关于铃木<晶体管电路设计>上的一个问题

只看该作者 · 2011-1-7 22:01

如图所示，铃木教材上提到，怎么去计算放大电路的RC,RE：
”为了吸收基极-发射极间电压VBE随温度的变化，而使工作点（集电极电流）稳定，RE的直流压降必须在1V以上。这是因为VBE约为0.6V，然而它具有-2.5mV/°C的温度特性，这是由于VBE的变动，发射极电位也变动，集电极电流也发生变化的缘故。“
这个解释，没看懂，请问大侠，RE的直流压降必须在1V以上。？
还有这个-2.5mV/°C的温度特性，怎么看出来的？

只看该作者 · 2011-1-7 22:37

这是一个发射极的电压负反馈。
VBe就是一个PN结。 PN结的电压电流关系式是 i = Is*e^(u/UT)，其中UT=KT/q。
在保证正向电流不变的前提下，提高温度T，会使1/UT的值变小，相应的为了保持i不变必须减小u。这个减小的关系就是2-2.5mv/摄氏度。 Is是PN结的反向电流也会随温度变化的。

至于RE的直流压降必须在1V，这个未知。。。貌似没这个道理呃。

只看该作者 · 2011-1-7 22:41

之前有人问过了。
https://bbs.21ic.com/icview-177727-1-1.html

只看该作者 · 2011-1-8 21:42

还有这个-2.5mV/°C的温度特性，怎么看出来的？
是三极管输入端的温漂特性，所以加电阻来调节

这里是用三极管来放大交流信号，所以直流的q点必须在一个合适的点，不然引起饱和或者截止失真的

只看该作者 · 2011-1-8 21:57

问题是这个点书上为什么说是1V以上？

只看该作者 · 2011-1-8 23:27

本帖最后由 ShakaLeo 于 2011-1-8 23:33 编辑

看似对RE的电压有要求，实际是对RE的阻值有要求。三极管的be等效电阻rbe可以看做是随温度变化而变化的，那么RE*hFE要远大于rbe（hFE是直流放大倍数），rbe随温度变化对静态工作点引起的变化就可以忽略不计。实际上要求RE上的压降大于1V是对反馈深度的要求。1V应该是个经验取值，并不是精确的。