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coolmosfet

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楼主: capturepower
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15楼的数据,证明俺5楼说的没错,coolmos在同规格(电压电流相近)条件下,Ron较小,寄生电容较大,开关速度也会较慢(设RG相同)

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伟林电源| | 2011-1-27 22:03 | 只看该作者
15楼的数据,证明俺5楼说的没错,coolmos在同规格(电压电流相近)条件下,Ron较小,寄生电容较大,开关速度也会较慢(设RG相同)
PowerAnts 发表于 2011-1-27 21:53


通过datasheet的对比,IFX的RG=0.5,APT的找不到,不知道如何假设;

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PowerAnts| | 2011-1-27 22:21 | 只看该作者
你自已搜功不好,找到一份简易的datasheet,alldatasheet上明明有十几份,你为何只检最简单的两页贴上来?

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PowerAnts| | 2011-1-27 22:40 | 只看该作者
好了,就看19楼中的datasheet吧:

APT10050在VGS=0V,VDS=25V,FREQ=1M的测试条件下,Ciss,Coss,Crss分别为5000pF,600pF,190pF

IPW90R120C3表中给出的测蔗条件是VDS=100V,无法对比,因此我们看第7页的曲线图,通过2分法找到VDS=25V的点,可看出同样测试条件下,Ciss,Coss,Crss分别为6700pF,8000pF,400pF



结论,电压、电流基本相近的情况下,Cools的Ron最出色,但是由于寄生电容较大,相同的驱动条件下,速度会慢一些,这个特点非常适合用于ZVS拓朴,如LLC及全谐振,且适当工作于弱感性条件下,损耗最小。

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PowerAnts| | 2011-1-27 22:42 | 只看该作者
25V的一条线画偏左了点,但不影响大致的结果,有兴趣的朋友另画一个居中的或偏右的自已看

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伟林电源| | 2011-1-27 22:45 | 只看该作者
又找到一个新的版本数据,仍然没有看到RG。

APT10050datasheet.pdf (111.21 KB)

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PowerAnts| | 2011-1-27 22:51 | 只看该作者
Silly

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伟林电源| | 2011-1-27 23:18 | 只看该作者
本帖最后由 伟林电源 于 2011-1-27 23:22 编辑

Who is Silly?
Do not worry,
Slowly to know.
:lol
这个RG俺确实遗漏了没看到,sorry

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PowerAnts| | 2011-1-27 23:21 | 只看该作者
俺在技术版只用数据说话,不扯淡

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伟林电源| | 2011-1-27 23:21 | 只看该作者
原本的16楼俺删除了,后面才改了现在的16楼。(刚去后台想找回来,结果看不到)

内容大致如下:
要对比就要在同等的条件下对比。

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PowerAnts| | 2011-1-27 23:23 | 只看该作者
下次,拜托在未对比相关数据之前,不要去群里说我向什么器件原厂挑战,俺没有把谁家的mosfet印上PowerAnts的字样来跟别人比,谈不让挑战谁

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32
PowerAnts| | 2011-1-27 23:25 | 只看该作者
原本的16楼俺删除了,后面才改了现在的16楼。(刚去后台想找回来,结果看不到)

内容大致如下:
要对比就要在同等的条件下对比。
伟林电源 发表于 2011-1-27 23:21


同等的条件,是什么条件?电压电流先不管?

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PowerAnts| | 2011-1-27 23:30 | 只看该作者
只比Ron?那么,是不是意味着,俺可以拿一根漆包线(电阻大约为0.0几欧吧)去1000公里长的高压线路比功率容量?

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PowerAnts| | 2011-1-27 23:33 | 只看该作者
今晚俺一再强调,人无完人,器件同样如此,我们可以说某器件的某些方面很优秀,但能说全方面都优秀。俺还拿咱们俩作比喻,如果你说你比我胖,比我头发长,那么你就说的不对。你只是第一项胜了,后面一项就是我的优势。现在,你还要不要**说你的头发比我头发长呢?

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35
伟林电源| | 2011-1-27 23:36 | 只看该作者
接30楼:

为什么我要说在同等条件下作对比呢。

1、RDS的大小跟晶圆的面积成反比,跟厚度成正比,结电容刚好相反;
2、有了前提1,那么VDS跟厚度成正比,厚度越大那么VDS也越大,自然RDS也跟着大了;
3、这个先保留;

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36
伟林电源| | 2011-1-27 23:38 | 只看该作者
别着急,慢慢来,讨论总会有个结果滴。

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37
伟林电源| | 2011-1-27 23:41 | 只看该作者
讨论氛围有点激烈了,哈哈,俺今晚熬夜陪你了,好久没这样的心情了。

32楼:“同等的条件,是什么条件?电压电流先不管?”
电压电流是不可以不管滴,看35楼解释。

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chunyang| | 2011-1-27 23:41 | 只看该作者
比较器件既要在同等测试条件下进行,也要在各自的优化条件甚至极限条件下进行,这样的比较才全面,非技术或应用性的东西没有提及的必要。
一切的好与不好都是相对的,无必要厚此薄彼,应用才是关键。

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伟林电源| | 2011-1-27 23:42 | 只看该作者
只比Ron?那么,是不是意味着,俺可以拿一根漆包线(电阻大约为0.0几欧吧)去1000公里长的高压线路比功率容量?
PowerAnts 发表于 2011-1-27 23:30


俺从没说过只比RON,可别给俺上纲定性啊。

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PowerAnts| | 2011-1-27 23:42 | 只看该作者
普通应用者管你这些干嘛?用户管的是某些参数适不适合他的应用。玩ZVS就可以接受较大的寄生参数,但导通电阻越小越好,那就用C3类,要玩硬开关,速度快,那就要用CFD类,你不讲清楚,只说一个coolmos的RON又小,速度又快,寄生参数又小,那不是在害人?

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