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[电子元器件]

以小见大之“饱和”

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沙发
HWM|  楼主 | 2017-8-21 12:12 | 只看该作者
附加说明:

此例其实极为简单,就是利用了两个并联在BJT基极和集电极间的肖特基二极管防止BJT进入深度饱和。

如果那两个肖特基二极管起作用,那么BJT其实已经进入到了饱和,所以此例并不能防止BJT进入饱和。

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板凳
HWM|  楼主 | 2017-8-21 12:17 | 只看该作者
补充说明:

理论上,可以通过器件参数的选择使得BJT(Q1)不进入饱和(或在放大饱和的临界点上),但工程上是不可能的。这其实已经涉及到了容差设计。

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地板
HWM|  楼主 | 2017-8-21 12:20 | 只看该作者
思考:

为何要用肖特基二极管,且并联两个?

如果存在理想的二极管,情形将如何?

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5
tuezhibang| | 2017-8-21 20:38 | 只看该作者
防止密勒效应?不懂还望前辈指点一下。

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6
Wattle_He| | 2017-8-21 20:51 | 只看该作者
HWM 发表于 2017-8-21 12:17
补充说明:

理论上,可以通过器件参数的选择使得BJT(Q1)不进入饱和(或在放大饱和的临界点上),但工程 ...


你的2楼3楼发言有矛盾
而且我觉得工程上并没有问题
因为肖特基没有“固定的导通压降”
恰恰是理想二极管才做不到

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7
HWM|  楼主 | 2017-8-21 21:15 | 只看该作者
Wattle_He 发表于 2017-8-21 20:51
你的2楼3楼发言有矛盾
而且我觉得工程上并没有问题
因为肖特基没有“固定的导通压降”

这里说的是不用二极管,仅考虑BJT和电阻配置。

由于BJT和电阻的离散性,工程上根本不可能实现。

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8
HWM|  楼主 | 2017-8-21 21:24 | 只看该作者
负反馈和适当的非线性是容差设计的常用方法。

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9
tuezhibang| | 2017-8-21 22:00 | 只看该作者
看得头疼

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Wattle_He| | 2017-8-21 22:49 | 只看该作者
HWM 发表于 2017-8-21 21:15
这里说的是不用二极管,仅考虑BJT和电阻配置。

由于BJT和电阻的离散性,工程上根本不可能实现。

有离散型不等于离散的到处都是
任何实际产品的规格都是依照统计规律来做的
你要做过每月几十k出货量的产品你就知道了

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11
HWM|  楼主 | 2017-8-21 23:01 | 只看该作者
Wattle_He 发表于 2017-8-21 22:49
有离散型不等于离散的到处都是
任何实际产品的规格都是依照统计规律来做的
你要做过每月几十k出货量的产 ...

如果你觉得可以设计成不用那个二极管,仅通过“设计计算”就可以保证BJT工作在截止和临界饱和点的话,那么就和本例无关了。

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威爆全场| | 2017-8-28 16:23 | 只看该作者
上一个贴的楼主不是发过一个讲解的**截图吗?那现在到底有什么结论呢?

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戈卫东| | 2017-8-29 10:06 | 只看该作者
看出来了。
没有实践的人对概念的理解就不会完整。

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HWM|  楼主 | 2017-8-29 10:32 | 只看该作者
威爆全场 发表于 2017-8-28 16:23
上一个贴的楼主不是发过一个讲解的**截图吗?那现在到底有什么结论呢? ...

结论就是:

防止Q1深度饱和,但不能防止其饱和。

这个已经说得很清楚了。

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HWM|  楼主 | 2017-8-29 10:46 | 只看该作者
戈卫东 发表于 2017-8-29 10:06
看出来了。
没有实践的人对概念的理解就不会完整。

按你的“实践经验”,应该是多说几句的(包括上次的那个电气隔离)。可惜,说得太少,或几乎等于没说。

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