
mosfet 用的多,我也来学习学习

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sixgett| | 2010-9-2 19:23 | 只看该作者
厉害啊,学习了!

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itelectron| | 2010-9-2 21:53 | 只看该作者
栅极 R45上  并上(一个 20R的电阻传一个2二极管) 用加速关闭。 看看。

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jazzyfox| | 2010-9-3 20:27 | 只看该作者
最好不要用817来驱动MOSFET,要用也需要使用TLP250之类的MOS驱动芯片,否则工作在放大区就杯具了

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mxh0506| | 2010-9-4 20:53 | 只看该作者
N沟道MOSFET是这样驱动的?

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xiaowai| | 2010-9-4 21:39 | 只看该作者
如果那个是感性负载,应该做好场效应管的DS两端的电压要做好保护,加一二极管,电容和一个电阻。再用示波器测量测量就知道了。
另外,我觉得场效应管那个地方 如果是由于开关损耗损坏的,一是导通损耗,二是关断损耗,用示波器测量一下波形就知道啦,没什么好争的啊,如果真是这个,加一个加速电容应该是有点效果的,然后想办法让其快速关断、 个人观点
呵呵 示波器才是王道

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xiaowai| | 2010-9-4 21:40 | 只看该作者
十分同意 4# 123jj

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csq463276932| | 2010-9-4 22:01 | 只看该作者
经典支持一下。

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60
bald| | 2010-9-6 12:20 | 只看该作者
图中负载标示不明确,且与后面的表述不一致。
如果是12V/8W,管子工作在线性区域,需要大功率散热。
如果是12V/3A,其冷态启动电流会大大大于3A,启动时如果驱动不足将超出SOA区域。
R42,R43比例分配不当,D41应当只起一个保护作用 ,如果工作时D41导通,有可能使MOSFET驱动不足,建议适当降低R43的值。

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