通过负载仪限流到6A？
可以测试一下是在哪个过程中烧毁的，打开还是关断V4。
我觉得应该是关断，
先让EH为高，此时V4的电压约15V，
再让EH为低，由于R67为1M，之前Cgs上冲的15V电压通过1M缓慢放电，注意Cgd上的电容也在放电
存在某个时刻（Vgs到达一定值时）V4开始关闭，V4的漏极电压从0V开始抬高到最终关闭为70V。
关闭时间内，通过1M欧的电阻放电的电流基本全部流过Cgd，Cgs电压不放电，放电时间
t=Cgd*△V/Igate
此时V4上的电流I=（70V-Vds）/R负载仪
可以估算整个时间内V4的功率，显然随着负载仪的电流越大，瞬时功率也就越大。
功率乘以热阻就是温升，超过结温就烧毁，当然还要计算热容，对照MOSFET的SOA。热阻和热容与MOSFET的封装，铺铜，散热器等都有关，不好模拟。
但是可以假想一下，有一段关闭时间，Vds电压是10V，此时电流Ids=5A，如果关闭时间很慢，50W的持续时间越长，MOSFET就越容易挂掉。
所以要么减小Ids的最大值，要么减小t。
采取减小t的方法按照公式，可以加大gate脚的放电电流Ig，也就是减小Rg，还有减小V等等。
|
楼主
