请教个关于静电的问题！

发表于 2011-2-17 11:40

从连接器端直接引入到单片机口的输入线，需不需要在线上加100~200欧姆的电阻！
我们在评审的时候，总监跟我说，要加个100欧姆的电阻，防止静电从连接器端引入，直接打坏单片机口！
但我想想，静电有上千伏，光加个100欧姆的电阻有用不？请教下高手们！

发表于 2011-2-17 12:17

可以对电源和地并钳位二极管，前端再串适当的电阻。

发表于 2011-2-17 12:40

静电电压很高，但内阻很大(电容量很小)，相当大的电阻即可将其释放掉。

发表于 2011-2-17 12:52

虽然只有一、二百欧的电阻，但电阻和电阻两端的引线对地的分布电容构成π型低通滤波；足矣滤掉电压很高电荷很少的静电尖峰。如果贴片电阻，就要加TVS 瞬态抑制二极管了。

发表于 2011-2-17 12:58

考虑到板比较密集，我加的贴片电阻，效果不知道好不好！

发表于 2011-2-17 13:07

贴片电阻当然可以，但注意后面的处理（如二极管或TVS）。

发表于 2011-2-17 14:26

光加个电容，104的行不行呢！用电容来吸收

发表于 2011-2-17 15:08

光加电容是不行的，静电电压达到几千伏，为了保护电路，必须以最快的时间，将静电释放掉，一般加一个TVS管，就可以起到保护器件的作用。

发表于 2011-2-17 16:22

绝大多数情况光加电阻就可以了。因为单片机IO口内部已经有保护二极管了！

发表于 2011-2-17 17:29

看了MCU 规格书，突然想到，芯片口不是有保护二极管吗？静电还会造成芯片口损伤？

发表于 2011-2-17 17:38

芯片IO的二极管是钳位二极管，它导通时间远远大于TVS管，TVS导通是纳秒级的，可以瞬间将静电引起的电荷泄放掉，而IO的二极管主要起一个钳位的作用。

发表于 2011-2-17 18:35

器件内部的钳位二极管是MOS工艺，导通时间较慢，应对ESD问题的方法有多种，并电阻在很多场合下不准许，比如在MCU的IO上，这时就要求前端具有足够的驱动能力才行。一般可用电容来吸收静电，静电电压虽高但电量很少，决定电容两端电压的因素其实是电容的电量，严重的ESD可再加肖特基二极管钳位，这比TVS有效，TVS并非设计用于静电释放，而是针对低阻干扰源，静电源的内阻则极高，用TVS应对，起作用的其实是结电容。

发表于 2011-2-17 20:01

有用,静电的电压高,但能量不大.有串电阻会好很多.

发表于 2011-2-18 08:15

受教了，谢谢各位好心的大哥们:):):)

发表于 2011-2-18 10:18

嗯，学习了

发表于 2011-2-18 10:57

chunyang 老师讲的太好了

请教个关于静电的问题！

相关帖子

浏览过的版块

荣誉元老奖章

坚毅之洋流

十世金身

技术领袖奖章

无冕之王奖章

奔腾之江水

技术奇才奖章

精华达人奖章

湍急之河流

伴坛终老

永恒之光奖章

突出贡献奖章

沉静之湖泊

缘定三生

技术导师奖章