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一大功率交流调压驱动,坛里的大大们帮忙看看

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ComeONic|  楼主 | 2010-12-28 16:54 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
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chunyang| | 2010-12-28 16:58 | 只看该作者
电路设计不对,没有触发回路,而且根本不必搞什么串并联。

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板凳
ComeONic|  楼主 | 2010-12-28 17:39 | 只看该作者
多谢chunyang指点。
串并联主要考虑光耦的耐压,对于380V来说,一个光耦可能就不够了
对于触发回路,如果光耦导通,220V会通过并联可控硅的G流向独立的双向可控硅两级,和N形成一个回路。这样不能触发吗?还请指教!

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地板
chunyang| | 2010-12-28 17:53 | 只看该作者
选合适的型号就不会有耐压问题,拿低压的串联去耐受高压是不行的,开启不可能完全同步,这时会有过压风险,对可靠性相当不利。

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chunyang| | 2010-12-28 17:54 | 只看该作者
关于触发回路,你的图中根本就没有,建议去看看可控硅的基本应用知识。

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ComeONic|  楼主 | 2010-12-28 17:54 | 只看该作者
可以看看这个调压电路,能不能帮我分析一下,它又是如何工作的?跟我那个类似

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lai832| | 2010-12-28 19:11 | 只看该作者
说说我的看法(老实说可控硅不复杂我还真不了解它了)
控制电路:
相信LZ的TPL3021串联只是为了输入的耐压问题,
因为去掉开启同步问题,串联只能增加耐压.

可以考虑在输入串联恒流(限流)电路,这样输入耐问题解决了,而且输入电压范围也很宽
----现在的固体继电器都是这样的输入(而且LZ的也就是固体继电器的电路)

负载回路中的两个可控硅方向相同地并联,两G极间电位基本相同,所以中间部分电路是没有任何是工作条件.

3021的串联像楼上很多人说的一样,
很可能造成一个先导通,再另一个导通,
这样,就造成"半偏置"(上半或只有下半)先工作.

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ComeONic|  楼主 | 2010-12-28 19:21 | 只看该作者
改正一下: 原理图中,反向并联的是两个单向可控硅,之前画成双向了,特此改正。这个反向并联的单向可控硅是一个模块,可承受1200V的反向电压,电流130A。它的门级触发电压为 10V
之所以让两个光耦串接的原因也在这里,因为找不到一个光耦可以承受这么大的电压(没办法的办法),当然会有象chunyang老师说的问题。
lai832: 向你说的,如何在输入串联恒流(限流)电路?复杂不?
还请各位老师看一下6楼的图,它又是如何工作的?6楼中,在反向并联的可控硅门级中会有几伏的导通电压,它又是如何来的呢?

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ComeONic|  楼主 | 2010-12-29 16:20 | 只看该作者
怎么没有人对6楼的图的原理解释解释啊?
象驱动大功率可控硅,常规的光耦控制是不安全的;常见的就是小功率晶闸管去控大功率的,象6楼的那样。
还有光耦串联是解决耐压问题,而且还有降低 dv/dt. 我见过一个产品是用9个光耦串在一起用的。
我也很想听听你们驱动大功率负载(1600V, 130A)的看法,还请不吝赐教啊!!

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