MOSFET开关电路，求助分析

发表于 2017-11-21 17:47

Q11负责关断。没有Q11不能关断。

发表于 2017-11-21 17:47

你这个图可能会看着有点不太习惯，看看驱动N管的电路应该更容易理解。

发表于 2017-11-21 17:48

https://bbs.21ic.com/icview-161243-1-1.html

发表于 2017-11-21 18:13

xmar 发表于 2017-11-21 11:46
1、因为Q9为PMOS管，所以Vgs=-15V时，D,S极理所应当导通。注意：Q9是PMOS管，而不是NMOS管，NMOS管需要Vgs ...

请问C139 和R97的作用是什么？

发表于 2017-11-21 22:31

Jack315 发表于 2017-11-21 09:44
Q5 导通时，Q11 截止；

Q5 截止时，VD21 和 R86 等效开路。

Q5截止时，C139 上的电压导致 Q11 导通，构成 C139 的快速放电回路。？？？这个怎么实现的呢？Q5截止时，Q5处的电阻很大，相当于开路，然后没构成回路啊，怎么会形成放电呢？大神帮忙解释

发表于 2017-11-21 22:33

毛毛狗呀发表于 2017-11-21 09:49
Q5导通后，三极管Q11的基极分压不会是32.7V。
因为这时R86的过电流并不等于R94的电流，还需要加上VD21上 ...

明白了。我只是简单的想成两电阻分压了。谢谢！

发表于 2017-11-21 22:39

ILBL 发表于 2017-11-21 10:24
计算时不能用电阻分压去计算，忽略了并联的那部分，会是它总体电阻变小 ...

明白了，谢谢！

发表于 2017-11-21 22:43

毛毛狗呀发表于 2017-11-21 11:32
十分感谢兄台！花这么大功夫还给附图。
以前没遇到过三极管射极悬空的情况，所以就不知道咋分析了。 ...

我还是不明白Q5截止，Q11为什么会导通呀。Q5截止，Q11的基极为52V，Q11的射极悬空，这个时候的射极电压是多少呢？Vbe=Vb-Ve，但是Ve不知道，也就不知道三极管怎么导通啊？

发表于 2017-11-21 22:43

Jack315 发表于 2017-11-21 11:17
Q5 截止时的等效电路：

我还是不明白Q5截止，Q11为什么会导通呀。Q5截止，Q11的基极为52V，Q11的射极悬空，这个时候的射极电压是多少呢？Vbe=Vb-Ve，但是Ve不知道，也就不知道三极管怎么导通啊？求指导一下呗。谢啦！

发表于 2017-11-22 06:36

xiaxingxing 发表于 2017-11-21 22:43
我还是不明白Q5截止，Q11为什么会导通呀。Q5截止，Q11的基极为52V，Q11的射极悬空，这个时候的射极电压是 ...

Q5关断时，Q9栅极电压，S+，G-。
Q11基极电流：Q9-S--->R94--->Q11-B---->Q11-E--->R95--->Q9-G,
Q11集电极电流: Q9-S--->Q11-C--->Q11-E--->R95--->Q9-G。
如果Q11电流放大倍数按100算，此时R94+Q11大约可以等效为30欧电阻

模拟粉 · 发表于 2017-11-22 08:29

本帖最后由 xmar 于 2017-11-22 08:32 编辑

模拟粉发表于 2017-11-21 18:13
请问C139 和R97的作用是什么？

防止、或者说减小C139、R97两端瞬时过冲电压。由于Q9负载存在感抗（容抗没关系）导致的电压过冲。注意，就是导线也有电感。特别是电流变化巨大时。参考感生电压公式：U = - L(dI / dt). 负载电感越大、电流变化率越大，感生电压就越高。

发表于 2017-11-22 10:30

戈卫东发表于 2017-11-22 06:36
Q5关断时，Q9栅极电压，S+，G-。
Q11基极电流：Q9-S--->R94--->Q11-B---->Q11-E--->R95--->Q9-G,
Q11集电 ...

Q5关断时，Q9栅极电压，S+，G-。？？？这句话怎么理解呢？？我就是不知道，Q5关断时，Q9栅极的电压（即三极管射极电压）怎么确定。另外，Q5关断时，三极管基极电压52V应该没错吧？？望指导，谢谢！

发表于 2017-11-22 10:46

这电路就算没有Q11，在Q5关闭后，Q9的GS结电容放完电后，Q9的GS之间加上10K电阻用于放电，也是可以正常开关Q11的

发表于 2017-11-22 10:49

戈卫东发表于 2017-11-22 06:36
Q5关断时，Q9栅极电压，S+，G-。
Q11基极电流：Q9-S--->R94--->Q11-B---->Q11-E--->R95--->Q9-G,
Q11集电 ...

这个电路在Q5关闭的时候，Q11三极管也没有完全工作，阻抗太大，不足以基极工作，而是BE二极管导通的，利用了其二极管的特性，降低Q9的栅源极电压，从而关闭

发表于 2017-11-22 13:15

kk的回忆发表于 2017-11-22 10:49
这个电路在Q5关闭的时候，Q11三极管也没有完全工作，阻抗太大，不足以基极工作，而是BE二极管导通的，利 ...

建议你再看看

发表于 2017-11-22 13:17

xiaxingxing 发表于 2017-11-22 10:30
Q5关断时，Q9栅极电压，S+，G-。？？？这句话怎么理解呢？？我就是不知道，Q5关断时，Q9栅极的电压（即三 ...

因为Q9栅极对源极之间电荷存在，于是R94是有电流的，所以Q11基极电压不是52V。

登录 · 发表于 2017-11-22 13:24

这是高边 MOS 开关的原理性电路：

电路的仿真波形：

登录 · 发表于 2017-11-22 13:24

戈卫东发表于 2017-11-22 13:15
建议你再看看

我也不是很明白关断的机理，仿真后发现基极电流才几个pA，才觉得三极管肯没有完全打开，还有按照你的电流流向，Q11基极电流：Q9-S--->R94--->Q11-B---->Q11-E--->R95--->Q9-G,，Q9的栅源极是绝缘层，这怎么能形成电流通路，有说的不对的见谅。

发表于 2017-11-22 13:32

如果电源电压不高，比如说 12 V，可能这个电路就可以直接用了。

现在是 24 V，Vgs 接近其击穿电压 -20V，因而需要一定的保护措施。
最简单的方法是在 GS 间并联一个稳压管。稳压值大于开启电压，小于击穿电压。

虽然可以改变 R101 和 R102 的分压比来使 Vgs 在合理的范围内，
但其它的一些偶然因素仍有可能使得 Vgs 超过击穿电压。
因此，加个稳压管进行保护是有必要的。

登录 · 发表于 2017-11-22 13:34

稳压管限压电路：

仿真波形：

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