BUCK中肖特基二极管的作用

只看该作者 · 2017-8-17 17:15

下图为一个分立器件搭建的BUCK电路，但是不明白图中的两个肖特基二极管（D1.D2）的作用是什么

2万 · 2017-8-17 17:23

应该是防止Q1深度饱和的。

只看该作者 · 2017-8-17 17:33

防止Q1深度饱和

只看该作者 · 2017-8-17 17:36

HWM 发表于 2017-8-17 17:23
应该是防止Q1深度饱和的。

请问下什么叫 ”深度饱和” 呀？

1万 · 2017-8-17 20:13

小营七郎发表于 2017-8-17 17:36
请问下什么叫 ”深度饱和” 呀？

你需要找本模电书翻翻。。。。。

只看该作者 · 2017-8-17 23:42

小营七郎发表于 2017-8-17 17:36
请问下什么叫 ”深度饱和” 呀？

你需要上课好好听讲……

只看该作者 · 2017-8-18 09:08

HWM 发表于 2017-8-17 17:23
应该是防止Q1深度饱和的。

防止深度饱和，那这是为了提高Q1的截止速度吗？

或者是缩短Q1的关断时间？

只看该作者 · 2017-8-18 09:09

戈卫东发表于 2017-8-17 20:13
你需要找本模电书翻翻。。。。。

模电书中又讲 D1 D2在这里的作用的？
那一章节？我现在需要一个理论上的解释

只看该作者 · 2017-8-18 10:02

本帖最后由 Jack315 于 2017-8-18 10:05 编辑

参考三极管的共发射极特性曲线图 1-30：

一般三极管用做开关时，工作在截止区和饱和区。
在给定 VCC 和 PWM 电压的情况下，导通时

基极电流由 R1 确定：
Ib = (Vpwm - Vbe) / R1
Vbe = 0.65 ~ 0.70 V

集电极电流由 R2 确定：
Ic = (Vcc - Vce) / R2
Vce = 0.3 ～0.4 V

设计时，如果
1) Ic > hfe × Ib —— 放大区
2) Ic = hfe × Ib —— 在放大区与饱和区的交界处
3) Ic < hfe × Ib —— 饱和区

如果 Ic << hft × Ib，则三极管进入深度饱和区。
由于三极管退出（深度）饱和区需要一定的时间，
因而降低了开关速度。

BC 极之间加了二极管后（正极接在 R1 前面），导通时
Vce = Vpwm - Vf
Vf 为二极管导通电压 (0.5~0.6 V)
Vce = 3.3 - 0.5 = 2.8 V
此时，三极管工作在放大区，
防止了三极管进入饱和区，提高了开关速度。

只看该作者 · 2017-8-18 10:31

Jack315 发表于 2017-8-18 10:02
参考三极管的共发射极特性曲线图 1-30：

这位兄弟的分析我觉得就不怎么对了，Vce=Vpwm-Vf？电阻R1不用考虑压降了？

1万 · 2017-8-18 10:52

楼上讲解的哦很详细

1万 · 2017-8-18 10:56

king5555 发表于 2017-8-18 08:00
防止Q1饱和，但沒深度。

如果Vce = Vbe - Vf这样算的话，VCE电压也很低啊，也就是饱和了

只看该作者 · 2017-8-18 11:23

本帖最后由 Jack315 于 2017-8-18 11:27 编辑

威爆全场发表于 2017-8-18 10:31
这位兄弟的分析我觉得就不怎么对了，Vce=Vpwm-Vf？电阻R1不用考虑压降了？

注意： BC 极之间加了二极管后（正极接在 R1 前面）……
按 LZ 的图是另外一个故事。
结合 Q2 的工作情况，情况略微复杂一点，
未能做一个定性的理论分析。
是否能按设想的那样工作，恐另当别论。

通过仿真或实验才能明白真实的情况。
或有另外的作用也未尝可知。
有兴趣的朋友继续。

只看该作者 · 2017-8-18 11:35

Jack315 发表于 2017-8-18 11:23
注意： BC 极之间加了二极管后（正极接在 R1 前面）……
按 LZ 的图是另外一个故事。
结合 Q2 的工作情况 ...

我觉得LZ的那个电路图中的二极管主要是给MOS管栅源极提供一个快速的充电过程，毕竟R2的阻值必定比R1的阻值大很多。

2万 · 2017-8-18 11:43

加一个肖特基二极管就够了，加2个真浪费。

只看该作者 · 2017-8-18 11:48

威爆全场发表于 2017-8-18 11:35
我觉得LZ的那个电路图中的二极管主要是给MOS管栅源极提供一个快速的充电过程，毕竟R2的阻值必定比R1的阻 ...

这样解释显然不对
首先PWM的电压是3.3v VCC是5v
其次Q1导通时，二极管D1.D2才会导通，当PWM为低时 Q1 才截止

只看该作者 · 2017-8-18 12:00

kissn123 发表于 2017-8-18 11:48
这样解释显然不对
首先PWM的电压是3.3v VCC是5v
其次Q1导通时，二极管D1.D2才会导通，当PWM为低时 Q1 ...

MOS管是电压控制电压的器件，这个是P沟道增强型的MOS，当MOS管导通时，栅极电压为Vce，也就是低电压，那Cgs电压是否为5-Vce?要MOS截至，那门极电压是不是要5V？这个截至电压哪里来的？也就是Cgs的电压是如何为0V的？

只看该作者 · 2017-8-18 15:54

本帖最后由 kissn123 于 2017-8-18 17:15 编辑

威爆全场发表于 2017-8-18 12:00
MOS管是电压控制电压的器件，这个是P沟道增强型的MOS，当MOS管导通时，栅极电压为Vce，也就是低电压，那C ...

你的解释明显是错误的，我这里有关于这个二极管用法的解释，是防止饱和的，目的是提高三极管的关断速度。

只看该作者 · 2017-8-18 16:54

费了半天码字，却原来是考题

貌似考试还不及格

只看该作者 · 2017-8-20 19:17

kissn123 发表于 2017-8-18 09:09
模电书中又讲 D1 D2在这里的作用的？
那一章节？我现在需要一个理论上的解释 ...

我回复的哪楼看不见吗？模电不讲深度饱和？

BUCK中肖特基二极管的作用

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